定時早餐機，屬于家電領域，涉及一種半自動定時制作傳統早餐的機電裝置。包括可編程多通道時控器、洗米加米機電裝置、煲粥電飯鍋和蒸煮電飯鍋。通過可編程多通道時控器這個工作時序控制中心，為所述洗米加米機電裝置提供時控電源和控制信號，同時為所述煲...

該發明屬于射頻通信及微機電技術中的五位射頻微機電式移相器，包含ＣＰＷ信號線及其絕緣層、地線，ＭＥＭＳ孔板式金屬梁及彈性懸臂式支撐，比例電容，直流偏置電極及絕緣層，偏置導線組成的３１個ＭＥＭＳ開關，５個直流加載電極及連接導線，帶絕緣層的基...

一種固相反應超細銀粉的制備方法，屬于材料技術領域，涉及功能材料，尤其是微納米超細顆粒材料的制備。本發明采用固體硝酸銀和非金屬單質還原劑（抗壞血酸）為主反應物，添加抗氧化劑、表面活性劑和分散劑，并加入酸度劑調節，調節反應體系的酸度為堿性，...

一種數字式自適應死區時間控制電路，屬于電子技術領域，涉及集成電路技術和采用同步整流技術的功率變換及電機驅動電路。由鑒相器、Ｄ觸發器、可逆計數器、ｎ選１多路選擇器、（ｎ＋１）個延時單元、兩個低翻轉電平反相器、兩個普通反相器構成河一個或非門...

本發明涉及一種外均衡高溫超導線性相位濾波器。包括一個不具備線性相位特性的濾波器和與之連接的一個群時延均衡器，所述群時延均衡器由一個３ｄＢ電橋和兩個相同的一階反射式濾波器組成，射頻信號的輸入端位于不具備線性相位特性的濾波器上，輸出端位于３...

本發明涉及一種用于太赫茲波調制的超材料結構。包括：中心介質層，由對太赫茲波透明的聚乙烯材料構成，中心介質層的厚度小于入射的太赫茲波的十分之一波長；上表面光柵層，采用金屬材料，由位于中心介質層上表面的一系列呈周期性分布的平行柵格構成，每個...

本發明公開了一種偶極子聲波小信號處理裝置，前置接收模塊接收前端井下聲波換能器產生的聲波信號變成低輸出阻抗聲波信號，選出一個方向的聲波信號進行差分放大和低通濾波，輸出偶極波信號；同時，將四路Ｘ／Ｙ方向聲波信號進行反向相加，從而形成一路單極...

本發明請求保護一種視頻幀中基于三點共線標記點的三維定位方法，涉及計算機視覺與圖像處理技術。本發明針對現有基于平面標志物的跟蹤定位算法局限于平面物體，需要較大的可視平面的缺陷，提供一種基于三點共線標記的三維定位方法，獲取視頻幀中定位標記點...

該發明屬于微波電子器件中的一種高頻大功率微波薄膜電阻器，包括基片、設于基片上的輸入導電接點及與之連接的并具有阻抗匹配功能的功率分配電路，與分配電路各輸出端連接且并聯設置的電阻膜組，分別與各電阻膜的輸出端連接的導電接點，接地膜。該薄膜電阻...

一種大規模通信網仿真模型的構建及仿真方法，屬于通信技術領域，涉及通信網技術。本發明根據真實網絡中各網絡單元（路由器）的地理位置、連接關系以及相互間業務量的大小，將真實網絡劃分為多個相對獨立的“區域”和“子區域”；采用一臺服務器作為一個模...

本發明屬于通信技術領域，具體涉及一種激光光波通信和毫米波通信復合共用的反射式收發合一天線。所述天線包括天線主鏡、復合副鏡、天線筒和毫米波波導；天線主鏡與復合副鏡共軸安裝于天線筒的兩端，天線主鏡具有一個中心光闌；毫米波波導緊靠在復合副鏡的...

一種（２００）擇優取向硫化鉛薄膜的制備方法，屬于電子材料技術領域，涉及半導體光電薄膜及紅外光電探測器，具體是指采用化學浴沉積法制備用于近紅外光電探測器的（２００）擇優取向的硫化鉛薄膜的方法。本發明采用化學浴沉積法，通過設計反應前驅物溶液...

一種低信噪比相移鍵控調制信號的識別方法，屬于通信技術領域。本發明通過基于錯位相乘的二次方譜首先識別出ＢＰＳＫ信號，再通過基于錯位相乘的四次方譜識別出ＱＰＳＫ或ＯＱＰＳＫ信號，之后計算包絡譜并優化處理，最后通過優化的包絡譜識別出ＱＰＳＫ信...

基于波陣面迭代的液晶相控陣波控數據確定方法，激光相控陣雷達技術領域，涉及液晶相控陣波束控制。主要包括：１）根據需要實現的偏轉角度，利用傳統波控方法計算出射階梯波陣面；２）計算階梯波陣面與理想線性波陣面的平均斜率，從而獲得平均斜率誤差；３...

一種環境溫度變化和磁感應強度的測量方法及裝置，屬于光電技術領域，涉及光纖傳感技術，尤其涉及基于磁光光纖Ｂｒａｇｇ光柵（ＭＦＢＧ）的磁感應強度（或光纖Ｖｅｒｄｅｔ常數）和溫度變換的測量方法及裝置。本發明采用磁光光纖光柵，根據其本征傳感方式...

一種用于開關穩壓電源控制器的環路補償電路，屬于電子技術領域，涉及一種應用于功率集成電路中ＰＷＭ控制模式的開關穩壓電源控制器的環路補償電路。本發明提出的環路補償電路包括相位超前補償單元電路和低頻增益單元電路，其中相位超前補償單元電路實現相...

一種功率器件集成電路，屬于半導體功率器件集成技術領域。本發明提供的功率器件集成電路，包括同一硅片上集成的兩個或多個功率器件；所述兩個或多個功率器件下方的襯底通過襯底刻蝕技術刻蝕掉；所述兩個或多個功率器件在具體功率集成電路中等電位的電極采...

一種ａ面ＺｎＯ薄膜的單源化學氣相沉積制備方法，屬電子材料技術領域，涉及非極性ａ面ＺｎＯ薄膜的制備方法。本發明以（０１２）面Ａｌ２Ｏ３單晶基片作為生長ａ面ＺｎＯ薄膜的基片；以Ｚｎ４（ＯＨ）２（ＣＯ２ＣＨ３）６.２Ｈ２Ｏ作為有機固相ＺｎＯ蒸...

一種具有扇形開路結構的微帶帶通濾波器，屬于微波／毫米波器件技術領域，涉及微波／毫米波集成電路。本發明是在傳統平行耦合微帶線濾波器的基礎上，增加兩段扇形開路支節；所述扇形開路支節是終端為扇形結構的四分之一波長終端開路線，兩段扇形開路支節的...

一種具有Ｐ型浮空層的槽柵ＩＧＢＴ，屬于半導體功率器件技術領域。本發明在積累層控制的溝槽柵絕緣柵雙極型晶體管基礎上引入了Ｐ型浮空層（１１），有效改善了槽柵底部的電場集中效應，大大提高了器件的擊穿電壓。同時，Ｐ型浮空層的存在引入了一個ＪＦＥ...