該發明屬于光電子器件中的液晶光楔器件，包括由兩內側面均帶導電層和取向層的上、下透明基板、平行設于兩透明基板取向層兩端之間的高度不同的兩排間隔子，以及將兩透明基板及其上的導電層、取向層和間隔子封裝成楔子形腔體的殼體，設于腔體內的楔子形液晶...

本發明公開了一種接收機鐘差預測方法。本發明針對現有的接收機鐘差預測僅采用某一種預測方法往往效果不夠理想、預測精度不高的問題，通過對接收機鐘差序列進行小波分解與重構，得到低頻序列與高頻序列；然后對低頻序列采用灰色模型進行建模預測，對高頻序...

本發明公開了一種樹形拓撲的同層域內互聯結構的實現方法，該方法所得的互聯結構解決了樹形結構的一些不足，能夠達到比樹形結構更小的平均跳數、更強的容錯保護，以及使用更少的額外交換節點和鏈路。同時，胖樹結構可以看作是多棵單樹結構的重疊，本發明的...

本發明公開了一種白光有機電致發光器件，包括襯底、陽極層、陰極層、設置在陽極層和陰極層之間的有機功能層，有機功能層包括空穴傳輸兼藍色熒光發光層、能量傳遞兼限制層、互補磷光發光層、能量傳遞層和電子傳輸層，以高效互補磷光材料代替紅、綠色磷光材...

本發明公開了一種以量子阱結構作發光層的有機電致發光器件，發光層采用單個或多個量子阱結構，所述量子阱結構為：主體材料層/客體材料層/主體材料層，所述單個量子阱結構厚度不超過7nm，單層主體材料層厚度不超過3nm，單層客體材料層厚度不超過1...

本發明公開了一種邊界網關協議前綴劫持攻擊防范方法，首先建立按照IP前綴和AS號碼的分層分配系統來分配PKI，分配基于IP前綴和基于AS號碼的兩種PKI，兩種PKI中分別包含IP前綴分配證明和AS號碼分配證明，PKI根據IP前綴和AS號碼...

本發明公開了一種改善有發光器件出光效率的基板制備方法，是將有機發光器件基板邊緣剖面形狀進行加工處理，增加一層對有機材料發光高反射的薄膜，改變原側壁出射光的角度，使其在發光正面輸出，提高器件的發光效率。本方法的整個制作工藝流程簡單，并且完...

本發明公開了一種提升光輸出效率的有機發光器件，包括透明基板、第一電極層、有機發光層和第二電極層，所述第一電極層形成于透明基板上，有機發光層設置于第一電極層上，第二電極層形成于所述有機發光層上，其特征在于，還包括一有提升光輸出效率的結構：...

本實用新型公開了一種漏泄同軸電纜，包括：電纜外導體、電纜內導體、電纜絕緣層、電纜開縫，電纜內導體位于漏泄同軸電纜的最里面，電纜絕緣層包圍著電纜內導體，電纜絕緣層的外圍是電纜外導體，還包括控制電纜、控制二極管對、控制電纜連線，電纜開縫開在...

一種電致變色器件及其制備方法，屬于功能材料及器件技術領域。本發明提供的電致變色器件包括四層結構，從上往下依次是透明上電極(1)、電致變色薄膜(2)、吸附了電解液的多孔薄膜材料(3)和透明下電極(4)；其中電致變色薄膜(2)為一層不依托襯...

一種集成封裝的射頻前端系統，屬于電子技術領域。本發明提供的集成封裝的射頻前端系統天線和射頻電路采用垂直多層結構形式封裝，在天線結構和射頻前端電路之間采用垂直直流偏置網絡實現射頻電路的直流饋電和交流隔離，能夠在滿足系統電磁兼容特性要求的前...

本發明提供了一種用于染料敏化太陽能電池的有機染料及其制備方法，屬于有機高分子材料技術領域，涉及染料敏化太陽能電池技術。所提供的有機染料以吩噻嗪-三苯胺為聯級電子給體，屬于D-D-π-A結構的分子，是一類含有吩噻嗪-三苯胺聯級供電子基的新...

一種有機-無機復合電致變色材料的制備方法，屬于功能材料技術領域，涉及電致變色材料技術，尤其是有機-無機復合電致變色材料的制備方法。在ITO玻璃上預先附著一層PS(聚苯乙烯)球，然后通過電化學方式在聚苯乙烯球間隙沉積無機氧化物電致變色材料...

微波等離子體汽車發動機點火器，屬于微波應用技術領域，涉及汽車發動機點火裝置。本發明提供了七種不同結構的微波等離子體汽車發動機點火器，利用四分之一同軸諧振腔的末端電壓幅度最大的電磁學原理，在激發器末端實現極高的電場強度，內導體末端的尖端結...

本發明涉及一種I2C總線接口電路模塊及其控制方法。所述I2C總線接口電路模塊包括總線二級緩沖輸入單元、總線開始/停止信號檢測單元、時鐘總線同步單元、輸入數據串并轉換單元、地址判斷單元、讀/寫模式選擇單元、輸出數據并串轉換單元、三態輸出單...

本發明公開了一種TIADC系統通道誤差聯合估計及實時校正方法，對輸入頻率為f0的單音信號進行采樣，得到系統各通道采樣序列xk(n)，k＝0，1，L?M-1，對拼接還原為單音信號的采樣數據x(n)進行FFT變換，FFT變換結果中，在頻率為...

本實用新型涉及一種I2C總線接口電路模塊。所述I2C總線接口電路模塊包括總線二級緩沖輸入單元、總線開始/停止信號檢測單元、時鐘總線同步單元、輸入數據串并轉換單元、地址判斷單元、讀/寫模式選擇單元、輸出數據并串轉換單元、三態輸出單元、主機...

使用高介電常數柵介質的耐壓器件，涉及半導體功率器件。本發明包括襯底，外延區，源極注入區，溝道注入區，漏極注入區，漂移區，柵極，P+注入區，源極，漏極，源極注入區，溝道注入區，漏極注入區，漂移區，P+注入區構成第一層，還包括由高介電常數介...

本發明提供了一種在衛星通信中運用于拋物面天線等天線系統中的Ku/Ka頻段線圓極化一體化收發饋源天線。它采用同軸嵌套的緊湊結構，同時工作于Ku、Ka頻段。該饋源的基本結構包括加載尖錐狀介質桿的圓波導、法蘭盤、同軸波導、對稱的SMA接頭對、...

本發明提供一種SOI橫向MOSFET器件和集成電路，所述器件中，有源層(3)包括分別位于有源層(3)的表面并且相互分離的體區(9)和漏區(12)、以及位于體區(9)的表面并且從靠近漏區(12)的一側起按順序設置的平面柵溝道區(14')、...