本發明屬于超硬材料應用領域，是一種實時測量金剛石單晶生長的動態方法。本發明的特征是采用聲發射無損檢測技術，以金剛石單晶在高溫高壓合成條件下生長過程的原位反應所產生的聲發射源信號作為檢測對象，進行實時動態檢測。本發明可以將金剛石單晶在高溫...

一種由生長槽１、溶解槽２、過熱槽３組成的四槽循環流動晶體生長裝置，其特征是該四槽循環流動晶體生長裝置有一個過熱平衡槽４與過熱槽３相連，過熱平衡槽４的外壁套有一個恒溫水夾套５，過熱平衡槽４接管道６ａ經閥門６與生長槽１相連，在過熱槽３密封蓋...

本實用新型提供了一種晶體生長籽晶固定裝置，該晶體生長籽晶固定裝置包括籽晶板、吊桿、連接架和籽晶桿，連接架安裝在籽晶桿的下端，吊桿至少有一根，其上端與連接架連接，籽晶板連接在各吊桿的下端。吊桿上安裝有攪拌槳。本實用新型結構簡單、合理，改變...

助熔劑法生長ＫＴＰ晶體的一種工藝和裝置，屬鹽熔液冷卻法生長晶體的技術領域．以ＫＰＯ－［３］和Ｋ－［４］Ｐ－［２］Ｏ－［７］為助熔劑，將一定配比的原料放入鉑坩堝中，電爐絲加熱．ＴｉＯ－［２］＋ＫＰＯ－［３］∴ＫＴｉＯＰＯ－［４］（ＫＴＰ）...

雙摻單疇熱釋電晶體ＡＴＧＳＡ－［ｓ］的水溶液生長，屬于溶液降溫生長晶體的技術領域．將甘氨酸，硫酸，Ｌ—丙氨酸和砷酸按比例溶于一定體積的蒸餾水中，裝入生長瓶．在單疇性好的ＡＴＧＳＡ－［ｓ］或ＡＴＧＳ上切取片狀晶種，用夾具固定，沿（０１０）...

復合功能晶體ＮＹＡＢ的助熔劑生長，屬于鹽熔液冷卻法晶體生長技術領域．本發明以Ｋ－［２］ＣＯ－［３］和Ｍ－［０］Ｏ－［３］為助熔劑，將合成原料按化學計量比投入坩堝中，用籽晶旋轉法在高溫熔液晶體生長爐中進行ＮＹＡＢ晶體生長．反應式為：ＸＮｄ...

鉭酸鋰（ＬＴ）晶體極化方法和裝置，屬于晶體后處理技術領域，在６１０—６３０℃極化溫度下，用鋁作電極，可同時極化多塊ＬＴ晶體，單疇完全，工藝簡單，極化成本低于原有工藝的十分之一，適用于批量工業生產。本發明的極化方法和裝置亦適用于極化溫度在...

晶體的單面定向生長方法和裝置，屬于晶體生長技術領域，本發明采用高質量定向切片晶體作籽晶，固定在特制夾具內，夾具又以θ角固定在籽晶旋桿上，選適當的轉速，其它參數及裝置按已知晶體生長技術。本發明為高速度生長高質量晶體打下了良好的基礎，由于本...

一種彩色水晶的生長方法，屬于人工晶體水熱法生長領域。采用熔煉級石英為原料，用Ｋ－［２］ＣＯ－［３］作熔劑，另摻雜少量Ｋ－［２］Ｃｒ－［２］Ｏ－［７］或Ｆｅ－［２］（ＳＯ－［４］）－［３］.ＸＨ－［２］Ｏ或２ＣｏＣＯ－［３］.３Ｃｏ（ＯＨ...

本發明為ＫＩＯ↓［３］晶體的去孿去疇方法，屬于晶體的后處理技術領域。ＫＩＯ↓［３］晶體為非線性光學材料，可制作效應較高的光學器件，因其電疇和孿晶較復雜，目前尚無去孿去疇的方法，從而限制了該晶體的應用，本發明方法可使ＫＩＯ↓［３］晶體去孿...

一種復合功能晶體摻镥四硼酸鋁釔釹生長工藝，屬于鹽溶液冷卻法生長晶體的技術領域、用Ｋ－［２］Ｍｏ－［３］Ｏ－［１０］作助熔劑Ｎｄ－［２］Ｏ－［３］，Ｙ－［２］Ｏ－［３］，Ａｌ－［２］Ｏ－［３］，Ｂ－［２］Ｏ－［３］為原料，另加一種Ｌｕ－［...

一種鎢青銅光折變晶體及其制備工藝，屬于非線性光學晶體材料及其制備技術領域，該發明晶體為Ａ位非填滿型ＫＮＳＢＮ，摻雜劑為ＣｕＯ，作為光折變材料能廣泛應用于激光器件，光通訊，光信息處理，圖像復原，光計算，智能計算機和光學神經網絡等領域。其制...

一種摻雜鈮酸鋰晶體極化方法和裝置，屬于晶體材料后處理技術領域。本發明包括，１２３０±５℃極化溫度條件，對晶體端面、陶瓷板、Ｐｔ片電極進行整平處理，并在一可移動加熱爐與帶有樣品支架的基座扣合而成的極化裝置中進行極化。所用陶瓷板是按Ｌｉ↓［...

四方相摻雜鉭鈮酸鉀晶體及其生長工藝，屬于溶鹽提拉法生長工藝技術領域。分子組成為Ｍ：ＫＴａ↓［１－ｘ］ＮｂｘＯ↓［３］，Ｘ＝０．４０－０．５２，Ｍ是Ｆｅ，Ｃｕ，Ｎｉ，ＣＯ，Ｃｒ等之一，原料為Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］，Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］和...

本發明涉及一種ＫＤＰ型晶體生長原料的電化學提純方法及設備，屬晶體生長原料的提純方法及設備領域，通過在需要提純的晶體溶液里選擇合適的金屬材料作正負電極，并在電極上加一定的直流電壓，經恒溫密封攪拌后可分離出晶體生長原料中的有害金屬，從而達到...

本發明屬于溶液降溫法晶體生長技術領域。以１－３％的氯化鉀（鈉）水溶液為作溶劑，在起始溫度３０－４０℃硫氰酸汞鹽過飽合溶液進行旋轉籽晶降溫生長，籽晶轉速１５－３０ｒｐｍ，降溫速度０．１－０．３℃／天。生長周期１－２月可得到高光學質量的硫氰...

本發明涉及自倍頻激光非線性光學晶體材料摻稀土四硼酸鋁釓及其熔鹽法生長工藝。本發明晶體分子組成為Ｒｅ↓［ｘ］Ｇｄ↓［１－ｘ］Ａｌ↓［３］（ＢＯ↓［３］）↓［４］，０≤ｘ≤０．１８，Ｒｅ為稀土元素或過渡金屬，該晶體具有很強的非線性光學性質及...

本發明涉及一種球形無團聚釔鋁石榴石（ＹＡＧ）納米微粉的制備方法，屬于納米材料技術領域。它解決了現有技術存在的工藝復雜、合成溫度高、顆粒團聚嚴重且形狀不規則以及成本高等問題。本發明的主要內容是利用廉價的含鋁和釔原料先制備成鋁和釔的水合物，...

大截面磷酸二氫鉀類單晶體的生長方法，原料為固體ＫＤＰ類晶體的粉狀原料，生長溶液是以水或重水為溶劑配置的溶液，籽晶采用與生長晶體相同的透明Ｚ切晶片，其特征在于，具體步驟如下：　　　　（１）按所需生長晶體重量的１～１．５倍將固體ＫＤＰ類晶體...

一種生長具有半導體特性的大直徑６Ｈ－ＳｉＣ單晶的裝置，包括生長室及其側壁的水冷裝置、石墨坩堝、保溫材料和感應加熱系統，其特征在于坩堝和保溫材料放置在生長室內，生長室可達到１×１０↑［－６］ｍｂａｒ以上的真空度，由位于其外側的感應線圈提供...