本發(fā)明涉及一種基于Ｓ／Ｋｅｙ系統(tǒng)的身份認(rèn)證方法。本發(fā)明在用戶首次注冊時通過客戶端向認(rèn)證服務(wù)器提交包括用戶名、密碼口令、迭代值及生物特征值的注冊數(shù)據(jù)，由服務(wù)器生成與該用戶對應(yīng)的種子值，計算口令序列的第一個一次性口令。在用戶身份認(rèn)證過程中通...

本發(fā)明涉及一種基于一次性密鑰的圖像口令身份認(rèn)證方法。本發(fā)明使用圖像代替?zhèn)鹘y(tǒng)的文本口令，將圖像口令的輸入方式由傳統(tǒng)的鼠標(biāo)點(diǎn)擊改為鍵盤輸入，在傳輸過程中使用一次性密鑰對認(rèn)證信息進(jìn)行加密。

一種背腔式微帶天線，包括微帶貼片單元和金屬背腔，微帶貼片單元設(shè)置于金屬背腔中部，由至少一個支撐元件將微帶貼片單元與金屬背腔電連接，金屬背腔四邊設(shè)有腔體側(cè)壁，腔體側(cè)壁的下端設(shè)有金屬底板。本實(shí)用新型克服傳統(tǒng)微帶天線的缺點(diǎn)，提供了一種寬頻帶、...

本發(fā)明涉及一種環(huán)狀天線。它是在常規(guī)雙環(huán)天線的中垂面上與各環(huán)對應(yīng)位置設(shè)置另一周長等于λ的金屬圓環(huán)。位于中間饋電點(diǎn)同側(cè)的新設(shè)各圓環(huán)間用平行導(dǎo)線連接。各正交環(huán)間相互絕緣，最外側(cè)兩組正交的外端處短路，最內(nèi)側(cè)兩組正交環(huán)用λ／４的饋線并接。

本發(fā)明涉及一種帶有邊環(huán)的反射背腔，設(shè)于反射背腔前的饋源和設(shè)于饋源前端的反射器，以及與饋源相匹配的饋線的諧振式天線。本發(fā)明的天線是在帶有邊環(huán)的反射背腔前端設(shè)置圓環(huán)天線為饋源，其反射背腔可以為一圓形形狀，也可以為矩形形狀。經(jīng)試驗(yàn)及相關(guān)測試表...

本發(fā)明涉及一種諧振式寬頻帶的定向天線。本發(fā)明天線的的結(jié)構(gòu)是：在背腔中設(shè)置饋源，在饋源前端的副反射器，以及與饋源相匹配的饋線；其饋源為其平面與背腔平面平行放置的兩付正交對稱布置的雙環(huán)天線。

本發(fā)明所公開一種適用于電視發(fā)射、差轉(zhuǎn)和調(diào)頻廣播發(fā)射的圓環(huán)形天線。本發(fā)明由設(shè)置于中心桿上的２↑［ｎ］個單元天線組成，每個單元天線由兩個的正交環(huán)構(gòu)成，兩個的正交環(huán)間離為０．３～０．５倍λ↓［０］，每個正交環(huán)由空心金屬管制成且相互正交布置的兩...

本發(fā)明涉及一種鋰離子電池用正極材料和這種材料的制備方法。本發(fā)明的鋰離子電池用正極材料的分子式為ＬｉＡｌ↓［０．１］Ｍｎ↓［１．９］Ｏ↓［３．９］Ｆ↓［０．１］。本發(fā)明的制備方法是將鋁的氧化物或硝酸鹽、鋰的氟化物、鋰的碳酸鹽或醋酸鹽，以及...

一種有機(jī)／無機(jī)異質(zhì)結(jié)光電探測器，由陶瓷管座（１）、透明還氧樹脂（２）、金屬墊片（３）、芯片（４）及管腳（５）組成，其特征在于：光電探測器的芯片（４）采取有機(jī)／無機(jī)同型異質(zhì)結(jié)復(fù)合層結(jié)構(gòu)，即以無機(jī)半導(dǎo)體材料ｐ－Ｓｉ單晶為基底材料層（６），其...

用輝光放電的方法，制備出非晶態(tài)硅碳?xì)淠ぃ?yīng)用于半導(dǎo)體器件表面鈍化。這種鈍化工藝實(shí)用簡單，能夠有效地克服了用ＳｉＯ－［２］、Ｓｉ－［３］Ｎ－［４］、Ａｌ－［２］Ｏ－［３］等常規(guī)鈍化方法給半導(dǎo)體器件帶來的缺點(diǎn)，也克服了用ａ－Ｓｉ：Ｈ作鈍化...

本發(fā)明涉及一種固體器件，特別是雙極型靜電感應(yīng)器件的制造方法和用這種方法制造的晶體管，以及一種新結(jié)構(gòu)的雙極型靜電感應(yīng)器件。本發(fā)明的目的通過下述方式實(shí)現(xiàn)：首先在襯底材料表面形成絕緣層，然后在絕緣層上刻出第一擴(kuò)散的窗口，用擴(kuò)散或注入的方式形成...

本發(fā)明公開一種靜電感應(yīng)器件及其制造方法。本發(fā)明的器件是在基片的高阻區(qū)內(nèi)所形成的柵條及柵墻之上形成絕緣層，在柵條間的溝道區(qū)之上形成源區(qū)，且所述的源區(qū)被位于柵條上的絕緣層隔開。本發(fā)明的方法是在單晶基片上以外延方法形成高阻層，再在所述的高阻層...

本發(fā)明公開一種靜電感應(yīng)器件及其制造方法，特別是一種用于電力靜電感應(yīng)器件及其制造方法。本發(fā)明是用高阻單晶的襯底材料表面上形成絕緣層，再在絕緣層上刻出第一擴(kuò)散窗口，以擴(kuò)散或注入方式形成柵區(qū)及柵墻，在所有一次擴(kuò)散區(qū)的表層進(jìn)行補(bǔ)償擴(kuò)散，對襯底正...

本發(fā)明涉及生產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路中形成電路的互連線層間或每層互連線間的絕緣介質(zhì)的制備方法，特別是用溶膠－凝膠法制備多孔二氧化硅薄膜的方法。本發(fā)明的方法是在用溶膠－凝膠法制備多孔二氧化硅低介電常數(shù)材料的工藝技術(shù)中，采用氫氟酸替換現(xiàn)有技術(shù)的鹽酸...

本發(fā)明是一種二端有機(jī)薄膜電流開關(guān)器件，具有單層三明治式結(jié)構(gòu)。在襯底上面制備一層鋁薄膜電極（其它導(dǎo)電薄膜），再在上面鍍上一層有機(jī)薄膜作為器件的夾層，然后在有機(jī)薄膜上再制備一層導(dǎo)電薄膜（鋁膜）。這種器件結(jié)構(gòu)簡單，制備方便。該器件具有獨(dú)特的開...

本發(fā)明為一種多槽結(jié)構(gòu)靜電感應(yīng)器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。現(xiàn)有技術(shù)中存在柵－源（陰）極電壓（Ｖ↓［ＧＳ（Ｋ）］）和伏－安特性（Ｉ－Ｖ特性）的統(tǒng)一問題，即Ｖ↓［ＧＳ（Ｋ）］過高，Ｉ－Ｖ特性不能正常顯現(xiàn)。本發(fā)明通過使用Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７光...

多束金屬和氣體粒子束發(fā)生裝置，放電室由金屬極板和絕緣片交替疊起構(gòu)成，金屬極板上有兩個或兩個以上的孔，不同金屬極板上的孔數(shù)相同或不同，可產(chǎn)生多束電子束和金屬離子束，處理面積大、功率大，被處理材料的表面性能大大改善，應(yīng)用范圍很廣．

本發(fā)明公開一種等離子平板顯示器（ＰＤＰ）或無汞熒光燈用的綠色發(fā)光材料及這種材料的制備方法。本發(fā)明的材料的分子式為Ｎａ↓［３］Ｙ↓［１－ｘ］Ｓｉ↓［３］Ｏ↓［９］∶ｘＴｂ↑［３＋］，其中０．０５≤ｘ≤０．５０，或者在前述的材料中適當(dāng)摻入鈧...

本發(fā)明公開一種用于磁記錄的寫磁頭的磁性薄膜材料及這種材料的制備方法。本發(fā)明的軟磁薄膜材料是在基層材料上有包括鐵鈷成份的磁性薄膜，其中薄膜的鐵鈷磁性成份中摻雜有質(zhì)量比大于零、小于或等于５％的鋁、氧和碳元素。本發(fā)明的制備方法是采用濺射工藝制...

本發(fā)明涉及一種控制磁性材料變溫磁性和磁性參數(shù)溫度穩(wěn)定性的方法及用這種方法所得到的磁性材料。本發(fā)明是將至少兩種元素組合在基體的各微小區(qū)域內(nèi)，在各微小區(qū)域形成帶有磁晶各向異性和形狀各向異性的合金或化合物，使材料整體的磁性參數(shù)隨溫度的變化受到...