電沉積工具包括陽極室和陰極室。高電阻虛擬陽極(HRVA)設置于陰極室內。離子交換隔膜設置于陽極室與陰極室之間。離子交換隔膜由隔膜框架支撐。該電沉積工具進一步包括抽吸流徑，其配置成排空HRVA與離子交換隔膜之間的空間。抽吸流徑由離子交換隔...

本文提供用于半導體處理的基座、裝置、系統及方法。該裝置包含具有第一側和第二側的基座本體，第二側與該第一側面向相反的方向；位于第一側上的多個真空夾持通道，該真空夾持通道與延伸穿過基座本體的真空通路流體連接，該多個真空夾持通道被配置成將晶圓...

本文公開涉及執行具有原位鈍化的等離子體增強原子層沉積(PEALD)以及在執行間隙填充膜蝕刻時保護硬掩模的示例。一個示例提供了一種方法，其包括執行多個PEALD循環以將膜沉積到間隙中。每個PEALD循環包括將膜前體引入處理室，以將膜前體吸...

根據一些實施方案中，提出使用合成圖像的方法、系統、及介質。在一些實施方案中，方法涉及：獲得與集成電路制造室有關的一組圖像，其中該一組圖像包括至少一個合成圖像子集。合成圖像子集的每一合成圖像為照片級真實感合成圖像。在一些實施方案中，合成圖...

一種雙充氣室噴頭組件包含桿部、背板以及面板。該桿部包含第一輸送通道以及第二輸送通道，它們彼此不重疊。該背板耦合至該桿部。該面板耦合至該背板。該面板和該背板界定在它們之間的第一充氣室和第二充氣室。該第一充氣室被配置成專門經由該第一輸送通道...

一種蒸氣輸送系統將前體蒸氣輸送至襯底處理系統的處理室，該系統包含儲存前體的蒸氣產生器。第一閥包含連接至蒸氣產生器出口的入口。裝填容積容器包含連接至第一閥出口的入口。第二閥包含連接至裝填容積容器出口的入口。孔連接至第二閥出口及處理室。第三...

所公開的示例涉及具有類似化學成分的材料的選擇性蝕刻。一示例提出了在襯底中選擇性地蝕刻特征的方法。所述襯底包括第一含硅材料和第二含硅材料，其具有不同濃度的可揮發末端官能團。所述方法包括：使襯底暴露于足以使至少一些末端官能團解離的能量；以及...

一種用于處理襯底的襯底處理系統包含上等離子體排除區域環，其在所述襯底的斜面邊緣的等離子體處理期間配置在所述襯底上方。上部電極在所述等離子體處理期間配置在所述襯底上方。下等離子體排除區域環在所述等離子體處理期間至少部分配置在所述襯底下方。...

本文提供了一種噴頭組件，其包括噴頭和在半導體處理室內支撐噴頭的桿體。這種噴頭組件的桿體可以包含多個縱向通道，其可彼此流體連接而使流體沿著從桿體的一端到另一端的流動路徑循環。一些這樣的縱向通道可以通過對應的連接通道來端對端連接。桿體還可包...

一種用于改變晶圓所述溫度的設備，所述設備包含：表面，其被配置成支撐所述晶圓并與所述晶圓進行熱交換；其中所述表面被圖案化及紋理化以減少該所述表面與由所述表面所支撐的該晶圓之間的接觸面積。

本文中公開一種方法，該方法包含在膜沉積工藝之后執行室清潔操作，從而在室清潔操作期間取得一組射頻(RF)傳感器測量值。該方法包括處理該一組RF傳感器測量值以產生一組RF傳感器測量值?時間數據，以及計算所述RF傳感器測量值?時間數據的一階時...

公開了壓強批量補償以穩定修整和沉積工藝的CD變化。一種控制器包括：累積確定器，其被配置為確定指示處理室內的表面上的材料累積量的第一累積值；和壓強控制器，其被配置為獲得所述第一累積值，獲得與蝕刻步驟相關的設定點壓強和所述蝕刻步驟的持續時間...

晶圓處理裝置包括：用于支撐晶圓的支撐件；經由第一流動路徑與液體源連接的第一分配噴嘴；經由第二流動路徑與液體源連接的第二分配噴嘴；在第一流動路徑中的第一閥；以及在第二流動路徑中的第二閥；其中，第一分配噴嘴和第二分配噴嘴配置為定位在由支撐件...

公開了關于使用包含濺射的抑制型等離子體增強原子層沉積(PEALD)來填充襯底中間隙的示例。一示例提供包括執行多個PEALD循環的方法。PEALD循環包括，在抑制步驟中，使用包含抑制劑的氣體混合物形成等離子體，以將抑制劑沉積至襯底上的間隙...

用以處理襯底的襯底處理系統包含部件、冷卻回路和至少一個控制器。該部件包含一個或更多冷卻劑通道。冷卻回路被配置成使非PFAS流體循環通過一個或更多冷卻劑通道以冷卻第一部件。非PFAS流體滿足以下至少一者：i)不存在多氟烷基物質且不存在全氟...

一種噴頭包含板和擋板。板包含第一表面以及在第一表面中心的開口。擋板被放置在板的開口中。擋板穿過開口而延伸入板中。擋板包含位于與板的第一表面平行的平面中的第二表面，且包含在第二表面中的第一組孔和第二組孔。第一組孔和第二組孔彼此并不流體連通...

一種用于襯底處理系統的多通閥組件包含歧管塊和安裝至歧管塊上的多個閥。所述歧管塊包含連接至N種汽化前體的N個源的N個第一輸入端，其中N為大于1的整數；可連接至處理室的噴頭的出口；以及被包圍在所述歧管塊內的多個歧管。所述閥通過歧管塊中的歧管...

描述了包含非周期性的有機網狀冷卻通道段圖案的冷卻板，比起在具有更規則的冷卻通道段幾何圖案的冷卻板中，其提供更均勻且更有效的冷卻性能。

所公開的示例涉及反應物氣體的自動流量補償，其基于與反應物氣體一起流動的第二氣體的檢測濃度。一示例提供了一種襯底處理工具，其包括處理室。襯底處理工具還包括導管，其用于使反應物氣體與第二氣體的混合物流向處理室。襯底處理工具還包括化學傳感器，...

根據一些實施方案，提供了一種在半導體制造裝置中產生射頻(RF)場的線圈。該線圈可包含形成為兩匝的管材區段，該兩匝被配置成圍繞半導體制造裝置的等離子體容器，其中管材區段的第二端部朝向管材區段的第一端部彎曲，且其中管材區段的第一端部和管材區...