本發明公開一種基于高功率頻率倍增器的D波段FMCW雷達收發前端，涉及雷達通信技術領域，解決現有太赫茲FMCW雷達收發前端在高頻條件下存在的輸出功率不足、接收噪聲較高、信號傳輸損耗大以及頻譜純度控制困難等技術問題；本發明包括啁啾信號發生器...

本發明公開了一種基于深度學習的水聲信道線性調頻參數優化與檢測方法，屬于水聲通信領域。針對水聲信道中殘余時間縮放特性引入非均勻多普勒頻移而導致系統性能下降的問題，本發明提出通過深度學習自適應優化AFDM系統的線性調頻參數，無需依賴難以獲取...

本發明屬于功率器件技術領域，具體的說是涉及一種改善SiC?SJ?VDMOS電荷不平衡影響的方法。本發明的方法通過降低超結底部的NP柱的摻雜濃度，得到一種新的SJ?VDMOS器件。本發明能有效降低超結器件P柱中線最下方的電場強度，導致該超...

本發明屬于模擬集成電路設計領域，具體為一種常開電流源開關毛刺補償的電流舵單元電路。本發明基于常開型電流源并融合開關毛刺補償概念，改進了常開電流源的開關控制邏輯，將其復用為冗余補償電流源：當從上一周期切換至當前周期時，若主電流源開關發生切...

本發明公開了一種關系導向注意力網絡的時序知識圖譜補全方法，屬于時序知識圖譜技術領域，具體將時序知識圖譜中與實體相關的事件按時間重構為關系多鏈，根據待補全查詢中的已知實體和時間戳，生成實體?時間映射矩陣，將目標關系和關系多鏈中關系的嵌入向...

本發明提供了一種基于雙層協同耦合的吸透一體頻率選擇吸波器及應用，屬于功能材料技術領域。該結構包括損耗層和帶通頻率選擇表面層，兩層之間設置有空氣層。所述損耗層包括第一介質襯底及其上、下表面的工字型衍生圖案第一、第二層金屬貼片，所述第一、第...

一種多級變步進自適應過零檢測電路，屬于集成電路設計領域。本發明通過時域量化分辨多種狀態，并根據不同狀態做出相應調整，實現了“關斷過早則大步快跑，關斷較早則小步輕挪，關斷及時則鎖定不動”的控制策略，既顯著縮短了環路收斂時間，又可以兼顧穩態...

本發明涉及傳感器技術領域，提供了一種應變?壓力傳感器的制備方法、監測裝置及監測方法，所述基于應變?壓力傳感器的監測裝置包含至少一個均勻分布設置的應變?壓力傳感器和信號采集電路模塊、信號處理模塊，應變?壓力傳感器根據不同生理狀態產生第一電...

本發明公開了一種基于單分子原位聚合的復合鋅負極及其制備方法和應用，復合鋅負極由自下而上依次設置的底部鋅金屬層和頂部修飾層組成；底部鋅金屬層為鋅金屬薄膜；頂部修飾層為富勒烯基聚合物薄膜；富勒烯基聚合物薄膜為富勒烯基分子聚合得到的交聯網狀薄...

本申請涉及一種基于動態數據驅動及一致性約束的域自適應目標檢測方法，屬于目標檢測技術領域。該方法包括：構建含教師——學生網絡的目標檢測模型，輸入帶標注源域圖像和無標注目標域圖像；計算由語義上下文一致性損失和預測分布一致性損失構成的語義預測...

本申請涉及管道檢測技術領域，提供一種基于自監督學習的多模態管道異常檢測方法，包括：獲取多模態時序數據，多模態時序數據至少包括磁漏信號及渦流信號；將多模態時序數據輸入至特征提取網絡處理，通過特征提取網絡執行下一時刻預測的自監督學習任務，以...

本發明提供一種含過渡金屬硫化物的全固態鋰硫電池正極的制備方法，屬于全固態鋰硫電池技術領域。該方法首先通過球磨和密封熔融滲透復合制備碳/硫復合材料，隨后采用“兩段球磨、分級加入”的混合策略：在第一階段以中等能量使過渡金屬硫化物與碳/硫復合...

本發明公開了一種內鏡視覺與慣性導航的腦室鏡器械協同路徑規劃系統，涉及醫療手術路徑規劃領域，具體包括：數據融合模塊，融合視覺與編碼器信息獲得器械末端連續運動軌跡；運動分解模塊，檢測運動突變點并分割為基本操作單元；手術意圖識別模塊，通過雙層...

本發明屬于功率半導體技術領域，具體為一種抗中子輻射的IGBT器件及制備方法，器件包括自下而上依次設置的重摻雜P區、場截止區、N型漂移區、表面源區結構、層間介質層和金屬層；所述表面源區結構中設有第一溝槽和第二溝槽，第一溝槽和第二溝槽之間形...

本發明提供了一種基于單分子鍵合修飾的復合鋅負極，其包括底部鋅金屬層和頂部修飾層，所述修飾層指富勒烯基分子通過化學鍵合方式固定于鋅金屬表面所形成的單分子層。該復合鋅負極的制備方法包括：將富勒烯基分子溶解于選定溶劑中以配制溶液，通過液相成膜...

本發明公開了一種應用低熱導率陶瓷材料的回旋行波管高熱效率陰極，涉及真空電子器件領域。該陰極包括發射帶、前后成型極、底座、支撐組件、燈絲組件及陶瓷隔熱組件；陶瓷隔熱組件含氮化硅陶瓷筒、金屬支撐件及熱屏組件，陶瓷筒中空且設通孔，兩端金屬化后...

本發明屬于能源材料技術領域，涉及熱電材料，具體提供一種Zn/Ge共摻雜n型PbS基熱電材料及其制備方法，用以解決PbS基材料在近室溫區因晶格熱導率偏高、載流子濃度偏低導致的熱電性能受限的問題。本發明針對基體材料PbS0.5Se0.35T...

本發明公開了一種高靈敏度MEMS電阻?電容雙信號氫氣傳感器及其制備方法，屬于傳感器制備技術領域。該傳感器由片1和片2鍵合而成；片1由下至上依次包括：第1?1Au電極層、第1?1黏附層、第一硅襯底、第1?2黏附層、第1?2Au電極層、壓電...

本發明公開了一種超寬帶小型化垂直極化端射天線，屬于無線通信技術和雷達技術領域。該天線包括柱狀金屬載體、半模Vivaldi天線及PCB頂板；半模Vivaldi天線均勻布設于金屬載體外側，PCB頂板設于半模Vivaldi天線上方，二者垂直布...

本發明公開了一種基于旋轉輔助陣的交叉極化對消高極化純度波束形成方法，屬于陣列天線技術領域，旨在解決現有陣列天線波束極化純度低、交叉極化抑制算法復雜及大角度掃描交叉極化惡化問題。該方法應用于含主陣面和輔助陣面的陣列天線，先以主陣中心單元交...