本發(fā)明公開了一種三結(jié)疊層太陽能電池及制備方法，屬于光伏發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域。該電池自下而上依次為大絨面晶硅底電池、第一互連層、中間帶隙鈣鈦礦子電池、第二互連層、寬帶隙鈣鈦礦頂電池；寬帶隙鈣鈦礦頂電池由寬帶隙空穴傳輸層、埋底界面修飾層、寬帶隙鈣鈦...

一種襯底集成微波導(dǎo)環(huán)行器及其制備方法，屬于微波器件與集成電路制造領(lǐng)域。環(huán)形器包括集成襯底、平面化矩形波導(dǎo)和旋磁片，集成襯底包括位于六邊形功能區(qū)和的輸入輸出端口區(qū)；三組貫穿槽位使六邊形功能區(qū)形成三個(gè)互成120°的邊長區(qū)域；輸入輸出端口區(qū)包...

本發(fā)明公開了一種預(yù)掃描選距與自適應(yīng)螺旋掃描實(shí)時(shí)SAR成像方法及系統(tǒng)，屬于雷達(dá)信號處理技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：通過多行預(yù)掃描與逐元素平均獲得平均預(yù)掃描回波幀數(shù)據(jù)，基于能量與方差特征自動確定目標(biāo)距離單元；以用戶指定起始點(diǎn)為中心生成自適應(yīng)中心外...

本發(fā)明提供了一種新型平面柵碳化硅MOSFET器件，屬于半導(dǎo)體功率技術(shù)領(lǐng)域。該器件包括：漏極金屬、N型重?fù)诫s襯底、N型緩沖層、N型耐壓層、電流拓展區(qū)、P型基區(qū)、P型重?fù)诫s區(qū)、N型重?fù)诫s區(qū)、柵極介質(zhì)層、N型重?fù)诫s多晶硅柵、N型輕摻雜多晶硅柵...

本發(fā)明屬于光電化學(xué)水分解光電極材料制備技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種擇優(yōu)取向的Ta3N5光陽極及其制備方法。此方法利用電子束蒸發(fā)系統(tǒng)與高溫氮化法，在Nb基底上形成特定取向的Ta3N5誘導(dǎo)層，并在此基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)主體Ta3N5薄膜的取向延續(xù)生長。通過調(diào)...

本發(fā)明屬于無線通信技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種SIM使能的大規(guī)模MIMO通信系統(tǒng)。本發(fā)明系統(tǒng)采用單射頻鏈路發(fā)射機(jī)架構(gòu)，通過SIM替代傳統(tǒng)天線陣列和單層可重構(gòu)智能表面，能夠在多用戶通信場景下實(shí)現(xiàn)高效的信號傳輸。具體而言，堆疊式智能超表面通過對入...

本發(fā)明屬于微波電真空器件設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于智能協(xié)同優(yōu)化的帶狀注電子槍設(shè)計(jì)方法。該方法包括：S1、根據(jù)設(shè)計(jì)目標(biāo)從數(shù)據(jù)庫選取初始模型；S2、通過CST與MATLAB聯(lián)合仿真平臺建立模型并提取電子注性能參數(shù)；S3、計(jì)算目標(biāo)評價(jià)函數(shù)...

一種基于小波變換的頻域知識蒸餾方法，屬于人工智能及深度學(xué)習(xí)技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的方法在訓(xùn)練過程中，獲取教師模型的教師特征圖和學(xué)生模型的學(xué)生特征圖；采用小波變換將所述特征圖分解為高頻分量和低頻分量；提取并拼接所述高頻分量，以構(gòu)建教師模型和學(xué)生...

本發(fā)明涉及三維點(diǎn)云處理與數(shù)字林業(yè)技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種面向低密度森林點(diǎn)云的木質(zhì)結(jié)構(gòu)提取方法。本發(fā)明針對森林點(diǎn)云中樹干與枝條等木質(zhì)結(jié)構(gòu)與葉片結(jié)構(gòu)混合分布、點(diǎn)云密度較低且局部鄰域點(diǎn)數(shù)不足導(dǎo)致傳統(tǒng)固定尺度特征不穩(wěn)定、難以可靠分離木質(zhì)與葉片的難題...

本發(fā)明公開一種電網(wǎng)電壓快速調(diào)節(jié)和穩(wěn)定控制方法，涉及電力系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域，解決現(xiàn)有技術(shù)在面對大規(guī)模風(fēng)能等可再生能源的波動時(shí)，通常無法快速響應(yīng)并調(diào)整控制策略的技術(shù)問題；本發(fā)明包括采集信息構(gòu)建電網(wǎng)狀態(tài)向量，并計(jì)算電網(wǎng)節(jié)點(diǎn)的電壓穩(wěn)定裕度；用節(jié)點(diǎn)特征...

本發(fā)明涉及功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種抗單粒子輻照效應(yīng)的IGBT器件及其制備方法，通過第二溝槽底部設(shè)置P型埋層區(qū)，有效削弱了溝槽底部的強(qiáng)電場；同時(shí)，P型埋層提供了額外的空穴通路，加速高能粒子入射后產(chǎn)生的瞬態(tài)電子—空穴對的抽取過程，從...

本發(fā)明公開了一種用于大面積AI芯片封裝的分區(qū)功能化底部填充膠及制備方法，屬于電子封裝材料技術(shù)領(lǐng)域。所述分區(qū)功能化底部填充膠沿芯片貼合面由內(nèi)至外依次劃分為中心區(qū)域、過渡區(qū)域和邊緣區(qū)域。中心區(qū)域采用雙酚F?萘型環(huán)氧樹脂復(fù)配AlN@BN核殼填...

本發(fā)明公開了一種基于耦合輻射傳輸模型的冠層葉片可燃物載量反演方法及系統(tǒng)，屬于遙感反演技術(shù)領(lǐng)域。方法包括：構(gòu)建兩層輻射傳輸耦合模型，通過嵌套方式表征垂直異質(zhì)冠層光譜響應(yīng)；進(jìn)行參數(shù)敏感性分析與生態(tài)規(guī)則約束預(yù)處理，篩選核心參數(shù)并基于植被參數(shù)協(xié)...

本發(fā)明涉及一種基于二氧化釩的熱管理增強(qiáng)型射頻開關(guān)及其制備方法，屬于微波技術(shù)領(lǐng)域。所述射頻開關(guān)包括自下而上依次設(shè)計(jì)的基底、處在基底上的基底隔離層、處在基底隔離層上的下加熱電極層、處在下加熱電極層上的下電極隔離層、處在下電極隔離層上的二氧化...

本發(fā)明公開了一種基于迭代反卷積的量子糾纏光空間關(guān)聯(lián)成像方法，屬于量子信息領(lǐng)域，方法包括以下步驟：采用位置?動量糾纏光源照射目標(biāo)樣本，攜帶樣本信息的糾纏光由單光子相機(jī)進(jìn)行多幀采集；對采集的多幀圖像進(jìn)行統(tǒng)計(jì)運(yùn)算，去除不相關(guān)的背景噪聲，獲取樣...

本發(fā)明提供一種用于自生成負(fù)極鋰金屬電池的改性集流體、鋰金屬電池，屬于鋰金屬電池技術(shù)領(lǐng)域。該改性集流體通過在銅箔表面引入納米級厚度的Ge非晶薄膜，使其在首次鋰沉積過程中原位轉(zhuǎn)化為均勻、致密的金屬間化合物層，且合金化速度快，從而顯著降低鋰成...

本發(fā)明屬于雷達(dá)反干擾策略生成領(lǐng)域，具體提供一種基于AHC的雷達(dá)反干擾決策模型評估方法，解決現(xiàn)有評估體系靜態(tài)化、維度單一、魯棒性考量不足等問題。本發(fā)明構(gòu)建了目標(biāo)層?準(zhǔn)則層?指標(biāo)層的三級結(jié)構(gòu)，覆蓋效能、效率、魯棒性三大核心維度，新增干擾類型...

本發(fā)明提供了一種抵御惡意服務(wù)器的深度學(xué)習(xí)安全驗(yàn)證與隱私計(jì)算方法，包括：承諾與準(zhǔn)確性驗(yàn)證步驟，服務(wù)器對模型參數(shù)進(jìn)行承諾并通過零知識證明向客戶端證明所承諾模型在指定測試集上的準(zhǔn)確性滿足預(yù)設(shè)閾值；安全推理步驟，雙方基于認(rèn)證秘密分片和針對固定惡...

本發(fā)明涉及圖像處理技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于深度學(xué)習(xí)的工廠煙霧早期監(jiān)測預(yù)警方法及系統(tǒng)；根據(jù)視頻幀中相同位置的色彩差異特征、鄰域差異特征獲得綜合差異程度；根據(jù)綜合差異程度獲得第一像素點(diǎn)和第二像素點(diǎn)；對第二像素點(diǎn)與前一視頻幀中相同位置的像素...

一種磁化動力學(xué)參數(shù)和磁彈耦合系數(shù)測試方法及系統(tǒng)，屬于磁性材料測試技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過向含待測磁致伸縮薄膜的雙端口聲表面波延遲線施加外磁場，待測磁致伸縮薄膜的剪切模量發(fā)生改變，使得聲表面波波速發(fā)生色散，進(jìn)而導(dǎo)致延遲線相位變化。待測磁致伸縮...