聯系我們
服務熱線：17788150100
工廠地址：鄭州國家高新技術開發區楓林路27號5號樓4層407號
辦公地址：鄭州國家廣告產業園4號樓22層339號
手機：17788150100
聯系人：王志杰
辦公地址：鄭州國家廣告產業園4號樓22層339號
手機：17788150100
聯系人：王志杰
行業動態
感應加熱發展的歷史及其應用場合
2019-11-01 00:00:00 來源：鄭州藍碩高中頻加熱設備 點擊：3295 喜歡：0
感應加熱發展的歷史及其應用場合1．感應加熱發展歷史
感應加熱來源于法拉第發現的電磁感應現象，也就是交變的電流會在導體中產生感應電流，從而導致導體發熱。長期以來，技術職員都對這一現象有較好了解，并且在各種場合盡量抑止這種發熱現象，來減小損耗。比較常見的如開關電源中的變壓器設計，通常設計職員會用各種方法來減小渦流損耗，來進步效率。然而在19世紀末期，技術職員又發現這一現象的有利面，就是可以將之利用到加熱場合。來取代一些傳統的加熱方法，由于感應加熱有以下優點：
（1）非接觸式加熱，熱源和受熱物件可以不直接接觸
（2）加熱效率高，速度快，可以減小表面氧化現象
（3）輕易控制溫度，進步加工精度
（4）可實現局部加熱
（5）可實現自動化控制
（6）可減小占地，熱輻射，噪聲和灰塵
由于感應加熱具有以上的一些優點，大量的工程技術職員對此進行了研究，1890年瑞典技術職員發明了第一臺感應熔煉爐――開槽式有芯爐，1916年美國人發明了閉槽有芯爐，從此感應加熱技術逐漸進進實用化階段。而后，20世紀電力電子器件和技術的飛速發展，極大的促進了感應加熱技術的發展。
1957年，美國研制出作為電力電子器件里程碑的晶閘管，標志著現代電力電子技術的開始。同時，也引發了感應加熱技術的革命。1966年，瑞士和西德首先利用晶閘管研制感應加熱裝置，從此感應加熱技術開始飛速發展。
80年代后，電力電子器件再次飛速發展，GTO，MOSFET，IGBT，MCT，SIT等器件相繼出現。感應加熱裝置也逐漸摒棄晶閘管，開始采用這些新器件。現在比較常用的是IGBT和MOSFET，IGBT用于較大功率場合，而MOSFET用于較高頻率場合。據報道，國外可以采用IGBT將感應加熱裝置做到功率超過1000KW，頻率超過50K。而MOSFET較合適高頻場合，通常在幾千瓦的中小功率場合，頻率可達到500K以上，甚至幾M。然而國外也有推出采用MOSFET的大功率的感應加熱裝置，比如美國研制的2000KW/400KHz的裝置。
國內的電力電子技術起步比較完，所以感應加熱技術也落后于國外很多。但是由于市場遠景廣闊，所以研制的感應加熱的技術職員逐漸增加。國內在此領域處于領先地位的為浙江大學，但是離國外先進技術還有相當間隔。
2．感應加熱應用場合
感應加熱可以用于多種場合，主要有：
（1）冶金：有色金屬的冶煉，金屬材料的熱處理,鑄造、擠壓、軋制等型材生產的偷熱；焊管生產的焊縫。
（2）機械制造：各種機械零件的淬火，以及淬火后的回火、退火和正火等熱處理的加熱。壓力加工前的透熱。
（3）輕工：罐頭以及其它包裝的封口，比如著名的利樂磚的封口包裝。
（4）電子：電子管真空除氣的加熱
上一篇：大型軋輥熱處理淬火設備
下一篇：藍碩電磁感應加熱設備
