一種具有轉換器電路（21）、逆變器電路（22）以及控制裝置（25）的電力變換裝置（2），該轉換器電路（21）包含平滑電容器（211）和具有多個整流元件（D1?D6）的整流電路（210），控制裝置（25）具有電容器電流推定部（250）和直...

作為內容發(fā)布裝置的對象發(fā)布裝置具有發(fā)送部（121）。發(fā)送部（121）將從K1個編碼塊（132）和基于糾刪編碼的M個冗余數(shù)據(jù)塊（133）中選擇出的K2個塊與發(fā)送源標識符一起通過無線信號進行發(fā)送。此外，在從各內容發(fā)布裝置接收到的接收響應所示...

第1檢測部（121）對對象圖像（191）實施物體檢測，計算檢測結果（192）。加工部（130）按照每個對象邊界框對所述對象圖像的所述對象邊界框進行填充，得到填充圖像組（193）。第2檢測部（122）按照每個填充圖像來實施所述物體檢測，得...

規(guī)則生成部（111）將現(xiàn)有確認規(guī)則中描述的設備（200）的確認對象要素和設備（200）的周邊環(huán)境的確認對象要素中的至少任意一方即現(xiàn)有確認對象要素替換成現(xiàn)有確認規(guī)則中未描述的要素即新確認對象要素，生成與現(xiàn)有確認規(guī)則不同的多個確認規(guī)則作為多...

本公開的目的在于提供能夠兼得“恢復dV/dt?max”及導通損耗的折衷的改善和柵極總電荷量Qg降低的半導體裝置。本公開的半導體裝置具備：半導體基板；發(fā)射極電極，形成在半導體基板之上；第一導電型的漂移層，形成在半導體基板之中；第二導電型的...

本發(fā)明有助于半導體裝置的低損耗化、低輻射噪聲化和小型化。本發(fā)明的半導體裝置包括作為單極型開關元件的MOSFET(10p、10n)和作為雙極型開關元件的IGBT(20p、20n)的并聯(lián)電路。作為雙極型開關元件的IGBT(20p、20n)的...

本公開涉及半導體制造裝置及半導體制造方法，其目的在于提供一種能夠防止形成在基座上表面的外周部的膜附著于基板的上表面的半導體制造裝置或半導體制造方法。本公開的半導體制造裝置具備：基座、和位于基座的上方的氣體導入口。基座具有：載置基板的支架...

本公開涉及空調機的制造方法。空調機的制造方法包含：使氣體向組裝到空調機之前的樹脂部件（10）流通并從配置有與包含羥基的臭氣物質相互作用的感應膜（31）的傳感器（3）取得信號的步驟；以及基于信號判定樹脂部件（10）中的異臭的有無的步驟。

本公開的目的在于在具有兩級柵極結構以及載流子積累層的半導體裝置中抑制位移電流。IGBT(101)具備形成于漂移層(2)的第一主面(S1)側的第一導電型的載流子積累層(3)、形成于載流子積累層的第一主面?zhèn)鹊牡诙щ娦偷幕鶚O層(4)、以及經...

電子設備（1）具有：框體（2），其插入至盤（4）的開口部（4a），將面整體被插入的面作為背面（20），將與背面（20）相反方向的面作為前表面（21），將除此以外的插入面作為外表面（22）；以及可動肋（3），其作為框體（2）的一部分而設置...

空氣調節(jié)機具備：框體；排水盤，所述排水盤設置于框體，并接收在框體的內部產生的排泄水；排出部，所述排出部設置于框體，形成有將滯留在排水盤的排泄水吸入的吸入口，并從吸入口將排泄水排出；以及水位檢測部，所述水位檢測部對排泄水達到比排出部的吸入...

本發(fā)明涉及一種用于配置用于網絡的去中心化擁塞控制(DCC)的查找表的方法，該網絡包括路側單元(RSU)和多個發(fā)射機用戶設備(TX?UE)，發(fā)射機用戶設備能夠與RSU通信并且使用該查找表來實現(xiàn)用于TX?UE的側鏈路通信的去中心化擁塞控制，...

本公開的目的在于提供能夠兼顧提高絕緣膜的可靠性和抑制芯片翹曲的半導體裝置。本公開的半導體裝置具備：發(fā)射極電極；柵電極；漂移層；源極層；基極層；集電極；以及虛設有源溝槽，其在半導體基板的溝槽的內部處，在上層具有與柵電極或發(fā)射極電極連接、或...

學習裝置（110）具有：數(shù)量表達確定部（112），其根據(jù)學習用原始數(shù)據(jù)，確定使用數(shù)值和單位表示數(shù)量的表達即數(shù)量表達；數(shù)值標準化部（113），其對該數(shù)值進行標準化；單位標準化部（115），其對該單位進行標準化；單位細化部（117），其在學...

本說明書提出一種根據(jù)從控制器(CTLR)重復接收的命令來控制操作至少一個執(zhí)行器的代理(AGT)的方法，所述代理從感測執(zhí)行器的環(huán)境的至少一個傳感器重復接收測量數(shù)據(jù)，所述測量數(shù)據(jù)在迭代k處定義由執(zhí)行器在先前迭代k?1處應用標稱命令(2)產生...

冷卻器（10）具有：基底層（1），其與元件接合；鰭片形成層（2），其具有鰭片配置區(qū)域（R20），在該鰭片配置區(qū)域（R20）配置與基底層（1）連接的多個鰭片（21）；以及開口部形成層（3），其與鰭片形成層（2）連接，該開口部形成層（3）具...

本發(fā)明的目的在于獲得能夠提高保護二極管的ESD耐量的半導體裝置。本公開的半導體裝置具備：半導體基板；溫度感測二極管，其設置于所述半導體基板之上；以及保護二極管，其設置于所述半導體基板之上，并與所述溫度感測二極管反向并聯(lián)連接，所述溫度感測...

本公發(fā)明的鍍鎳層疊體(2)的制造方法包括：工序(S1)，準備包含磷(P)和硫添加劑的鍍鎳(Ni)液(200)以及待鍍材料(1)；以及工序(S2)，使用鍍鎳液(200)對待鍍材料(1)形成鍍鎳層疊體(2)。鍍鎳層疊體(2)包含磷的濃度彼此...

在基于讀取的波形數(shù)據(jù)來計測主掃描方向的多個點之間的距離的距離計測方法中，具備：第1步驟，將波形數(shù)據(jù)變換為以規(guī)定的閾值為基準進行二值化而得的二值化波形；第2步驟，通過比較二值化波形和形成于距離修正圖表的白黑圖案，從二值化波形變換為已去除噪...

熱交換器具備多個傳熱管，在多個傳熱管中的每一個形成有多個貫通孔，多個傳熱管具有使多個傳熱管中的相鄰的傳熱管的多個貫通孔彼此直接連結的多個連結部，或者，多個傳熱管具有插入到多個貫通孔中并使多個傳熱管中的相鄰的傳熱管的多個貫通孔彼此連結的多...