解碼裝置(320)設P為正整數，具有：存儲部(331)，其存儲能夠分割為P×P的小矩陣的塊、且作為在通信中使用的低密度奇偶校驗碼的校驗矩陣而假定的最大編碼率的第1校驗矩陣；以及生成部(332)，其使用第1校驗矩陣中包含的、在列方向上包含...

具備：鐵芯(110)，其具有環狀的鐵芯背部(111)和在周向(Z)上隔開間隔且突出地形成在鐵芯背部(111)的內周面(11A)的多個齒部(112)；線圈(3)，其隔著絕緣件(2)卷繞于齒部(112)；以及模制樹脂部(5)，其覆蓋鐵芯(1...

中繼裝置(10A、10D)接收使用了不同的時刻同步配置文件的多個時刻同步網絡(101A、101B)各自的時刻同步消息。中繼裝置(10A、10D)根據多個時刻同步網絡(101A、101B)中的時刻同步消息，從多個時刻同步網絡(101A、1...

本公開涉及遠程控制裝置，一種遠程控制裝置，經由至少包括網絡的傳送路徑，控制至少1個移動體，遠程控制裝置具備：傳送延遲分布推測部，推測包括傳送路徑中的傳送延遲的概率分布的傳送延遲分布信息；以及行動計劃部，根據傳送延遲分布信息，計劃至少1個...

信息處理裝置(2)具備：信息取得部(221)，其取得移動體位置信息和乘員檢測信息；判定部(222)，其基于乘員檢測信息來判定交流對象乘員；移動計劃部(223)，其制定在交流對象乘員彼此容易交流的位置處將移動體彼此連結的移動計劃；以及移動...

本公開的半導體受光元件(100)具備：半導體基板(2)；增倍層(4)，形成在半導體基板(2)之上，由交替層疊多次由單原子層的N倍(1≦N≦20)的層厚構成的第一半導體層(4a)以及由單原子層的M倍(1≦M≦20)的層厚構成且帶隙能量比第...

旋轉接頭具有：靜止體，其沿以中心軸為中心的圓弧進行配置，具有在一面具有平坦的開口面的第1分割波導管、一端經由第1結合部與第1分割波導管的一端連接的第1波導管、以及一端經由第2結合部與第1分割波導管的另一端連接的第2波導管；以及旋轉體，其...

半導體裝置（90）依次包括：第1至第3溝道層（41~43），由含有Fe以及C的III?V族半導體構成；以及勢壘層（50），由具有比第3溝道層（43）的帶隙寬的帶隙的III?V族半導體構成。濃度分布滿足下述的條件：a）第2溝道層（42）以...

操作設備管理服務器1具備：控制實際記錄存儲部(132)，將表示過去通過操作設備(51、52)被操作而對控制對象設備(31、32)執行的控制的內容的控制內容信息、操作設備識別名稱信息以及控制對象設備識別名稱信息相互對應地進行存儲；檢索條件...

目的在于提供能夠對第1半導體開關元件及第2半導體開關元件的發熱進行抑制的技術。半導體裝置具有柵極驅動電路，該柵極驅動電路基于輸入信號，對第1半導體開關元件及第2半導體開關元件的每一者進行驅動。柵極驅動電路在為了將第1半導體開關元件接通而...

提供了一種使用物理信息神經網絡(PINN)進行數據通信的系統和計算機實施方法。在發射器處，所述方法配置為獲取要傳輸的源數據，基于前向糾錯(FEC)碼將源數據編碼為碼字，將碼字映射到幅度符號，基于預定的物理模型將映射的幅度符號修改為包括預...

半導體裝置（100）具有絕緣層（4）和第1電極圖案（1）。第1電極圖案（1）具有第1主體部（21）和第1臺階部（31）。第1主體部（21）具有第1面（11）、第2面（12）以及第1側面（41）。第1面（11）與絕緣層（4）相對。第2面（...

具備：車輛檢測部(103)，其檢測作為隊列管理對象的多個車輛(2)；乘員狀態檢測部(105)，其檢測在由車輛檢測部(103)檢測到的作為隊列管理對象的多個車輛(2)上搭乘的乘員的狀態；隊列計算部(106)，其基于乘員狀態檢測部(105)...

涉及半導體器件的電容的測定裝置及測定夾具。使半導體器件的反饋電容的測定精度提高。在測定對象即半導體器件(100)的柵極端子和LCR儀表(30)的Lc端子(32)之間設置：第1配線(6A)，其將變壓器(10)的鐵芯穿過1次，連接于半導體器...

本申請說明書所公開的技術是用于提高半導體裝置的可靠性的技術。本申請說明書所公開的技術所涉及的半導體裝置具備：半導體層；第一電極層，其覆蓋所述半導體層的上表面的一部分；以及絕緣膜，其覆蓋所述半導體層的上表面的另一部分和所述第一電極層的上表...

提供了一種用于基于區塊鏈的工業自動化系統的監測和管理的方法和系統。該工業自動化系統包括以用于可編程邏輯控制器(PLC)的區塊鏈集成單內核的形式在工業自動化系統中使用的PLC的基于區塊鏈的通用運行時。單內核被配置為提供與區塊鏈技術中可用的...

本公開的半導體光集成元件具備：In<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1－</subgt;<subgt;x</subgt;As<subgt;y</subgt;P<sub...

本公開涉及主電流在半導體基板的厚度方向上流過的功率用半導體裝置，半導體基板包括：設置在半導體基板的中央部、且主電流流過的第1活性區域；以及設置在第1活性區域的外側的第2活性區域，功率用半導體裝置包括：設置在第1和第2活性區域上的第1主電...

涉及半導體裝置及電力變換裝置。本發明說明書所公開的技術是用于在電極形狀具有凹凸的情況下也會有效地使電阻降低的技術。本發明說明書所公開的技術涉及的半導體裝置具有：半導體芯片；殼體，其將半導體芯片收容在內部；主電極，其經由導線與半導體芯片電...

本公開的目的在于，在具備第1柵極電極和第2柵極電極的半導體裝置中改善傳導損耗。半導體裝置(101)具備經由絕緣膜埋入到多個第1溝槽各自的內部的柵極電極。柵極電極包含：第1柵極電極(12)，與第1柵極焊盤(30)電連接；和第2柵極電極(1...