本發明公開了一種3D堆疊芯片及其功耗控制方法與系統。3D堆疊芯片包括邏輯芯粒和存儲芯粒，3D堆疊芯片功耗控制方法包括：將邏輯芯粒和存儲芯粒劃分區域；分別獲取邏輯芯粒和存儲芯粒各區域的區域溫度；根據區域溫度確定邏輯芯粒對存儲芯粒的訪問優先...

本發明提供了一種基于RRAM芯片的寫方法和寫電路，涉及存儲器電路設計技術領域，方法包括：接收到對目標RRAM芯片的寫入指令時，讀取目標RRAM芯片的形成狀態標志；其中，若形成狀態標志為未形成，表示目標RRAM芯片未執行過一次性的初始化操...

本發明涉及電子器件技術領域，具體涉及一種自修復型RRAM器件及其制備方法。本發明所提供的一種自修復型RRAM器件的制備方法包括S1底電極制備、S2梯度阻變層制備和S3頂電極制備步驟。所制得的自修復型RRAM器件是有底電極、梯度阻變層和頂...

本發明涉及芯片故障容錯技術領域，公開了一種基于計算核心重復執行的NPU容錯計算方法及系統。其中，方法包括：通過計算核心接收待執行程序段與其對應的輸入數據；生成該程序段的初始執行狀態；執行受控路徑的程序段計算并生成簽名；執行局部容錯判斷任...

本發明提供了一種抑制漏電的存儲器電路結構，屬于半導體存儲技術領域，包括：接地電阻切換電路連接于存儲陣列的SL讀電路接地端，且接地電阻切換電路包含可切換電阻模塊；溫度檢測模塊用于檢測環境溫度并輸出控制信號，控制接地電阻切換電路在環境溫度達...