在縱向溝道鰭片構造的溝槽MOSFET中，即使在為了提高溝道密度而縮小了溝槽間距的情況下，也抑制閾值電壓的降低、偏差。半導體裝置（1）具有：多個溝槽（2），其在俯視時在第一方向上具有長度方向，在第二方向上具有短邊方向，在第二方向上排列有多...

本發明提供一種能夠在提高作為裝置整體的散熱性的同時也抑制IGBT區域的導通電壓的上升的半導體裝置。一種半導體裝置，具備：芯片，其具有IGBT區域和二極管區域；引線框，其經由焊料與所述芯片的上表面電連接；以及絕緣基板，其經由焊料與所述芯片...

本發明提供一種整流電路，在負載電流（整流電流）比較小的情況下，能夠以總功率損耗變小的方式進行控制。一種整流電路，其具有陽極和陰極，其特征在于，具備：第一開關元件，其第一端子連接于所述整流電路的陰極，第二端子連接于所述整流電路的陽極；第一...

提高銅與硬質樹脂的粘接強度，并且不增加匯流條安裝時的接觸電阻。因此，功率半導體裝置（7）具備：絕緣基板（1）；殼體（3），其收納絕緣基板（1）；銅配線（11），其形成在絕緣基板（1）上；半導體芯片（42），其與銅配線（11）連接；以及銅...

本發明提供一種可靠性高的半導體裝置，在利用高耐熱環氧樹脂對搭載有功率半導體芯片的絕緣電路基板進行密封的半導體裝置中，能夠抑制高耐熱環氧樹脂與絕緣電路基板的配線之間的剝離。其特征在于，具備：功率半導體芯片；絕緣電路基板，其搭載所述功率半導...

本發明提供一種過電流檢測裝置，即使在由于瞬時大電流而存在溫度未知的部位的情況下，過電流的檢測精度也高。集中過電流檢測裝置（11）具有：瞬時電流推定部（101），其根據導體（111）的測量出的瞬時電壓（V）和導體（111）中的溫度未知的部...

本發明提供一種半導體裝置，在經由焊料合金將半導體元件的表背兩面與剛體連接的構造的半導體裝置中，緩和在半導體裝置使用中的半導體元件的表背兩面產生的熱應力的影響。一種半導體裝置，其具有：半導體元件；引線框；絕緣基板；第一接合材料，其將所述半...

本發明提供一種半導體裝置的制造方法，其能夠實現終端區域的寬度的縮小和終端區域中的電場的緩和。該半導體裝置在有源區域的周邊且在具有第一導電型的第一半導體區域的表面具有終端區域，該終端區域形成有作為降低表面電場區域發揮功能的具有第二導電型的...

本發明提供一種能夠以高精度且短時間算出馬達的轉子位置和旋轉速度的馬達控制裝置。本發明的馬達控制裝置（4）具備使用空轉狀態推定部（14）算出的轉子的位置和速度來推定馬達（3）的轉子的位置和速度的速度?相位推定部（13）。空轉狀態推定部（1...

本發明抑制在IGBT的關斷時在通過有源區域的內部的配線區域的近旁發生破壞。半導體裝置（1）具備通過具有IGBT的有源區域（2）的內部的配線區域（4），配線區域（4）具有第一導電型的漂移層（11）、設于比漂移層（11）靠背面側的第二導電型...

本發明提供一種半導體裝置及其制造方法，其接觸插頭的平坦化容易，絕緣膜的拐角部的勢壘金屬的覆蓋率良好。半導體裝置（1）具有：半導體層（2）；設于半導體層（2）的硅化物層（3）；設于半導體層（2）之上且具有開口（4A）的第一絕緣膜（4）；設...

在縱通道翅片構造的溝槽MOSFET中，確保短路耐量的同時降低接通電阻。半導體裝置（1）具有：多個溝槽（2），其在俯視時在第一方向上具有長邊方向、在第二方向上具有短邊方向且在第二方向上排列有多個；第一導電型的第一源極區域（3），其至少一部...

本發明提供一種電路規模比較小且具備不需要外部電源的恒壓電路的半導體裝置。其特征在于，具備第一輸出端子、第二輸出端子、輸入端子、分壓電路以及耗盡型NMOSFET元件，所述耗盡型NMOSFET元件的漏極與所述輸入端子連接，所述耗盡型NMOS...

半導體芯片（200）中，選擇性的晶體缺陷區域（237）以包圍有源區域（210）的方式設置在至少包含主接合區域（224）的漂移層（234）內，主接合區域（224）的晶體缺陷的密度比有源區域（210）的晶體缺陷的密度高，或者，在將半導體裝置...

公開了一種不使用電流檢測部就能夠設定導通的并聯連接的多個同步整流用半導體開關元件內的導通的個數的整流電路。該整流電路通過同步整流，使電流在陽極（A）與陰極（K）之間單向流動，該整流電路具備：多個半導體開關元件（Q1~Q3），其在陽極與陰...

本發明提供一種半導體裝置（RC－IGBT），其具有在施加高電壓下的雪崩擊穿時防止電流集中而元件被破壞的IGBT區域和二極管區域。在二極管區域（103）的p型（第二導電型）的陽極層（117）的與n型（第一導電型）的漂移層（101）相接的區...

在縱溝道翅片構造的溝槽MOSFET中，實現溝道區域（5）的寬度和JFET區域（8）的寬度的設計的自由度高的半導體裝置（1）。半導體裝置（1）是縱溝道翅片構造的溝槽MOSFET，多個溝槽（2）的底面的寬度方向的端部配置在主體區域（9）之中...

本發明提供一種可靠性高的馬達控制裝置，其防止在以停電狀態的再生電壓重新啟動馬達時電壓不足，并且在啟動后能夠取得逆風和馬達驅動的平衡并進行控制。其特征在于，具備：馬達控制電路，其控制永磁鐵同步馬達；以及停電檢測電路，其檢測直流電力的供給停...

本發明提供一種在具有基于使用了多個半導體元件的橋電路的電力轉換功能的半導體裝置中高效率的半導體裝置。其特征在于，具備：第一半導體元件和第二半導體元件，其各自的一端相互連接的；第三半導體元件和第四半導體元件，其與所述第一半導體元件以及第二...

防止因電力轉換電路的輸出為負電位且下沖而引起的上臂開關元件的誤動作。具有：第一開關元件（SW1），其連接于上臂開關元件（Q1）的柵極與基準電位端子之間；第二開關元件（SW2），其漏極連接于第一開關元件（SW1）的柵極；以及電位控制電路（...