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        北京智芯微電子科技有限公司專(zhuān)利技術(shù)

        北京智芯微電子科技有限公司共有1912項(xiàng)專(zhuān)利

        • 本發(fā)明公開(kāi)了一種輸電線路舞動(dòng)監(jiān)測(cè)方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品。該方法包括:獲取連續(xù)多幀輸電線路圖像,輸電線路上設(shè)置有至少一個(gè)間隔棒;將多幀輸電線路圖像依次輸入目標(biāo)檢測(cè)模型,得到每幀輸電線路圖像中的多個(gè)尺寸的間隔棒檢測(cè)框,其中,目標(biāo)檢測(cè)模...
        • 本發(fā)明公開(kāi)了一種小區(qū)選擇方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和電子設(shè)備,涉及無(wú)線通信技術(shù)領(lǐng)域,所述小區(qū)選擇方法應(yīng)用于終端設(shè)備,包括:在未選擇小區(qū)的情況下,獲取所述終端設(shè)備的預(yù)設(shè)頻率范圍,在所述預(yù)設(shè)頻率范圍中,根據(jù)小區(qū)選擇頻率優(yōu)先級(jí)確定第一目標(biāo)頻率;根據(jù)...
        • 本公開(kāi)涉及電力物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及公開(kāi)了一種基于車(chē)載終端的車(chē)輛狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì),該方法包括:實(shí)時(shí)獲取電力特種車(chē)輛對(duì)應(yīng)的k個(gè)性能參數(shù);將獲取的k個(gè)性能參數(shù)輸入預(yù)先訓(xùn)練好的預(yù)測(cè)模型的輸入層,得到輸入層輸出的k個(gè)步長(zhǎng)為m...
        • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制作方法,屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括:基底;鰭式結(jié)構(gòu),位于基底上;鰭式結(jié)構(gòu)包括沿第一方向連接的第一鰭式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二鰭式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),第一鰭式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括漏極區(qū)和漂移區(qū),第二鰭式半...
        • 本發(fā)明公開(kāi)了一種RFID標(biāo)簽芯片及其電源管理方法,涉及射頻技術(shù)領(lǐng)域,RFID標(biāo)簽芯片包括:射頻天線,適于接收高頻電磁波信號(hào)或超高頻電磁波信號(hào);高頻模擬電路與高頻數(shù)字電路,高頻模擬電路被配置為對(duì)高頻電磁波信號(hào)進(jìn)行解調(diào),并在接收到高頻電磁波...
        • 本發(fā)明涉及電子核心產(chǎn)業(yè)中集成電路設(shè)計(jì)和制造等領(lǐng)域,尤其涉及一種引線鍵合的封裝芯片及其制備方法。本發(fā)明引線鍵合的封裝芯片包括:基板,其上設(shè)置有M個(gè)基板電感引腳,M≥1;裸芯片,貼裝于基板上,其上設(shè)置有N個(gè)芯片電感焊盤(pán),N≥2;其中,基板電...
        • 本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種光伏充放電數(shù)據(jù)測(cè)量方法和光伏充放電控制器,該方法包括:基于電池在額定電壓下的最小功率,確定計(jì)量模塊在預(yù)設(shè)更新時(shí)間下輸出的最小單位的電能量值、以及計(jì)量模塊計(jì)量的更新門(mén)限值;根據(jù)更新門(mén)限值控制計(jì)量模塊對(duì)自身的第一采樣端...
        • 本發(fā)明提供一種多功能器件、芯片、多功能器件控制方法和裝置,屬于芯片技術(shù)領(lǐng)域。多功能器件包括:信號(hào)感知單元,用于采集光信號(hào)和/或熱信號(hào),包括相變器件、與相變器件的第一側(cè)連接的第一電極以及與相變器件的第二側(cè)相連接的第二電極;磁存儲(chǔ)單元,用于...
        • 本發(fā)明提供一種配電網(wǎng)故障搶修方法、裝置、系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,屬于應(yīng)急供電技術(shù)領(lǐng)域。方法包括:接收多個(gè)車(chē)載終端發(fā)送的狀態(tài)信息;基于故障位置和每個(gè)應(yīng)急電源車(chē)的車(chē)輛位置,確定每個(gè)應(yīng)急電源車(chē)到故障位置的到達(dá)時(shí)間;基于故障類(lèi)型、故障搶修時(shí)間、到達(dá)時(shí)間...
        • 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于節(jié)點(diǎn)間近距離通信感知的基站定位服務(wù)增強(qiáng)方法,具體包括以下步驟:在基站覆蓋范圍的邊緣區(qū)域部署通感設(shè)備,并預(yù)先對(duì)齊基站與通感設(shè)備的測(cè)量坐標(biāo)系;將通感設(shè)備接入基站,提供初步定位服務(wù),獲取初步定位參數(shù);定位目標(biāo)根據(jù)與基站的位...
        • 本發(fā)明公開(kāi)了一種器件模型的仿真方法、系統(tǒng)、裝置、電子設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì),涉及半導(dǎo)體、器件模型等技術(shù)領(lǐng)域,器件模型信息設(shè)置于目標(biāo)對(duì)象中,器件模型的仿真方法應(yīng)用于仿真軟件,仿真軟件包括工藝參數(shù)配置窗口,仿真方法包括:通過(guò)工藝參數(shù)配置窗口接收工藝...
        • 本公開(kāi)涉及配電網(wǎng)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種分布式能源聚合管控方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及芯片,所述分布式能源聚合管控方法,包括:在滿足第一資源調(diào)控條件時(shí),群體層從其下屬的子群層中選擇出最適配子群并向其發(fā)送第一調(diào)控指令;最適配子群接收到所述第一調(diào)...
        • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法,屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括:基底;鰭式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),位于所述基底上;所述鰭式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括源極區(qū)、體區(qū)、漏極區(qū)、漂移區(qū)和第一埋層區(qū),所述漂移區(qū)、所述體區(qū)和所述源極區(qū)沿第一方向...
        • 本發(fā)明涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種電能計(jì)量芯片、計(jì)量方法和終端設(shè)備,該芯片包括:N路數(shù)據(jù)采樣模塊,用于采集電力系統(tǒng)的M個(gè)支路的電氣參數(shù);時(shí)鐘頻率配置模塊,用于根據(jù)支路數(shù)M配置計(jì)量模塊的時(shí)鐘頻率;計(jì)量模塊,用于根據(jù)時(shí)鐘頻率對(duì)M個(gè)支路的電氣...
        • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種芯片封裝方法及芯片,屬于芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域。芯片封裝方法包括:對(duì)第一目標(biāo)晶圓進(jìn)行晶圓測(cè)試,確定第一目標(biāo)晶圓上的各待封裝芯片的功耗測(cè)試值;根據(jù)所述功耗測(cè)試值的大小將各待封裝芯片劃分為多個(gè)芯片組,并依據(jù)各所述芯片組的功耗范圍計(jì)...
        • 本發(fā)明公開(kāi)了一種自適應(yīng)信道接入方法,具體包括以下步驟:步驟1、偵聽(tīng)階段:監(jiān)測(cè)免授權(quán)頻段的信道能量和業(yè)務(wù)標(biāo)簽,識(shí)別當(dāng)前業(yè)務(wù)類(lèi)型并分配業(yè)務(wù)優(yōu)先級(jí)權(quán)重;步驟2、決策階段:通過(guò)動(dòng)態(tài)能量檢測(cè)閾值計(jì)算搶占因子,基于搶占因子判斷是否觸發(fā)信道搶占;步驟...
        • 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于目標(biāo)時(shí)空?qǐng)D神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的配電網(wǎng)故障定位方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品。該方法包括:獲取配電網(wǎng)中各節(jié)點(diǎn)的空間連接狀態(tài)矩陣和各節(jié)點(diǎn)在預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)電壓數(shù)據(jù);對(duì)所述配電網(wǎng)中各節(jié)點(diǎn)在預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)電壓數(shù)據(jù)進(jìn)行重構(gòu),得到各節(jié)點(diǎn)的重構(gòu)電壓...
        • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種硬盤(pán)防護(hù)方法、裝置、電子設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì),屬于硬盤(pán)存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域,該方法包括:在硬盤(pán)被使用時(shí),通過(guò)運(yùn)行硬盤(pán)的隱藏區(qū)中的硬盤(pán)管理工具對(duì)硬盤(pán)進(jìn)行解密,解密后觸發(fā)對(duì)硬盤(pán)的第一安全等級(jí)分區(qū)的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)的動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè),若持續(xù)預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)閾值沒(méi)有...
        • 本發(fā)明公開(kāi)了一種涉及射頻識(shí)別技術(shù)領(lǐng)域的射頻卡的安全認(rèn)證方法、裝置、電子設(shè)備、介質(zhì)和芯片,所述方法包括:響應(yīng)于讀卡器發(fā)出的認(rèn)證指令,生成第一隨機(jī)數(shù);確定與需求認(rèn)證速率相匹配的目標(biāo)檢測(cè)方法;根據(jù)所述目標(biāo)檢測(cè)方法對(duì)所述第一隨機(jī)數(shù)的隨機(jī)性進(jìn)行檢...
        • 本發(fā)明提供一種雙極性晶體管的增益仿真方法及增益仿真裝置,屬于半導(dǎo)體器件電學(xué)特性仿真領(lǐng)域。所述方法包括:在仿真工具中調(diào)用仿真命令,在雙極性晶體管的基極施加電壓,使得雙極性晶體管的發(fā)射結(jié)正向偏置;設(shè)置掃描模式為準(zhǔn)靜態(tài)電流掃描模式,在雙極性晶...
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