無鉛镥鉍石榴石薄膜制備方法，屬于電子材料領域，特別涉及石榴石薄膜材料的液相外延制備技術。本發明包括以下步驟：步驟一熔體制備：稱量高純氧化物原料Ｌｕ↓［２］Ｏ↓［３］和Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］，研磨，混和后熔化并放置，然后降低溫度至生長溫度...

鈰釔共摻鈦酸鍶鋇納米材料及其制備方法，屬于無機電子功能材料技術領域。鈰釔共摻鈦酸鍶鋇納米材料，主體成分為Ｂａ↓［ｘ］Ｓｒ↓［１－ｘ］ＴｉＯ↓［３］（０．２≤ｘ≤０．８），部分Ｂａ↑［２＋］離子和Ｓｒ↑［２＋］離子被Ｙ↑［３＋］離子替位取...

本發明屬于印制電路板制造技術領域。本發明提供了一種經濟，實用，快速、高效和易于再生的印制電路蝕刻液。該蝕刻液的配方為：ＨＮＯ↓［３］（５％～１５％）、Ｈ↓［２］ＳＯ↓［４］（８％～２０％）、Ｎａ↓［２］ＳＯ↓［４］（１％～６％）、添加劑...

本實用新型是關于平面磁控濺射靶，應用于高速，均勻淀積薄膜的磁控濺射。它是由磁體、磁隙、磁體密封罩和冷卻系統組成。靶內磁體采用了傾斜極面、并與磁隙相應配合，組成磁路。這樣增加了磁場平行分量、減小磁通外漏、具有靶的刻蝕均勻度好，刻蝕面積大、...

本實用新型公開了一種用于沉積制備薄膜的裝置，它是由導軌、轉軸、圓形基片夾具組成，導軌與轉軸相連，導軌中心線與轉軸軸線有一夾角，圓形基片夾具置于導軌凹槽中，在凹槽中，圓形基片夾具和導軌有一個間隙，該裝置實際上是以單軸帶動實現基片的準雙軸的...

本發明介紹了一種用于薄膜制造技術的磁控濺射鍍膜源。它的構成如下：兩個磁極對稱的外部環形永磁體和一個內部環形永磁體形成磁控濺射磁場，在內部永磁體的外圍裝有一個水冷濺射陰極，并在它的上面安放著靶材，在外部永磁體和水冷濺射陰極之間裝有一個陰極...

本發明為低電阻溫度系統錳銅薄膜的制備方法。采用磁控濺射或射頻濺射法沉積錳銅薄膜，通過對基板溫度、錳銅靶的溫度，以及熱處理溫度的控制，可使制備的錳銅薄膜的電阻溫度系統達到±１０×１０↑［－６］／℃，達到了與塊狀材料相當的水平。

本發明涉及有機材料真空蒸發鍍膜所用的熱蒸發源，它是一個金屬容器，其內部設置有片狀或柱狀金屬導熱體。有機材料放置在金屬容器內，利用金屬容器器壁和金屬片或金屬柱的熱傳導實現對有機材料的均勻加熱。從而解決蒸發過程中有機材料分解及材料粉末噴射出...

本發明提供了一種用于高溫下薄膜沉積的面內旋轉裝置，它由常規傳動部分和面內旋轉部分構成，面內旋轉部分有軸向支撐盤９、徑向支撐盤１０通過調距螺桿１１固定在一起，其間距可通過調距螺桿１１調節，大齒輪６分別與軸向支撐盤９和徑向支撐盤１０通過滾珠...

一種基于轉速調制的提高薄膜厚度均勻性的方法，其特征是采用下面的步驟：　　　　第一步：根據成膜方法制備大面積薄膜膜厚分布的特點，確定基片處于不同位置時薄膜沉積速率分布規律；所述的成膜方法可以是蒸發、濺射、脈沖激光沉積等；所述的基片處于不同...

一種平面磁控濺射－多工位鍍膜裝置，它包括：Ｍ（Ｍ為自然數）個平面磁控濺射靶（１４）、Ｎ（Ｎ為自然數）工件夾（１５）、加熱器（２８）、充氣孔（２９）、真空鍍膜室（３０）、真空抽氣組（３２），其特征是它還包括：轉盤（１６）、連接桿（１７）、...

一種雙倒筒靶結合基片雙軸旋轉的鍍膜裝置，包括：轉動驅動軸１、基片導軌２以及基片３，圓筒形靶材９，真空腔體１６，由轉動驅動軸１、基片導軌２以及基片３構成雙軸旋轉機構，其特征是它還包括：圓筒形靶材１０、圓筒形靶材１０位于圓筒形靶材９相對應的...

本發明的目的是提供一種確定“一種平面磁控濺射－多工位鍍膜裝置”（專利申請號為：２００３１０１１０８４６．２）的最優自轉與公轉轉速比的方法，它是通過先求出靶上方的膜厚分布Ｄ（ｘ，ｙ），利用線積分得到這種結構的裝置的膜厚分布Ｍ，然后確定均值...

鐵電薄膜的化學液相交替沉積方法，涉及一種鐵電薄膜沉積技術。本發明在基底材料上交替涂覆前驅體溶液，利用層間合成反應制備鐵電薄膜。本發明的有益效果是，因為每次旋涂得到薄層很薄，在納米級，并且第一個薄層熱處理后得到的晶粒粒徑很小，只有十幾個納...

一種旋轉磁場平面靶磁控濺射裝置，屬于電子機械技術領域，特別涉及磁控濺射鍍膜裝置。主要包括基片托盤１、靶座２、靶材３和真空腔體８，基片托盤１、靶座２和靶材３位于真空腔體８內，基片托盤１位于靶座２和靶材３的上方，靶材３安裝于靶座２上；其特征...

一種用于制備氧化鋅薄膜的有機鋅源及其制備方法，屬于化學材料合成技術領域。所述有機鋅源的主要成分為一種分子式為Ｚｎ↓［４］（ＯＨ）↓［２］（Ｏ↓［２］ＣＣＨ↓［３］）↓［６］.２Ｈ↓［２］Ｏ的有機醋酸鋅類化合物，其中可以含有少量的ＺｎＯ其...

本發明提出了一種具有應力限制層的位移型鐵電超晶格薄膜材料及其制備方法，該種材料結構上包括基片、緩沖層、位移型鐵電超晶格薄膜和金屬電極，與現有技術不同的是，該種材料在位移型鐵電超晶格薄膜和金屬電極之間還有一層應力限制層，應力限制層選用與位...

一種雙面超導帶材緩沖層的連續制備方法，屬于超導材料技術領域，特別涉及超導帶材的制備方法。本發明使用一種帶有上、下兩個轉盤的對靶磁控濺射裝置，所述濺射裝置的上轉盤８和下轉盤１位于對靶４中心連線的垂直平分線的上下，且分別由一個步進電機控制；...

一種鋯鈦酸鉛鐵電薄膜材料的制備方法，屬于電子材料技術領域，涉及氧化物電極與ＰＺＴ薄膜生長取向的薄膜電容的制備。首先采用激光蒸發沉積法在ＭｇＯ（１００）基片上沉積ＬＮＯ底電極；然后采用射頻磁控濺射法在ＬＮＯ底電極薄膜上沉積ＰＺＴ鐵電薄膜；...

薄膜沉積裝置，涉及一種薄膜沉積設備，特別是一種沉積腔內溫度可調、基片承放臺種類可換的大面積薄膜化學氣相沉積設備，屬于薄膜材料領域。本發明提供一種滿足根據不同薄膜的生長要求、構造簡單的薄膜沉積裝置。本發明包括：至少兩個加熱裝置，用于對沉積...