單晶鈣鈦礦型復(fù)合氧化物Ｌａ↓［０．６］Ｓｒ↓［０．４］ＣｏＯ↓［３］納米線和納米棒制備方法屬于催化領(lǐng)域。采用傳統(tǒng)合成方法難以制得納米線狀和納米棒狀單相Ｌａ↓［０．６］Ｓｒ↓［０．４］ＣｏＯ↓［３］。本發(fā)明的方法是通過(guò)超聲波分散處理，水熱...

有機(jī)分子晶體纖維的大尺度生長(zhǎng)方法屬于有機(jī)半導(dǎo)體光電子技術(shù)與器件領(lǐng)域。現(xiàn)有方法工藝過(guò)程相當(dāng)復(fù)雜或由于方法本身的局限性及對(duì)環(huán)境條件要求苛刻，所獲得晶體結(jié)構(gòu)的連續(xù)有序尺度一般很小。本發(fā)明采用非常簡(jiǎn)單的玻璃管狀微腔為晶體生長(zhǎng)提供基體結(jié)構(gòu)，通過(guò)實(shí)...

球狀、蝴蝶結(jié)狀和八面體狀多晶Ｃｅ↓［０．６］Ｚｒ↓［０．３］Ｙ↓［０．１］Ｏ↓［２］微米粒子制備方法屬于固溶體制備領(lǐng)域。采用傳統(tǒng)制備方法難以得到微米球狀、微米蝴蝶結(jié)狀和八面體狀形貌的Ｃｅ↓［０．６］Ｚｒ↓［０．３］Ｙ↓［０．１］Ｏ↓［２...

一種高比表面積單晶介孔氧化鈣粒子的制備方法屬于固體介孔材料制備領(lǐng)域。克服了傳統(tǒng)方法存在的難以控制氧化鈣形貌、孔結(jié)構(gòu)及其比表面積等缺點(diǎn)，所制得的氧化鈣粒子適合于作吸附材料、催化劑載體、耐熱材料及超導(dǎo)體的添加劑等。具體制備過(guò)程為：將模板劑溶...

以制備的氧化銅為晶種合成紡錘體狀和棒狀Ｌａ↓［２］ＣｕＯ↓［４］的方法屬于納米催化劑的制備領(lǐng)域。以硝酸銅為銅源、以氫氧化鈉為堿源，采用水熱合成法首先制備出納微米氧化銅粒子；再以納微米氧化銅為銅源、以硝酸鑭為鑭源、以氫氧化鈉為堿源，采用水...

單相Ｓｍ↓［２］Ｃｏ↓［１７］納米晶塊體材料的制備方法屬于納米材料和新型粉末冶金技術(shù)領(lǐng)域。現(xiàn)有納米晶Ｓｍ↓［２］Ｃｏ↓［１７］型合金的研究集中于兩相或多相的合金體系。本發(fā)明通過(guò)將金屬Ｓｍ和Ｃｏ按２∶１７的摩爾比混合，真空感應(yīng)熔煉制備Ｓｍ...

一種低溫快速沉積鎢酸鋇微米薄膜的方法屬于功能薄膜材料的制備技術(shù)領(lǐng)域。現(xiàn)有鎢酸鋇薄膜的制備方法對(duì)沉積條件要求較高，需要真空、高溫等條件，另外對(duì)襯底的選擇具有局限性，必須為導(dǎo)電襯底。本發(fā)明以乙二胺四乙酸二鈉（ＥＤＴＡ－２Ｎａ）為絡(luò)合劑，在低...

一種微電鍍裝置，主要應(yīng)用于ＭＥＭＳ器件和其他微小試片的電鍍，由機(jī)械和電路控制部分組成。機(jī)械部分主要包括卡片（１）、卡盤（２）、密封系統(tǒng)（３）、電刷（４）、電機(jī)（５）、傳動(dòng)軸（６）、套杯（７）、陽(yáng)極支撐塊（８）、電鍍池（９）；卡片可在卡盤...

高長(zhǎng)徑比氧化鈦納米管陣列薄膜的制備方法屬于一維金屬氧化物陣列材料領(lǐng)域。氧化鈦很難溶于一般酸性溶液中，因此很難制備出氧化鈦多孔有序膜，制備氧化鈦納米管陣列薄膜的難度更大。本發(fā)明首先對(duì)金屬鈦基體進(jìn)行常規(guī)前期預(yù)處理；進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理，所采用的...

一種制備高致密塊體鎢鎳合金的方法屬于合金領(lǐng)域。其特征在于：在電鑄過(guò)程中采用直流電源，電壓為：３伏～１５伏，電流密度為：１～１２Ａ／ｄｍ２，將陽(yáng)極、陰極插入電鑄液中，陽(yáng)極為純鎳，陰極為不銹鋼或Ｔｉ；電鑄液的成分為氨基磺酸鎳：１２０～３５０...

本發(fā)明涉及一種離子膜電解槽電極激光焊接方法及裝置，專門應(yīng)用于離子膜電解槽電極的焊接。本發(fā)明在激光焊接工作頭中設(shè)置高度跟蹤傳感器，利用高度跟蹤傳感器高度跟蹤功能，使得激光焊接工作頭在激光焊接電極過(guò)程中對(duì)電極施加恒定壓力，使電極貼緊電極激光...

本實(shí)用新型涉及一種離子膜電解槽電極激光焊接裝置，專門應(yīng)用于離子膜電解槽電極的焊接，是為解決了電阻點(diǎn)焊焊接極網(wǎng)時(shí)存在虛焊、脫焊的現(xiàn)象。本裝置包括焊接工作臺(tái)，設(shè)置在焊接工作臺(tái)上方的激光焊接工作頭和焊接機(jī)床Ｚ軸，激光焊接工作頭安裝在焊接機(jī)床Ｚ...

以玻碳板為支持材料的Ｐｄ－Ｎｉ雙金屬催化電極的制備方法屬于電化學(xué)水處理的技術(shù)領(lǐng)域。針對(duì)目前電化學(xué)催化電極制作成本較高的問(wèn)題，在單金屬催化劑Ｐｄ中引入另一種廉價(jià)金屬Ｎｉ，以降低其制作成本。將ＮｉＳＯ↓［４］.７Ｈ↓［２］Ｏ晶體和ＮＨ↓［４...

本發(fā)明涉及一種Ｐｄ－Ｎｉ－聚吡咯修飾鈦催化電極的制備方法，尤其是一種適用于電化學(xué)還原脫除水中氯代有機(jī)物的新型催化電極的制備方法。針對(duì)目前電化學(xué)催化電極制作成本較高、基材比表面積小等問(wèn)題，引入廉價(jià)金屬鎳和吡咯。將ＮｉＳＯ↓［４］.７Ｈ↓［...

本發(fā)明涉及一種鈀－聚吡咯修飾泡沫鎳催化電極的制備方法，尤其是一種適用于電化學(xué)還原脫除水中氯代有機(jī)物的新型催化電極的制備方法。針對(duì)目前電化學(xué)催化電極制作成本較高、基材比表面小等問(wèn)題，引入了聚吡咯膜。將ＰｄＣｌ↓［２］粉末溶于鹽酸，加去離子...

Ｐｄ－Ｎｉ－聚吡咯修飾玻碳催化電極的制備方法屬于電化學(xué)領(lǐng)域，尤其是一種適用于電化學(xué)還原脫除水中氯代有機(jī)物的新型催化電極的制備方法。針對(duì)目前電化學(xué)催化電極制作成本較高、基材比表面積小等問(wèn)題，引入廉價(jià)金屬鎳和吡咯。將ＮｉＳＯ↓［４］.７Ｈ↓...

Ｐｄ－Ｎｉ雙金屬修飾鈦催化電極的制備方法屬于電化學(xué)領(lǐng)域，尤其是一種適用于電化學(xué)還原脫除水中氯代有機(jī)物的新型催化電極的制備方法。針對(duì)目前電化學(xué)催化電極制作成本較高的問(wèn)題，在單金屬催化劑Ｐｄ中引入另一種廉價(jià)金屬Ｎｉ，以降低其制作成本。將Ｎｉ...

一種涂層超導(dǎo)高Ｗ含量Ｎｉ－Ｗ合金基帶的制備方法屬于高溫涂層超導(dǎo)強(qiáng)化韌性基帶技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明擬解決現(xiàn)有Ｎｉ－Ｗ基帶機(jī)械強(qiáng)度和磁性不能滿足ＹＢＣＯ涂層導(dǎo)體進(jìn)一步廣泛應(yīng)用的問(wèn)題。本發(fā)明方法包括以下步驟：①高能球磨混和Ｎｉ和Ｗ粉；②粉末冶金冷等...

本發(fā)明屬材料的表面物理化學(xué)領(lǐng)域。現(xiàn)有無(wú)機(jī)材料疏水性的研究，主要是用非晶碳薄膜，但難實(shí)現(xiàn)良好的透明性，且化學(xué)穩(wěn)定性不如氮化硼薄膜。一種透明疏水的氮化硼薄膜制備方法，其特征在于，包括以下步驟：用常規(guī)氣相沉積方法在作為基底的固體表面上沉積一層...

一種ＷＣ－ＦｅＮｉＣｒ超硬無(wú)磁涂層復(fù)合材料及其制備方法，屬于表面涂層技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的ＷＣ－ＦｅＮｉＣｒ超硬無(wú)磁涂層復(fù)合材料，具有較高（２０－６０％）的碳化鎢，大大提高材料的抗磨損性能。其化學(xué)成分為Ｗ：２０～６０ｗｔ％、Ｆｅ：２０～５５...