一種具有一個或多個背面金屬層的半導體結構，所述一個或多個背面金屬層包括由介電材料與背面金屬層中的一個或多個電源線和地線分離的浮置金屬層的多個部分。在一個或多個背面金屬層中的每個背面金屬層中的浮置金屬層的多個部分中的每個部分的高度和在一個...

一種示例系統包括處理器(702)，所述處理器用于接收基于圖的掩碼策略和包含待掩碼的數據對象的復合有效載荷。所述處理器(702)用于根據所述基于圖的掩碼策略來實例化掩碼引擎。所述處理器(702)用于在所述復合有效載荷上執行所述掩碼引擎以生...

本發明提供一種制造垂直金屬半導體場效應晶體管(MESFET)器件的方法。該方法包括：形成第一氧化物層；在氧化物層中形成第一電極；在第一電極上形成結晶硅層；在第一氧化物層上和結晶硅層的側壁上形成第二電極；在第二電極的上表面上形成第二氧化物...

提供了用于對一組量子比特操作量子電路的系統、計算機實現的方法和/或計算機程序產品。根據實施例，系統可以促進對兩個或多個節點之間的數據傳送的控制。系統可以包括存儲計算機可執行組件的存儲器和執行存儲在存儲器中的計算機可執行組件的處理器。計算...

提供了一種使用機器學習模型用于口頭的自然語言中的韻律的分離的計算機實現的方法。該方法包括由計算設備對口頭的自然語言編碼以產生內容代碼。該方法還包括由計算設備在無文本轉錄的情況下通過對機器學習模型應用無監督技術來重采樣內容代碼以模糊韻律，...

電阻式RAM模塊包括源電極和形成在源電極上的中間電極。中間電極具有閉合曲線輪廓。電阻式RAM模塊還包括沉積在中間電極上的憶阻器元件。電阻式RAM模塊還包括與憶阻器元件接觸的沉電極。中間電極電性地位于源電極與憶阻器元件之間，并且憶阻器元件...

隱私保護同態推理利用對加密的數據記錄的批處理。每個數據記錄具有針對其執行推理的感興趣的私有數據部分。通過確保每個加密數據記錄相對于其他數據記錄在唯一位置具有其關聯的私有數據部分的技術，相對于一組加密數據記錄啟用批處理。然后，對該組加密數...

一種用于執行矩陣與向量的矩陣?向量乘法的器件。該器件包括存儲器交叉式陣列，該存儲器交叉式陣列包括多個行線、多個列線以及布置在多個行線與多個列線之間的多個結點。每個結點包括可編程電阻元件和用于存取該可編程電阻元件的存取元件。該存儲器交叉式...

提供了一種用于在客戶端系統處部署機器學習模型的方法、計算機系統和計算機程序產品。本發明可以包括從訓練系統請求在訓練環境的信息，其中機器學習模型在所述訓練環境中訓練。本發明可包括基于關于訓練環境中的信息確定客戶端系統的本地環境與訓練系統的...

促進量子計算裝置的ZZ交互的動態控制的系統、裝置、計算機實施的方法、和/或計算機程序產品。在一個實例中，量子裝置可以包括偏置部件，該偏置部件經由對應的第一驅動線和第二驅動線被可操作地連接到第一和第二量子位。該偏置部件可以使用經由對應的第...

在一種方法中，處理器確定在磁帶的磁帶末端(EOT)處存在非活動數據區域。響應于確定所述非活動數據區域存在于EOT處，處理器通過將不同的數據覆寫于所述非活動數據區域處的數據來安全地擦除存在于EOT處的所述非活動數據區域。

一種包括安裝到基板上的芯片的裝置，其中，所述芯片中的一個或多個包括第一高度，并且所述芯片中的一個或多個包括第二高度，其中，所述第一高度高于所述第二高度

一種計算機實現的方法確定添加至網絡的應用程序的放置

本發明的分離器

本發明提供一種磁性隨機存取存儲器(MRAM)堆疊、制造MRAM堆疊的方法和MRAM陣列。MRAM堆疊包括包含赫斯勒化合物的第一磁性層。MRAM堆疊還包括一個或更多個籽晶層，該一個或更多個籽晶層包括具有配置為模板化赫斯勒化合物的晶體結構的...

實施例可提供用于對象檢測的改進技術，以便使用由多個控制點界定的參數曲線來改進對象的發現和邊界預測的準確性

根據一個實施例，提供了一種用于增加相變存儲器

用于定位性能熱點的實現包括：收集具有指令地址的樣本數據，該樣本數據用于神經網絡模型；以及確定指令地址中的作為性能熱點的指令

一種方法，包括：由數據庫服務器獲得與由所述數據庫服務器托管的數據庫相關聯的安全策略；由所述數據庫服務器獲得與所述數據庫相關聯的第一數據庫數據；由所述數據庫服務器使用所述安全策略和所述第一數據庫數據創建知識升華模型；由所述數據庫服務器獲得...

提供一種磁阻隨機存取存儲器