本發明一種改進的半導體硅光敏器件．，它利用ＰＮ結對光生少數載流子的側向收集作用，把光敏三極管的集電區設計成網狀結構，使接受人射光的光敏面與集電極結面分開，從而達到了保持光敏面不變而又減小了集電結電容的目的．若把發射區設計成細條結構以及選...

本發明公開了一種制備生物分子固態薄膜的方法。它包括提取與純化生物光敏分子，固體基片的表面處理，生物光敏分子在固體基片表面固著成膜三個步驟。本發明所提供的方法簡便，制得的生物分子固態薄膜機械強度高，光電效應良好，性能穩定。

本發明公開了一種內調制的間接耦合光電探測器，不外加斬波器的情況下，能夠把恒定的微弱光轉換為調制的光電信號，達到提高信噪比的目的。本發明提供的探測器具有設備簡單、價格低廉和使用方便等優點。

一種改進的制造紫外增強反型層型光電二極管的方法，把反型層結構與用Ｎ＋［＋擴散環把工作區以外的漏電流引走不使其進入工作區電流回路的方法結合起來，使得不僅紫外增強效果好，而且漏電流小，擊穿電壓高，性能穩定，制造工藝簡單，成品率高。

本發明革新了硅平面工藝中的磷擴散工藝，它用很低的溫度淀積磷源，然后在適當高溫下，在氧和氮氣氛中對硅片進行氧化，完成雜質的再分布。這樣不僅工藝簡單、重復性好，而且能形成性能優良的ＰＮ結，提高了產品的成品率。

本發明公開了一種單片集成，混合集成或組裝的光致負阻器件。它是利用間接耦合光電探測結構的光致負阻效應而發明的一種新型光電器件。能夠用于高速光電開關和光控振蕩。

本發明是使Ｐ型含氮ＣＺ－Ｓｉ單晶片經過二個不同的熱處理工藝過程生成ＰＮ結的技術。讓Ｐ型含氮ＣＺ－Ｓｉ單晶片在３００－５００℃溫度下退結的表面位置處，利用各種高溫表面瞬時退火技術進行高溫表面瞬時退火，使此表面所在區域重新回復原來的Ｐ型導電...

本發明公開了一種氮化鎵薄膜的制備方法和專用設備，它以高純鎵和氮氣作源物質，采用雙流供氣方式，向沉積區輸送經過離化的具有化學活性的反應氣體，在較低溫度（５００－６００℃）下，通過載能鎵離化團簇束和Ｎ↑［＋］離子束直接在襯底進行化學反應生成...

新型的硅ＰＮ結光電二極管，它有襯底材料硅，ＰＮ結擴散層，二氧化硅層和電極引線，其特征在于受光面處露有襯底材料硅。能提高硅光電器件對光線、特別是對紫外光的響應度，在４００～２００ｎｍ波段具有比普通硅光電二極管明顯增強的紫外響應度，在３６５...

ＣｄＳｅ量子點的制備方法，包括如下步驟：（ａ）將硒粉加入十八碳烯中，使硒的含量為０．０１～０．０５ｍｏｌ／Ｌ，在氬氣存在下，加熱到２００～２２０℃，保溫１０～３０分鐘后，冷卻至室溫，除去不溶物，制得硒的儲備液；（ｂ）將ＣｄＯ和硬脂酸加入...

本發明是一種用氣體（如Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ↓［２］、Ｎ↓［２］＋Ｈ↓［２］）射頻等離子體對ＴｉＯ↓［２］納米晶進行處理，來提高ＴｉＯ↓［２］光電池光電轉換效率的方法，該方法是：將納米二氧化鈦放入射頻等離子體發生裝置中，抽真空后，至少通入下列氣...

本發明公開了一種用納米顆粒制備納米晶薄膜的方法，采用粉末涂覆法，即混合球磨、涂覆、燒結，將納米顆粒粉末與乙醇、乙酰丙酮混合并球磨０．５～５小時，之后再加入乙醇和曲酮Ｔｒｉｔｏｎ　　Ｘ－１００，繼續球磨１～１０小時；所述的涂覆過程溫度為１...

一種共混膜，包括分子量為１０↑［３］－１０↑［６］的聚偏氟乙烯、分子量為１０↑［３］－１０↑［７］的聚環氧乙烷、粒徑為５－１００納米的無機氧化物、２０～１０∶１摩爾比的氧化還原電對碘化鋰／碘。其制法為，將聚偏氟乙烯和聚環氧乙烷混合后，加...

本發明公開了一種低成本簡易光刻掩膜的制作方法，其具體制作步驟為，用菲林輸出帶有設計圖樣的高分辨率膠片粘貼到石英玻璃上作為初始光刻掩膜，再將用膠片制得的光刻掩膜的圖樣面緊貼涂有光刻膠的鍍鉻玻璃，然后利用光刻技術對涂有２～４０ｕｍ厚光刻膠的...

本發明涉及一種光電陰極，包括基片及附著在基片上的陰極層，陰極層由碳和鉑通過濺射法制成的膜，膜中碳的含量為３０～１００ｗｔ％。其制備方法為：將沉積在基片上的膜在２０～８００℃進行射頻等離子體處理０．５～１０小時；處理功率２０～６００Ｗ。本...

本發明涉及一種硅納米線同質ｐｎ結二極管及其制備方法，該硅納米線同質ｐｎ結二極管的ｐｎ結是用硼擴散工藝在ｎ型導電硅片上擴散形成ｐ型導電層，形成平面同質ｐｎ結，再用無電極金屬電化學沉積法自組裝形成的納米結構為模板，在該平面ｐｎ結硅片上刻蝕形...

本發明涉及一種基于硅納米線的異質ｐｎ結二極管及其制備方法，該二極管的特殊之處是其ｐｎ結是在以垂直定向生長的ｐ－型硅納米線陣列中沉積ｎ型寬帶隙氧化物而成的ｐ－硅納米線／ｎ－寬帶隙氧化物異質ｐｎ結。該二極管的制備方法為：先用無電極金屬電化學...

本發明公開了一種ｎ－硅納米線／ｐ－導電有機物異質ｐｎ結二極管及其制備方法，該異質ｐｎ結二極管是由ｎ型硅片上生長出的硅納米線和硅納米線間的縫隙中填充的ｐ型導電有機物組成。該異質ｐｎ結二極管的制備方法是首先用無電金屬沉積法在ｎ型硅片上生長出...

本發明提供了一種高晶體質量的ＧａＮ絕緣或半絕緣外延層的制備方法，該方法是以Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］、ＳｉＣ或Ｓｉ為襯底，在襯底經高溫氮化后，依次于７５０～７８０℃下高溫生長ＡｌＮ成核層，于７２０～７３０℃下低溫三維生長ＧａＮ成核層，再于７...

本發明公開了一種電致發光二極管的制備方法，先在襯底上生長ＧａＮ緩沖層，然后生長摻有Ｅｕ、Ｅｒ、Ｔｍ三種稀土元素中任意兩種或三種的ＧａＮ薄膜，最后用摻錫氧化銦制作透明電極。通過分子束外延、金屬有機化學氣相沉積方法、離子注入方法、光刻技術實...