一種大功率晶體管的制造方法，屬于半導體器件的制造工藝。本發(fā)明采用ＡＩＮ、ＡＩＮ加液晶高分子復合材料或莫來石等作為絕緣導熱材料，雙面金屬化后又涂鍍易焊金屬，同時將晶體管管基上局部涂鍍易焊金屬，提高絕緣導熱瓷片與金屬管基和芯片間的有效浸潤面...

一種鈦酸鉍鐵電薄膜的制備方法，采用常壓有機化學氣相沉積工藝將鈦源和鉍源加熱揮發(fā)，用氮氣為載氣攜帶揮發(fā)鈦源和鉍源通入生長室時，同時氮氣和氧氣通入生長室內(nèi)，生長室內(nèi)放有襯底，在常壓加熱情況下，在襯底上制得薄膜，該方法工藝簡單，方便，薄膜生長...

本發(fā)明涉及一種套迭式晶體管電極及其制造技術，適于大電流下晶體管電極之用。該電極一改傳統(tǒng)電極管腳和周圍絕緣物直接氣密連接的結構方式，而是在管腳芯線外面加芯套將其套入連接，且芯線材料可選導電散熱性能優(yōu)良的銅等純金屬，從而解決了大電流下晶體管...

一種塑封半導體器件的制造方法，采用不同厚度的金屬板，分別沖制金屬引線框架的散熱片和引線，成型后，將其拼接成一邊厚一邊薄的框架，然后焊接芯片及內(nèi)引線，再注塑、切筋。該發(fā)明方法既解決了制作金屬引線框架所用異形銅板成本高的問題，又有利于不同規(guī)...

本發(fā)明屬于傳感、磁存儲技術領域。本發(fā)明的主要內(nèi)容就是將Ｌａ↓［２］Ｏ↓［３］、ＭｎＯ↓［２］、Ｎｉ↓［２］Ｏ↓［３］、ＣａＣＯ↓［３］按Ｌａ↓［１－ｘ］Ｃａ↓［ｘ］Ｍｎ↓［１－ｙ］Ｎｉ↓［ｙ］Ｏ↓［３］分子式的原子配比稱量，混合均勻，粉...

納米晶巨磁阻抗復合材料屬于信息功能材料領域。本發(fā)明采用高真空技術，先將鐵基軟磁合金和高導電材料銅或銀組合成層狀復合材料，然后，進行真空退火熱處理，把磁性層的晶粒尺度控制在幾十納米的范圍。它克服了傳統(tǒng)軟磁合金薄膜磁阻抗效應弱、工作頻率高的...

控制晶體管結溫的穩(wěn)態(tài)工作壽命試驗方法屬半導體器件技術領域。根據(jù)晶體管發(fā)射結正向壓降與結溫的近似線性關系，利用試驗過程中工作電流有規(guī)律的瞬間斷開時間間隔，通過在一定測試電流下測量發(fā)射結正向壓降來計算出試驗樣管的結溫，利用半導體制冷器作散熱...

本發(fā)明涉及一種ＧａＡｓＳｂ／ＩｎＰ雙異質(zhì)結晶體三極管以及金屬有機化學氣相沉積技術制備三極管材料的方法。本發(fā)明晶體三極管由以下三部分組成：集電區(qū)、基區(qū)和發(fā)射區(qū)，襯底采用半絕緣的ＩｎＰ單晶片，集電區(qū)由生長在襯底之上的Ｎ↑［＋］－ＩｎＧａＡｓ...

本發(fā)明涉及一種巨磁阻抗效應復合絲材料及其制備方法，屬于交流傳感技術、磁存儲技術的領域。本發(fā)明的主要內(nèi)容就是采用電沉積法，在導電金屬絲Ａ的外層電沉積Ｎｉ＃－［１００－ｘ］Ｆｅ＃－［ｘ］磁性鍍層，復合絲材料成分為Ｎｉ＃－［１００－ｘ］Ｆｅ＃...

本發(fā)明涉及一種Ｐ型氧化鋅薄膜的制備方法，屬于半導體光電材料與器件技術領域。本發(fā)明的主內(nèi)容選用藍寶石或硅作為襯底材料，用摻入５ｗｔ％的Ｐ＃－［２］Ｏ＃－［５］和０．２ｗｔ％的Ｇａ＃－［２］Ｏ＃－［３］的ＺｎＯ燒結陶瓷靶作為源材料，在合適的...

亞納米復合法制備ＺｎＯ基半導體材料的方法，其特征在于，用磁控濺射、分子束外延、激光脈沖沉積或者激光分子束外延方法在襯底上將亞納米厚度的過渡金屬和ＺｎＯ寬禁帶半導體層交替沉積，在原子尺度進行復合形成磁性半導體，其中過渡金屬選自Ｃｏ、Ｆｅ、...

本發(fā)明公開了一種利用液相化學法制備硫族化合物熱電薄膜的方法，該方法以鉍、銻、錫或鉛的鹽，及硒和碲的無機物為原料，制備前驅(qū)體溶液，采用甩膜方法制備前驅(qū)體薄膜，經(jīng)干燥后采用共還原法將前驅(qū)體薄膜還原并經(jīng)熱處理制成硫族化合物及其復合摻雜的熱電薄...

大直徑高硬度６Ｈ－ＳｉＣ單晶片的表面拋光方法，屬于晶體材料加工技術領域。將表面經(jīng)過研磨的碳化硅晶片，進行粗拋光和精拋光兩次拋光。粗拋光是在保證平整度的條件下，快速去除研磨造成的表面損傷層，并降低表面粗糙度；精拋光采用機械和化學拋光相結合...

本發(fā)明提供了一種在ＳｉＣ襯底上制備的發(fā)光二極管，其結構自上而下依次包括ｐ型ＡｌＩｎＧａＮ層、發(fā)光層、ｎ型ＡｌＩｎＧａＮ層和襯底，在ｐ型ＡｌＩｎＧａＮ層設有正極，在ｎ型ＡｌＩｎＧａＮ層設有負極，襯底為透明的ＳｉＣ單晶晶片，該襯底在可見光范...

本發(fā)明涉及一種鈦酸鋇基壓電陶瓷材料，是以二氧化鈦、碳酸鋇為初始原料，通過磨球和預燒固相反應制備顆粒平均尺寸在亞微米級別、結晶結構為四方相的鈦酸鋇基微粉，再燒結制得具有微觀結構中晶粒粒徑平均尺寸在０．２～７．５μｍ、壓電性能指標ｄ↓［３３...

本發(fā)明涉及一種高亮度、高效率的Λ－型超格斯堿（Ｔｒ＊ｇｅｒ’ｓ　　ｂａｓｅ，簡稱ＴＢ）衍生物類有機電致發(fā)光材料，屬于有機電致發(fā)光材料技術領域。一種Λ－型超格斯堿衍生物類有機電致發(fā)光化合物，其特征是具有Λ－型超格斯堿骨架，結構通式如上，其...

本發(fā)明涉及一種可調(diào)制帶隙寬度的鎵銦氧化物薄膜及其制備方法。該鎵銦氧化物薄膜具有通式Ｇａ↓［２（１－Ｘ）］Ｉｎ↓［２Ｘ］Ｏ↓［３］，式中ｘ＝０．１－０．９；隨著銦含量ｘ從０．９減少到０．１，該薄膜材料的帶隙寬度從３．７２增大到４．５８ｅＶ...

本發(fā)明涉及改性鈦酸鋇基壓電材料及其電氣電子產(chǎn)品方面的應用。改性鈦酸鋇基壓電材料組分式為Ｂａ（Ｔｉ↓［１－ｘ］［Ａ↓［ｚ］Ｂ↓［１－ｚ］］↓［ｘ］）Ｏ↓［３］.ｙ　ＣｕＯ；其中，Ａ、Ｂ分別為Ｚｒ和Ｓｎ元素，ｘ＝０．００１～０．１０、ｙ＝０...

本實用新型公開了一種用于斷路器的快速推力機構，本實用新型是由導磁鐵芯、筒狀永磁體、連桿、動觸頭、可動線圈以及雙穩(wěn)彈簧保持機構組成，其特征在于，筒狀永磁體設置在導磁鐵芯的空腔中，穿過筒狀永磁體的連桿頂端連接有動觸頭，雙穩(wěn)彈簧保持機構連接在...

銀基壓敏復合陶瓷電接觸材料，屬于中低壓電器中的觸頭材料技術領域。材料組分（重量百分比）：銀８０－９５％，壓敏復合陶瓷１－１５％，金屬和金屬氧化物０．５－５％。本發(fā)明的材料具有電阻率低，導熱、導電性好，抗電燒蝕和抗熔焊能力強，機械加工性好...