本實(shí)用新型公開了一種新型太陽能電池正面柵線電極，為了解決現(xiàn)有的太陽能電池正面柵線為整段，導(dǎo)致成本高，且遮光面積大，轉(zhuǎn)換效率不高的問題，所述太陽能電池正面柵線電極包括本體，在本體上設(shè)有至少兩根點(diǎn)狀主柵線和多條副柵線，所述每根點(diǎn)狀主柵線分為...

本實(shí)用新型公開了一種晶體硅太陽能電池多層氮化硅減反射膜，屬于半導(dǎo)體晶體硅及太陽能電池制造技術(shù)領(lǐng)域，本實(shí)用新型包括淀積在硅基襯底上的至少三層氮化硅薄膜，所述各層氮化硅薄膜的折射率從下至上呈依次減小，且各層氮化硅薄膜的厚度從下至上呈依次增大...

本實(shí)用新型公開了一種太陽能組件安裝支架，屬于太陽能組件安裝裝置領(lǐng)域，為了解決現(xiàn)有的太陽能組件安裝直接在屋頂上鉆孔安裝存在的工序復(fù)雜，且存在漏水的可能性的問題，所述太陽能組件安裝支架包括通過定位件固定太陽能電池的橫梁，所述橫梁裝在底座上，...

本實(shí)用新型涉及太陽能組件領(lǐng)域，具體為一種太陽能組件雙卡式安裝結(jié)構(gòu)，包括安裝架，安裝架上端固定有母卡，并在母卡上端設(shè)有相應(yīng)的公卡，所述公卡上設(shè)有與太陽能組件安裝孔對應(yīng)的孔道，且太陽能組件通過連接件固定在公卡上。本實(shí)用新型作為一種太陽能組件...

本發(fā)明公開了一種晶體硅太陽能電池多層氮化硅減反射膜及其制備方法，屬于半導(dǎo)體晶體硅及太陽能電池制造技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明包括淀積在硅基襯底上的至少三層氮化硅薄膜，所述各層氮化硅薄膜的折射率從下至上呈依次減小，且各層氮化硅薄膜的厚度從下至上呈依次...

本實(shí)用新型涉及太陽能組件領(lǐng)域，具體為一種太陽能組件背面用于封裝的結(jié)構(gòu)，包括連接件，所述連接件底面通過粘結(jié)結(jié)構(gòu)固定在太陽能組件背面，且連接件頂面設(shè)有安裝孔。本實(shí)用新型作為一種太陽能組件封裝結(jié)構(gòu)，可使太陽能組件快速封裝和方便安裝在任意位置，...

本實(shí)用新型涉太陽能組件領(lǐng)域，具體為一種鋁合金槽的結(jié)構(gòu)。包括組件和邊框，所述邊框的槽口上邊沿設(shè)有至少一個凸點(diǎn)，組件置于槽口內(nèi)，且組件與槽口之間通過硅膠密封。本實(shí)用新型作為一種多層防密封鋁合金槽的結(jié)構(gòu)，能使組件正面達(dá)到了良好密封效果，減少了...

本發(fā)明涉及太陽能電池片的加工，具體的說本發(fā)明是一種晶體硅太陽能電池片等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)彩虹片返工方法，即等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備晶體硅太陽能電池片中因放電異常導(dǎo)致的表面有彩虹膜層的電池片的清洗處理方法，經(jīng)過該...

本實(shí)用新型公開了一種雙槽多晶硅濕法制絨設(shè)備，屬于半導(dǎo)體晶體硅及太陽能電池制造技術(shù)領(lǐng)域，它包括反應(yīng)槽，注有藥液的反應(yīng)槽的底部布置有二級注液管，該二級注液管頂部開有可向上噴出藥液的多個小孔，所述二級注液管經(jīng)反應(yīng)槽外的一級注液管經(jīng)藥液循環(huán)泵與...

一種槽式晶體硅濕法制絨設(shè)備，包括底部設(shè)有排液口的反應(yīng)槽，注有藥液的反應(yīng)槽的底部設(shè)有二級注液管，該二級注液管經(jīng)一級注液管同藥液循環(huán)泵的出液口連通，該泵的進(jìn)液口經(jīng)輸液管路同反應(yīng)槽連通；反應(yīng)槽的二級注液管上方裝有液體勻流板，在二級注液管和液體...

本實(shí)用新型公開了一種太陽能光伏空氣制水飲用機(jī)，包括含太陽能光伏發(fā)電單元、空氣制水單元及水處理單元；太陽能光伏發(fā)電單元由太陽能光伏電池、防反充二極管、控制器、二次電池組成；空氣制水單元由直流壓縮機(jī)、冷凝器、電磁閥、蒸發(fā)器、通風(fēng)通道組成；水...

本實(shí)用新型公開了一種太陽能光伏瓦，應(yīng)用于建筑一體化新型太陽能組件。所述太陽能光伏瓦從上下依次由低鐵超白鋼化玻璃、熱熔膠膜、太陽能電池、熱熔膠膜、太陽能背襯材料、熱熔膠膜、鋼化玻璃經(jīng)加熱層壓封裝而成，能抗風(fēng)霜、雨雪、灰、沙、冰雹、等惡劣氣...

本發(fā)明公開了一種實(shí)現(xiàn)晶體硅太陽能電池各種色彩氮化硅膜的生產(chǎn)方法，該方法使用常規(guī)管式ＰＥＣＶＤ設(shè)備，在既定的襯底溫度和射頻功率下，調(diào)整ＳｉＨ４／ＮＨ３流量比，控制射頻放電頻率，控制反應(yīng)室壓強(qiáng)及淀積時(shí)間，在硅片上均勻淀積各種顏色氮化硅薄膜。...

一種槽式晶體硅濕法制絨設(shè)備，包括底部設(shè)有排液口的反應(yīng)槽，注有藥液的反應(yīng)槽的底部設(shè)有二級注液管，該二級注液管經(jīng)一級注液管同藥液循環(huán)泵的出液口連通，該泵的進(jìn)液口經(jīng)輸液管路同反應(yīng)槽連通；反應(yīng)槽的二級注液管上方裝有液體勻流板，在二級注液管和液體...

本發(fā)明公開了一種晶體硅太陽能電池新的擴(kuò)散工藝，該擴(kuò)散工藝主要是指在原來的工藝基礎(chǔ)上，將通源的步驟分不同的幾步進(jìn)行：低溫預(yù)擴(kuò)散、斜率升溫?cái)U(kuò)散、高溫?cái)U(kuò)散。該工藝能顯著增強(qiáng)擴(kuò)散的均勻性，對ＰＮ結(jié)的深度和表面濃度有很好的控制，提高了晶體硅太陽能...

一種改善單晶硅太陽能電池減反射膜特性的方法，其特征是，該方法為：采用晶體硅原料，經(jīng)過常規(guī)的清洗制絨、擴(kuò)散、刻蝕和二次清洗工序后，經(jīng)過間歇式放電，在脈沖發(fā)生器頻率為４０ｋＨｚ，脈沖功率Ｐｆ為２５００ｗ，占空比ｔｏｆｆ／ｏｎ為６．５的條件下...