本發明提供一種能夠有效地防止從反應容器排出的排氣中的磷—硅化合物的生成且能夠使包含在排氣中的硅烷化合物實現再利用的多晶硅的制造方法。在該多晶硅的制造方法中，向具有豎立設置在電極上的硅芯材的反應容器內供給包含硅烷氣體和氫氣的反應氣體，利用...

本發明涉及用于制備氯化烴的方法，其特征在于，經由使下述通式(1)表示的飽和化合物熱分解，獲得下述通式(2)表示的不飽和化合物的熱脫氯化氫工序。CCl3-CCl2-mHm-CCl3-nHn?(1)CCl2＝CCl2-mHm-1-CC3-n...

本發明公開了下述通式(2)所示的(甲基)丙烯酸含氟烷基酯的 制造方法，其特征在于，使下述通式(1)所示的含氟醇與(甲基)丙 烯酸與磺酰鹵在含有至少1種叔胺的堿的存在下反應。 Rf-(CH2)k-[-A-(CH2)1-]m-OH (...

在氧化鋁催化劑中，以氣相形式供應相對于氯化氫含０．００１摩爾％～１０摩爾％碳氟化合物的氯化氫混合物和甲醇進行反應，獲得含氯甲烷的反應氣體，從含氯甲烷的反應氣體分離氯甲烷，獲得精致氯甲烷。進而，使精制氯甲烷與氯氣反應獲得氯化氫與多氯代甲烷...

本發明提供了一種高次氯化甲烷類的制造方法，其中，在將低次氯化甲烷類和氯供給至反應器以制造高次氯化甲烷類時，相對于上述供給到反應器的低次氯化甲烷類以及氯的總供給量，將該低次氯化甲烷類以及氯中含有的總金屬成分的比例調整為５質量ｐｐｍ以下，并...

本發明提供一種可以不降低催化劑活性、對目標物的選擇率，而且可以減少所使用的貴金屬催化劑量，此外，在防止產生副產物的同時，可以用氫還原多氯化烷烴制備低級氯化烷烴的催化劑。本發明的多氯化烷烴還原用催化劑，是在多孔質載體粒子上負載至少一種選自...

本發明公開一種１位上可以用烷基取代的二鹵代金剛烷類的制造方法，是對１位上可以用烷基取代的金剛烷類順次添加相對于該金剛烷類１摩爾總計為５－１５摩爾的鹵磺酸，使其反應進而制造二鹵代金剛烷類的方法其包括對于該金剛烷類１摩爾，鹵磺酸的添加總計量...

本發明涉及混合以通式（１）（式中，Ｒ↑［１］是氫原子或者烷基）表示的金剛烷類和濃硫酸，將得到的混合液和鹵磺酸混合，來制造以通式（２）（式中，Ｒ↑［２］是烷基或者鹵原子，Ｒ↑［３］、Ｒ↑［４］和Ｒ↑［５］是氫原子或者鹵原子，但，Ｒ↑［２］...

本發明提供能夠減小反應阻礙因素的影響、使反應更加穩定的方法作為利用低氯代甲烷類的氯代制造高氯代甲烷類的方法的改良方法。在將低氯代甲烷類和氯供給至反應器中制造高氯代甲烷類時，相對于供給至該反應器的氯代甲烷類的總量，以２質量％以上的比例供給...

本發明公開了聚合性不飽和羧酸金剛烷基酯類的制造方法，其特征在于包含：在酸催化劑和阻聚劑的存在下，使聚合性不飽和羧酸和聚合性不飽和羧酸酐的混合物、與金剛烷醇類進行反應的酯化工序。按照本發明的制造方法，低聚物雜質的副產極少。

用叔丁基二甲基甲硅烷基等“與硅原子結合的取代基的碳原子總數為５－１２的取代甲硅烷基”對結合在３，９－二甲氧基－５－羥基苯并［ｃ］芴－７－酮等特定芴酮化合物上的羥基進行保護，然后使其與１－鋰菲等特定的有機金屬化合物反應進行螺環化，然后進行...

根據本發明公開了使１位可由烷基取代的金剛烷與鹵磺酸反應制造二鹵化金剛烷的方法，優選不存在有機溶劑下，在－５～１５℃的溫度進行第一段的一鹵化反應，然后在１７～３５℃的溫度進行第二段的二鹵化反應。

本發明提供烷基金剛烷基酯的分解抑制劑或保存穩定劑，其是由在分子中至少含有１個３～５員環的飽和雜環且具有從氧、氮、硫、硒和硅的組合中選出的至少１個雜原子的雜環化合物構成。

本發明公開了脂肪族二羧酸化合物的制造方法，是在三氟乙酸的存在下，使用亞硝酸鹽或硝酸鹽對與羥基鍵合的碳原子或構成羰基的碳原子至少結合一個亞甲基的脂肪族環狀仲醇化合物或脂肪族環狀酮化合物進行氧化的脂肪族二羧酸的制造方法，其特征在于在以前述三...

本發明的氯乙烯單體組合物的特征在于，在氯乙烯單體中以４５～２００質量ｐｐｍ的濃度含有氯代飽和烴。該氯乙烯單體組合物在制造聚氯乙烯時的聚合性優異，同時穩定地防止儲藏時的聚合，可以長期穩定地儲藏。

本發明的目的在于，提供使溶解來自光刻膠的有機物的含有氫氧化四烴基銨的顯像廢液與二氧化碳或含有二氧化碳的氣體在中和塔中逆流接觸，對該顯像廢液進行中和時，不會使中和塔內發生的氣泡積存在中和塔中，而可以有效地將其去除的上述顯像廢液的中和方法。...

本發明提供一種使含有氫氧化四烴基銨的顯像廢液與二氧化碳發生反應且將其中和的中和方法，該廢液是溶解有來自光刻膠的有機物的廢液，該中和方法有效防止在中和時在塔內發生光刻膠析出的情況造成的堵塞，在中和時析出的光刻膠容易過濾，能夠高效率將其去除...

本發明的氮化鋁接合體的制造方法是將氮化鋁燒結體彼此接合而成的氮化鋁接合體的制造方法，其特征在于，包括如下工序：在接合面上形成有氧化鋁層的兩個前述氮化鋁燒結體處于前述接合面相對并且在前述接合面之間存在包含堿土金屬化合物的糊劑層的狀態下，在...

本發明其特征在于，其為制造包含由氮化鋁燒結體構成的部件和高熔點金屬部件的接合體的方法，其中，該方法包括以下工序：工序（Ⅰ），在前述由氮化鋁燒結體構成的部件的接合預定面上形成氮化鋁的多孔質層；工序（Ⅱ），將含有氮化鋁和高熔點金屬的混合糊劑...

本發明提供一種金屬化陶瓷基板芯片的制造方法。其中，使原料基板的金屬配線圖案單元的至少一部分的厚度為０．１μｍ～５μｍ，使用切割輪在通過該部分的那樣的切斷預定線上形成槽，上述切割輪是沿著圓盤狀旋轉型輪的圓周部形成Ｖ字形的刀刃而形成的，上述...