本發明涉及半導體技術領域，提供一種LDMOSFET器件及制造方法、芯片。所述器件包括：襯底、體區、漂移區、第一淺槽隔離區、源區、漏區和柵極結構，體區和漂移區形成于襯底，第一淺槽隔離區形成于漂移區內，源區形成于體區的表面，漏區形成于漂移區...

本公開涉及神經網絡技術領域，具體涉及一種基于RISC?V架構的神經網絡處理器、方法、裝置、設備及介質，所述處理器包括指令緩存區、取指單元、譯碼單元、控制單元、通用寄存器、算術邏輯單元、特征數據寄存器、權重數據寄存器、卷積運算單元、激活運...

本發明涉及半導體技術領域，提供一種LDMOSFET器件及制造方法、芯片。所述器件包括：襯底、體區、漂移區、源區、漏區、場氧化層和柵極結構，柵極結構包括第一多晶硅層、第二多晶硅層以及ONO介質層；第一多晶硅層嵌入體區內，第二多晶硅層嵌入漂...

本發明涉及通信技術領域，提供一種通信解碼方法及裝置、通信系統、計算機設備。所述方法包括：將發射機與接收機之間約定的周期的N倍作為采樣周期，對接收到的波形信號進行依次采樣得到采樣數據，其中N為預設值，且N為大于1的整數；將采樣數據劃分為N...

本發明公開了一種供電狀態檢測方法、裝置、智能終端、電源車及存儲介質，涉及電力物聯網技術領域。通過應急電源車上的車載智能終端，采集供電臺區的歷史負荷數據和電力應急電源車的發電性能數據；將歷史負荷數據輸入基于多級回聲狀態網絡的負荷預測模型，...

本公開涉及半導體集成電路技術領域，具體涉及一種三維霍爾元件及其制備方法、電子器件、芯片和電子設備。三維霍爾元件包括：襯底；第一摻雜區；在第一摻雜區中形成的電源激勵電極、垂直霍爾電極和平面霍爾電極，電源激勵電極具有溝槽電極結構，電源激勵電...

本發明提供一種MIMO信道的預編碼反饋方法、裝置和電子設備，屬于通信技術領域。方法包括：控制接收端對MIMO的信道矩陣進行奇異值分解，得到V矩陣；將V矩陣轉換成或的更新V矩陣；其中，θ為第一角度，Φ為第二角度，i為虛數單位；控制接收端計...

本發明公開了一種電能質量調控方法、裝置、設備、介質及程序產品。該方法包括：獲取調控節點的配電網觀測數據；將配電網觀測數據輸入多智能體深度強化學習模型，獲得電能質量調控動作；其中，多智能體深度強化學習模型基于馬爾可夫決策過程做出決策；多智...

本申請實施例提供了一種虛擬電廠協同控制方法、系統及電子設備，涉及配電物聯網技術領域。其中方法包括：獲取控制目標；根據全局狀態參數的歷史數據計算波動系數，確定不確定集合；基于所述不確定集合建立魯棒優化模型，求解所述魯棒優化模型得到魯棒目標...

本申請涉及集成電路設計技術領域，特別涉及一種功率器件的動態電流預測方法及裝置，其中，方法包括：基于脈沖I?V與雙脈沖平臺進行同步多通道采集并進行數據預處理；通過一維卷積提取局部瞬態與振蕩特征，雙層LSTM建模時序依賴與記憶關系，端到端回...

本發明涉及半導體器件仿真技術領域，提供一種功率半導體器件中多物理場耦合效應仿真方法及裝置。所述方法包括：基于功率半導體器件的幾何模型，確定功率半導體器件中多個物理場的熱傳導和漂移擴散方程組；根據多個物理場之間的耦合關系確定多個物理場之間...

本申請公開了一種隔離變壓器、雙有源橋變換電路及芯片，屬于集成電路技術領域。所述隔離變壓器包括層疊且間隔設置的多層電感線圈；所述多層電感線圈包括至少兩層第一電感線圈和至少一層第二電感線圈；所述至少兩層第一電感線圈相并聯，構成原側電感；所述...

本公開涉及存儲技術領域，具體涉及一種雙工藝存儲單元及其制備方法、雙工藝存儲單元陣列、雙工藝存儲器和芯片。雙工藝存儲單元包括基于兩種不同工藝的第一存儲單元和第二存儲單元。第一存儲單元的抗磁場干擾能力小于第二存儲單元，抗擦寫能力大于第二存儲...

本發明提供一種多指GGNMOS器件及制造方法、芯片，屬于半導體集成電路技術領域。所述多指GGNMOS器件包括：襯底、形成于襯底的體區和襯底接口、以及形成于體區表面的多個源區、多個漏區和多個柵極，源區、柵極以及襯底接口均接地，多個源區、多...

本公開涉及數字電路技術領域，具體涉及公開了一種降低峰值電流的方法、裝置、設備、介質及數字電路，該方法包括：獲取目標電路的最大瞬時峰值電流的峰值時刻；對目標電路進行靜態時序分析，獲取目標電路中每條路徑的到達時間和要求時間，并將要求時間減去...

本發明提供一種GGNMOS器件及制造方法、芯片，屬于半導體集成電路技術領域。所述GGNMOS器件包括：襯底、形成于襯底的體區和襯底接口、以及形成于體區表面的源區、漏區和柵極，襯底接口、源區以及柵極均接地，還包括：形成于襯底接口與源區之間...

本申請提供一種基于融合終端的儲能系統調控方法、裝置及終端設備，涉及配電物聯網技術領域，方法包括：通過目標融合終端獲取目標臺區在指定時段內的環境參數及歷史負荷，以環境參數及歷史負荷為輸入，經預訓練的負荷預測模型得到目標臺區的預測負荷；獲取...

本發明提供一種多指GGNMOS器件及制造方法、芯片，屬于半導體集成電路技術領域。多指GGNMOS器件包括：襯底、形成于襯底的熱擴散阱區、形成于熱擴散阱區表面的多個源區、多個漏區和多個柵極，以及形成于熱擴散阱區兩端的襯底接口，多個源區、多...

本公開涉及神經網絡處理器技術領域，具體涉及一種神經網絡處理器、控制方法、裝置、設備及介質，神經網絡處理器包括數據預處理單元、重構互聯網絡單元及處理單元陣列，數據預處理單元被配置為接收待處理數據，劃分為多批并逐批傳輸到重構互聯網絡單元；重...

本發明提供一種電子標簽的生產方法、裝置和系統，屬于無線通信技術領域。方法包括：控制電子標簽的閱讀器中的第一安全芯片與認證UKey進行外部安全認證，以使所述閱讀器獲取第一安全芯片中標簽根密鑰的使用權限；控制第一設備發送寫指令至所述閱讀器；...