一種固體氧化物燃料電池陰極材料納米粉體的制備方法，屬于無機材料制備領域。以Ｌａ、Ｃｏ、Ｓｒ和Ｆｅ等的硝酸鹽為原料，配制成均勻混合溶液，再將有機單體丙烯酰胺和交聯劑Ｎ，Ｎ’－亞甲基雙丙烯酰胺加入到混合溶液中，攪拌均勻后加入引發劑過硫酸銨水...

本發明公開了一種電極材料原位合成的自支撐型固體氧化物燃料電池（ＳＯＦＣ）的制備方法，屬于電極材料合成和電極支撐基體制備方法的技術領域。本發明提出了以電解質材料和合成電極材料的氧化物和碳酸物為原料，采用凝膠注模工藝制備電極生坯，再采用濕陶...

一種用于微型燃料電池的復合雙極板，它有基體，其特征是：所述基體上規則排列有若干個三維微溝道，同時在基體的上表面附著導電層，在導電層上附著保護層。

本發明屬新能源材料領域，特別是涉及一種具有催化作用的質子交換膜燃料電池用鋁合金雙極板的制備方法。該方法是以鋁合金為基體材料，采用電腦雕刻方法制備流場，通過電沉積鎳對鋁合金進行表面改性處理，電沉積鉑并與鎳形成鉑合金催化劑。采用該方法制備的...

本發明屬新能源材料領域，特別是涉及一種磷酸型燃料電池用雙極板及其制備方法。該磷酸型燃料電池用雙極板以石墨為導電填料、碳纖維為增強材料、聚苯硫醚樹脂和氟樹脂混合物為粘結劑，各組分的質量百分比為：石墨４５～５５％，碳纖維５～１０％，聚苯硫醚...

本發明公開了一種對多孔金進行貴金屬鍍層修飾的方法，是通過腐蝕金銀合金制備出納米多孔金，將納米多孔金置于一定濃度的含有氯鉑酸根離子（或氯亞鉑酸根離子、或氯鈀酸根離子、或氯亞鈀酸根離子、或它們之間的混合）的溶液中，適當時間使其表面吸附一些貴...

本發明涉及一種氧化錫單晶薄膜的制備方法，屬于半導體光電子材料技術領域。采用有機金屬化學氣相淀積工藝，以四乙基錫［Ｓｎ（Ｃ↓［２］Ｈ↓［５］）↓［４］］為有機金屬源，用氮氣作為載氣，用氧氣作為氧化氣體，用有機金屬化學氣相淀積設備在真空條件...

本發明涉及一種三維多處理器系統芯片，屬于集成電路設計制造技術領域。包括：多個處理器核，多個三維片上網絡路由器，和把它們集成在一起的半導體集成電路晶圓芯片；涉及一種利用晶圓堆疊組裝三維集成電路制造方法和網絡并行數據傳輸方法。本發明的優點是...

本發明提供了一種用于ＧａＮ外延的襯底的加工方法，包括以下步驟：（１）對切割后的單晶棒進行研磨以去掉晶片的刀痕；（２）對研磨后的晶片進行化學機械拋光以去除研磨造成的損傷層；（３）對化學機械拋光后的晶片進行退火以去除近表面原子的損傷，退火溫...

功率器件的氣密封裝件，即提高功率器件的氣密性和耗散功率屬于半導體分離器件。利用管帽突筋與管基凹環的配合，使封接電流密度大、熱阻大、溫升高，達到氣密封接。利用減小引線絕緣子的直徑、或帖銅方法提高器件的耗散功率。利用加粗集電極引出線的內在部...

選極晶體管即可以選擇管基電極的晶體管屬于半導體器件類。利用管基與芯片絕緣而使管基可以作為任一電極或懸浮的辦法已制造出了可以選擇管基電極的晶體管。其主要熱流通路仍然是管基。本裝置有助于提高晶體管的頻率性能、功率容量、可靠性與穩定性和使用上...

大電流半導體器件，屬于半導體器件技術領域。由導熱載體、電極、芯片、內引線及包封物組成，內引線具有最大的或較大的表面積和截面積，具有最短或較短的大電流電極內引線。在芯片的大電流電極附近的管基上預置導熱塊平臺，以等效地縮短內引線長度。本實用...

本實用新型屬于半導體器件技術領域，選用具有高介電常數材料鈦酸鉍或鈦酸鉍／二氧化硅復合層或鈦酸鉍／氧化鎂復合層代替傳統的二氧化硅作絕緣柵，絕緣柵的厚度為５００－８０００埃，在鈦酸鉍／二氧化硅或鈦酸鉍／氧化鎂復合絕緣柵中，鈦酸鉍層厚度為４５...

超高頻大功率晶體管的金屬氣密管殼．是一種高頻－－微波，大功率晶體管管殼．管帽是一單一的金屬帽．管座是一個淺筒形的金屬容器，中心有絕緣導熱瓷片，輸入．輸出引線從容器的側面引出，其特點是金屬封接，氣密性好，氧化鈹瓷片密封在內．有毒物質不外露...

超Ｆ型晶體管管殼是一種適用于甚高頻（ＶＨＦ）頻段的大功率晶體管管殼．在Ｆ型管座上裝配氧化鈹（ＢｅＯ）瓷片，并在瓷片上制作電極涂層，公共端電極涂層與基座連通，輸入輸出電極層分別與管座上的兩個引出線連接．這樣制成的Ｆ型管殼公共端引線電感小，...

ＭＯＳ場效應晶體管的一種無損傷篩選方法．本方法將ＭＯＳ晶體管置于高溫環境中加以高柵壓進行試驗．比較試驗前后的閾電壓值可判知ＭＯＳ管的可靠性．易于剔除性能不穩定，可靠性差的管子，而對優質正品管無損傷．具有參數反映靈敏，試驗效率高，周期短，...

鉭酸鋰單晶晶軸極性快速確定法，屬于晶體濾波器等器件加工定向技術領域。根據對ＬＴ晶體生長棱分布與各晶軸關系的實驗與研究，歸納為一個判斷晶軸極性的關系圖，將極化后的ＬＴ晶體置于平面上，與此圖對照分析可準確無誤地確定各晶軸極性。本發明方法迅速...

共地化半導體器件封裝件的制造方法，屬于半導體器件零部件制造技術領域。本發明通過引入特定形狀的氧化鈹，氧化鋁瓷片及熔鑄云母作絕緣導熱片，并在基座上設計了特定的導熱片安放位置，實現了封裝件的共地化。采用絕緣子與密封圈一體化或半空式絕緣子達到...

選極晶體管即可以選擇管基電極的晶體管屬于半導體器件類。利用管基與芯片絕緣而使管基可以作為任一電極或懸浮的辦法已制造出了可以選擇管基電極的晶體管。其主要熱流通路仍然是管基。本發明有助于提高晶體管的頻率性能、功率容量、可靠性與穩定性和使用上...

一種自屏蔽半導體器件及其制造方法，涉及半導體器件及其制造工藝。自屏蔽半導體器件采用金屬基板、絕緣導熱片、芯片疊層面連接的結構形式，使所有電極均不與屏蔽殼層電連接，或其中一個電極與屏蔽殼層電連接。在金屬封裝的情況下，金屬基板接電路公共端或...