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        山東大學(xué)專利技術(shù)

        山東大學(xué)共有35386項(xiàng)專利

        • 本申請公開了一種動力電池多源故障診斷方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品,涉及動力電池故障診斷技術(shù)領(lǐng)域,該方法包括實(shí)時獲取動力電池的電壓、溫度及應(yīng)力的運(yùn)行數(shù)據(jù)并進(jìn)行預(yù)處理,得到預(yù)處理數(shù)據(jù);將預(yù)處理數(shù)據(jù)輸入至預(yù)設(shè)的混合神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中,輸出得到若干個單...
        • 本發(fā)明涉及刑事監(jiān)督技術(shù)領(lǐng)域,尤其是提供了一種基于類案信息融合與自適應(yīng)辨識的金融犯罪量刑監(jiān)督方法。該方法包括對法律文本數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理,獲得時序結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù);根據(jù)量刑邏輯構(gòu)建多輸出量刑模型,并對其進(jìn)行轉(zhuǎn)化,獲得高維隨機(jī)回歸模型;根據(jù)時序結(jié)構(gòu)化...
        • 本發(fā)明提供了一種控制煤炭溫度的環(huán)路熱管系統(tǒng),所述系統(tǒng)包括環(huán)路熱管和輸氣管,兩者外側(cè)通過一根剛性套管固定成為一個整體。所述環(huán)路熱管蒸發(fā)段設(shè)置在煤堆中,冷凝端設(shè)置在干冰儲藏箱內(nèi),所述輸氣管與環(huán)路熱管平行設(shè)置,熱管在下,輸氣管在上,輸氣管一端...
        • 本發(fā)明公開了一種基于仿生水黽腿結(jié)構(gòu)的被動輻射冷卻超疏水復(fù)合薄膜及其制備方法與應(yīng)用,屬于功能材料技術(shù)領(lǐng)域,包括以下步驟:將具有微米級錐孔的模板利用硅烷的醇溶液浸泡后,將P(VDF?HFP)混合膠體均勻鋪展在模板上,經(jīng)相分離過程、固化,即得...
        • 本發(fā)明公開了一種移動箱式瀝青銑刨料精細(xì)化剝離裝置及工作方法,包括:螺旋剝離裝置,其主軸高速旋轉(zhuǎn)時使集料沖擊攪拌滾筒內(nèi)壁,形成沖擊?研磨協(xié)同剝離機(jī)制;攪拌滾筒裝置,其筒體內(nèi)壁設(shè)有旋向與主軸螺旋葉片相反的螺旋肋板,使物料受軸向推進(jìn)力與筒體回...
        • 本發(fā)明屬于電致發(fā)光材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種電致發(fā)光硅凝膠及其制備方法和器件絕緣自檢測方法。本發(fā)明以硅油為基體,摻入ZnS:Cu發(fā)光填料,摻入納米ZnS以輔助發(fā)光填料的均勻分布,摻入抑制劑和催化劑,獲得混合體系;采用行星攪拌和超聲分散構(gòu)...
        • 本發(fā)明公開一種構(gòu)網(wǎng)變流器虛擬阻抗和功率參考協(xié)同調(diào)整方法及系統(tǒng),涉及電力控制技術(shù)領(lǐng)域,虛擬同步發(fā)電機(jī)系統(tǒng)引入虛擬阻抗以增加逆變器等效輸出阻抗,實(shí)時監(jiān)測逆變器由虛擬同步發(fā)電機(jī)算法生成的內(nèi)部電壓參考;實(shí)時監(jiān)測公共耦合點(diǎn)測量的本地電壓;基于內(nèi)部...
        • 本發(fā)明屬于重力勘探領(lǐng)域,具體涉及一種基于位場特性獲取重力異常空白區(qū)數(shù)據(jù)的方法,包括獲取勘探區(qū)及鄰域的重力與地形數(shù)據(jù),經(jīng)預(yù)處理與網(wǎng)格化,生成標(biāo)準(zhǔn)網(wǎng)格數(shù)據(jù)并標(biāo)識空白區(qū);聯(lián)合多種插值算法并行計(jì)算,并進(jìn)行交叉驗(yàn)證量化評估,選取最優(yōu)模型獲取空白區(qū)...
        • 本發(fā)明屬于巖土工程技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種施加芯吸土工織物的非飽和土凍融循環(huán)裝置及其試驗(yàn)方法,包括成樣裝置、光照裝置、環(huán)境裝置、溫濕控制裝置、供水裝置、數(shù)據(jù)監(jiān)測裝置以及控制終端,所述光照裝置用于對芯吸土工織物暴露于土柱外部的部分進(jìn)行紫外輻...
        • 本發(fā)明涉及隧道工程技術(shù)領(lǐng)域,提供了基于可解釋性分析的隧道工程地震易損性評估方法及系統(tǒng),包括:獲取隧道特征,通過基于小樣本學(xué)習(xí)的隧道地震易損性智能評估模型,得到隧道地震損傷指數(shù);采用沙普利可加性特征解釋方法與局部可解釋模型不可知解釋方法,...
        • 本發(fā)明提出了一種軸向電磁軸承磁滯損耗的計(jì)算方法和設(shè)備,屬于磁滯損耗計(jì)算技術(shù)領(lǐng)域。該方法為:建立等效磁路模型;在推力盤軸向振動情況下,計(jì)算出磁動勢,再通過等效磁路模型確定總動態(tài)磁通;建立最大磁通密度幅值、磁滯損耗及表征磁滯效應(yīng)角度參量任意...
        • 本發(fā)明涉及故障診斷技術(shù)領(lǐng)域,提供了基于域自適應(yīng)的無人機(jī)故障診斷方法、系統(tǒng)、介質(zhì)及設(shè)備,包括:對多維時序數(shù)據(jù)集進(jìn)行滑窗分段,對每一窗口數(shù)據(jù)計(jì)算時域與頻域特征,構(gòu)建源域數(shù)據(jù)集與目標(biāo)域數(shù)據(jù)集,對域?qū)股窠?jīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行聯(lián)合訓(xùn)練;訓(xùn)練完成后,應(yīng)用沙普...
        • 本發(fā)明屬于智能家居技術(shù)領(lǐng)域,具體公開了一種非侵入式家用電器識別和監(jiān)測方法及系統(tǒng),方法包括:通過安裝在總插線板電源線上的電流采集裝置實(shí)時采集總插線板的輸出電流信號并轉(zhuǎn)換為離散化的數(shù)字信號;將離散化后的數(shù)字信號劃分為多個時間窗口;對每一個時...
        • 本發(fā)明公開了一種一體化結(jié)構(gòu)SiC?MOSFET柵極的制備工藝,采用金屬顆粒與有機(jī)膠黏液均勻混合,形成懸濁液;通過旋涂技術(shù)將懸濁液涂覆于SiC?MOSFET的SiO2介電層上表面,形成完全覆蓋的薄膜基底;基于單向化學(xué)氣相沉積工藝,促使薄膜...
        • 本發(fā)明屬于新能源技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種基于安全強(qiáng)化學(xué)習(xí)的光儲日前優(yōu)化調(diào)度方法及系統(tǒng),獲取預(yù)測的光伏發(fā)電數(shù)據(jù)、電網(wǎng)側(cè)需求數(shù)據(jù)和電價數(shù)據(jù);綜合考慮光儲場站售電收益、棄光成本和儲能損耗成本,構(gòu)建以光儲場站凈利潤最大為優(yōu)化目標(biāo)的日前優(yōu)化調(diào)度模型;...
        • 本發(fā)明屬于電力優(yōu)化調(diào)度領(lǐng)域,提供了一種光儲電站經(jīng)濟(jì)運(yùn)行日前優(yōu)化調(diào)度方法及系統(tǒng)。根據(jù)日前出力預(yù)測結(jié)果,搭建日前調(diào)度模型以求解最優(yōu)日前出力曲線,模型以光儲電站日利潤最大為目標(biāo),計(jì)及光伏和儲能運(yùn)行約束,且引入與棄光量及并網(wǎng)電價相關(guān)的棄光損失;...
        • 本發(fā)明涉及一種面向隱私保護(hù)的對抗樣本防御增強(qiáng)方法,屬于人工智能安全領(lǐng)域。其包括以下步驟:S1.對公開的CIFAR?10訓(xùn)練數(shù)據(jù)集進(jìn)行處理得到標(biāo)準(zhǔn)化樣本集,采用投影梯度下降法生成對抗樣本庫,得到混合數(shù)據(jù)集;S2.構(gòu)建多層級自適應(yīng)噪聲注入框...
        • 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體氮化物薄膜材料及其制備方法,屬于半導(dǎo)體薄膜材料技術(shù)領(lǐng)域。該半導(dǎo)體氮化物薄膜材料的組分包括化學(xué)式為Al1?xSixN1?yOy的化合物,其中,、;化合物為六方晶系,晶體空間群為P63mc。該半導(dǎo)體氮化物薄膜材料的制備方...
        • 本發(fā)明涉及融合物理約束的圖結(jié)構(gòu)UNet神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)用于長時間時域差分光學(xué)模擬方法及系統(tǒng),包括:步驟1:利用FDTD方法隨機(jī)構(gòu)造器件參數(shù)數(shù)據(jù)集,得到FDTD均勻網(wǎng)格數(shù)據(jù),并進(jìn)行數(shù)據(jù)預(yù)處理;步驟2:構(gòu)建圖結(jié)構(gòu)Unet模型;步驟3:將器件參數(shù)數(shù)據(jù)...
        • 本發(fā)明涉及場效應(yīng)晶體管,公開了一種高遷移率半導(dǎo)體材料場效應(yīng)晶體管及其制備方法,制備方法包括如下步驟:(1)超聲清洗表面覆蓋有柵介質(zhì)層的基底,并用氮?dú)鈽尨蹈蓺埩羧芤海唬?)將高遷移率半導(dǎo)體材料定位轉(zhuǎn)移至步驟(1)獲得的柵介質(zhì)層上;(3)采...
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