電車驅動系統(200)包括控制對驅動電車(150A)的臺車(40)的車軸(40a、40b)進行驅動的電動機(80、81)的控制裝置(120)、和控制對臺車(41)的車軸(41a、41b)進行驅動的電動機(82、83)的控制裝置(121)...

旋轉電機（100）具備定子（20）和使外周面與定子（20）的內周面對置而旋轉的轉子（10），定子（20）具備圓筒狀的框架（24）和將框架（24）的軸向（Z）的端部的開口部（24Q）封閉的托架（60），在框架（24）與托架（60）的嵌合部...

鑄模具備：型腔（10），其包括用于形成板狀部的端面的第一面部、以及用于形成板狀部的一個板面和另一個板面中的任意一個板面的第二面部，在熔液流入且熔液凝固的情況下鑄造板狀部和突出部；堰（3），其從型腔（10）的外側與第一面部相鄰地設置，用于...

本發明的目的在于抑制溝槽柵型的電力用半導體裝置的芯片的破壞。SiC?MOSFET101具備：溝槽20，其從源極區域4的表面貫通源極區域4以及基極區域3，到達漂移層2的內部；第二導電型的底部基極區域5，其形成于漂移層2的與溝槽20的底面相...

維護輔助系統具備：維護記錄信息存儲部，其存儲過去對診斷對象機器進行了診斷的維護記錄信息，該維護記錄信息包括多個數據項目的數據和故障部件信息；重要度學習部，其根據基于所述數據項目預先設定的劃分條件，對所述維護記錄信息存儲部存儲的所述維護記...

幀傳送裝置（10）具備交換機（20），該交換機（20）是省電交換機（21）和與省電交換機（21）相比耗電量多且性能高的高性能交換機（22）。控制部（14）根據網絡負荷將省電交換機（21）和高性能交換機（22）中的一方的交換機（20）啟用...

電動機控制裝置（101）以使對象物（7）的動作不產生急劇變化的方式對針對對象物的位置控制和非位置控制進行切換，該電動機控制裝置（101）具有：規范模型部（5A），其決定對位置指令進行濾波而得到的模型位置（Xm）；模型初始值設定部（12）...

控制裝置（200）具備電力轉換部（5）、電流檢測部（6）、第1誤差檢測處理部（10）、三相電流運算部（9）和電流控制部（2）。電力轉換部（5）向三相馬達（1）供給電力。電流檢測部（6）檢測流過三相馬達（1）的各相的電流的值。第1誤差檢測...

本發明涉及一種用于編排無線網絡的資源的方法。針對多個應用收集多個服務質量QoS參數的值和體驗質量QoE反饋的值。觀察針對給定應用的收集值的變化。選擇(702)與QoE反饋變化最相關的QoS降級參數。調整(704)指數參數模型以近似QoE...

提供一種降低半導體晶圓的翹曲的技術。保護半導體晶圓(10)的表面的保護膜包括第一樹脂膜(20)和第二樹脂膜(30)。半導體晶圓(10)包括主表面和設置在主表面的表層上的器件圖案膜。第一樹脂膜(20)覆蓋半導體晶圓(10)的主表面。第二樹...

磁性粒子成像裝置具備：檢測線圈（3），用于檢測磁性粒子（1）的磁性變化；補償線圈（4），具有與檢測線圈（3）共同的中心軸（CA），并與檢測線圈（3）以相反極性來連接；第1繞組筒（21），保持檢測線圈（3）；以及第2繞組筒（22），保持補...

熱交換器是如下的熱交換器，該熱交換器具備：多個扁平管，所述多個扁平管沿上下方向延伸且外形形狀形成為扁平狀，并具有由貫通孔形成的多個制冷劑流路；以及一對集管，所述一對集管與多個扁平管的上下方向的兩端部連接，并具有從上方觀察呈L字形的L形彎...

一種用于諸如IGBT或MOSFET的半導體開關(10)的過電流檢測電路，所述檢測電路包括補償電路，該補償電路被配置為至少部分地補償所述功率半導體開關(10)的內置電流鏡(12)輸出的溫度相關性，所述電流鏡輸出(12)連接到測量電阻器Rs...

結構化輔助裝置（10）將在梯形圖程序所包含的相似的多個程序塊中使用的大于或等于1個變量分別設定為對象變量。結構化輔助裝置（10）根據是否滿足下述條件而決定對象變量的類別，該條件為在梯形圖程序中，沒有在多個程序塊之外使用對象變量，并且在多...

降低波長為6μm以下的近紅外線的透射率的表面加工(12)形成于光學部件(1、4)。檢測像素(3)接受透過了光學部件(1、4)的紅外線并轉換為電信號。

公開了一種針對搬運作業對人和機器人的搬運作業的分擔進行支援的技術。系統（10）具備的作業指示裝置（140）取得由搬運機器人（120）或作業者（110）進行作業的裝置（101）的信息、作業者（110）的位置信息以及搬運機器人（120）的工...

解搜索裝置（1）具備：設定部（12），其設定第1期望水準，該第1期望水準是針對多目標最優化問題中的多個目標函數的目標值；第1最優解計算部（13），其使用由設定部設定的第1期望水準和作為用于對多個目標函數進行最優化的解集合的邊界，來計算第...

本申請改善半導體裝置的耐壓與導通電阻的折衷關系。半導體裝置具備：第1導電型的漂移層、第2導電型的溝道層、第1導電型的源極層、柵極電極、源極電極以及漏極電極，漂移層的雜質濃度在漂移層內不同，在將施加到漂移層的電場的積分值設為耐壓值，并將漂...

目的在于提供一種能夠抑制在設置于半導體基板的上表面的電極上產生裂紋并提高半導體元件的長期可靠性的技術。半導體元件（100）是正面背面導通型的半導體元件，具備：半導體基板（1）；電極（3），其設置于半導體基板（1）的上表面；保護膜（4），...

檢測系統（100）的信息處理裝置（9）取得將第1磁性粒子配置到對象區域時的從磁信號抽出的特定頻率的第1信號的第1相位，取得將第2磁性粒子配置到對象區域時的從磁信號抽出的特定頻率的第2信號的第2相位。在特定頻率下，第2磁性粒子的磁矩的弛豫...