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        山東大學專利技術

        山東大學共有35386項專利

        • 本發明提供了一種具有阻尼的晶體旋轉提拉裝置,由法蘭盤,柔性圓盤、錐面轉盤、摩擦錐、籽晶桿、支撐外殼和電機組成,法蘭盤與電機軸連接在一起,法蘭盤的下端面與錐面轉盤的上端面之間各固定有一個柔性圓盤,兩圓盤之間保持一定壓力;摩擦錐設在錐面轉盤...
        • 本發明屬于晶體材料技術領域。本發明的主要內容是在陶瓷坩堝內部放置一個支撐圓盤,圓盤上垂直放置一個耐火圓筒,圓筒的上端固定一個水平放置的貴金屬環,帶有邊沿的貴金屬圓筒垂直懸掛在圓環的內沿上,貴金屬坩堝隨支撐軸作旋轉和上下運動,加熱線圈可以...
        • 鈦酸鉍鈉鉀系非鉛鐵電壓電單晶及其生長方法與設備,屬于晶體生長技術領域。單晶分子通式為:(Na↓[(1-x)]K↓[x])↓[0.5]Bi↓[0.5]TiO↓[3],其中x=0~1.0。按摩爾化學計量比,Na↓[2]CO↓[3]∶K↓[2...
        • 本發明提供了一種磷酸鎵晶體的助熔劑生長法。該法以碳酸鋰-氧化鉬作助熔劑,以氧化鎵及磷酸二氫銨為原料,將磷酸二氫銨、氧化鎵、碳酸鋰、氧化鉬按1∶1.23∶1.12∶6.57的重量比稱量,混合均勻后放入鉑金坩堝中,在生長爐中加熱熔融,再冷卻...
        • 一種莫來石晶須的制備方法,屬于新材料技術領域。本發明的莫來石晶須是以工業純鋁溶膠和硅溶膠為原料,采用溶膠-凝膠工藝制備莫來石前驅體干凝膠,然后將干凝膠粉末與工業純氟化鋁混合,在密閉氧化鋁陶瓷坩堝中高溫煅燒制備而成,從而可獲得成本低廉、性...
        • 本發明公開了一種磷酸二氘鉀晶體生長溶液的高溫處理新工藝,該新工藝包括以下步驟:(1).增大濃度,加熱溶液至105℃以上沸騰,并使溶液達到飽和,不再析出結晶為止;(2).攪拌,將上述溶液快速攪拌,在10小時內冷卻至室溫;(3).溶解,在繼...
        • 本發明提供了一種助熔劑生長磷酸鋁晶體的方法,以碳酸鋰和磷酸二氫銨作助熔劑,以氧化鋁及磷酸二氫銨為原料,將各試劑稱量混合均勻后放入育晶器中,在生長爐中加熱熔融,恒溫24小時以上,冷卻至溶液飽和點溫度之上10-20℃;在高于溶液飽和點溫度1...
        • 本發明涉及一種鈮酸鋰晶體極化方法和專用設備,屬于晶體材料后處理技術領域。將鈮酸鋰晶體Y切,晶體樣品置于兩個鈮酸鋰極化晶片之間,極化晶片和晶體樣品之間有鈮酸鋰晶體粉料,上下兩個極化晶片各加一鉑片構成極化電極,極化溫度1200±5℃,加電場...
        • 本發明涉及一種硫族化合物的高壓釜合成方法:①將原料及石墨坩堝放入烘箱進行烘干除水;②在手套箱內,準確稱量各組分原料,裝入事先準備好的石墨坩堝內,密封;③將裝好料的石墨坩堝放入高溫高壓釜內,密封;④用擴散泵抽真空至2×10↑[-3]Pa后...
        • 本發明公開了一種二維平面金微納單晶盤的制備方法,由下述步驟組成:(1)配置模板,將非離子表面活性劑、包覆劑與氯金酸溶液混合,得到均勻的六角相溶致液晶;(2)將所述溶致液晶室溫下靜置反應;(3)收集所得產物,透射電鏡觀察所得產物呈現規則的...
        • 一種拉曼晶體及其制備方法與應用,屬于晶體生長與晶體器件技術領域。用提拉法制備具有白鎢礦結構的晶體BaWO↓[4],SrWO↓[4],CaWO↓[4],NaY(WO↓[4])↓[2]或NaY(WO↓[4])↓[2]。通過閃光燈或激光二極管...
        • 摻雜鈣鉭鎵石榴石晶體的制備方法和用途,光電子材料技術領域。摻雜鈣鉭鎵石榴石晶體具有如下用途:1)可用作普通的固體激光工作物質;2)用于可調諧激光器或超快激光器;3)用于自調Q固體激光器,Co↑[2+]、Nd↑[3+]共摻自調Q1.3μm...
        • 摻雜鈣鋰鉭鎵石榴石晶體的制備方法和用途,光電子材料技術領域。摻雜鈣鋰鉭鎵石榴石晶體具有如下用途:1)可用作普通的固體激光工作物質;2)用于可調諧激光器或超快激光器;3)用于自調Q固體激光器,Co↑[2+]、Nd↑[3+]共摻自調Q1.3...
        • 本發明涉及一種成分均勻的球狀摻雜鈮酸鋰多晶原料的合成方法,屬于無機材料制備領域。該法將鈮源原料在含羧酸基的有機溶劑均勻混合,形成含鈮配合物,通過熱重分析的方法計算出鈮的準確量,再加入的Li↑[+],MgO、ZnO或HfO↓[2],磁力攪...
        • 本發明提供了一種晶體生長籽晶固定裝置,該晶體生長籽晶固定裝置包括籽晶板、吊桿、連接架和籽晶桿,連接架安裝在籽晶桿的下端,吊桿至少有一根,其上端與連接架連接,籽晶板連接在各吊桿的下端。吊桿上安裝有攪拌槳。本發明結構簡單、合理,改變了現有晶...
        • 一種鈦酸鉀晶須的制備方法,屬于新材料技術領域。本發明的鈦酸鉀晶須是以工業純鉀化合物、鈦化合物固體粉末為原料,并采用氟化物作為晶須生長促進劑,經過在密閉陶瓷坩堝中高溫固相反應制備而成,獲得成本低廉、性能優良的鈦酸鉀晶須。本發明工藝簡單,易...
        • 本發明提供了一種集成式可編程晶體生長控制系統,包括溫度傳感器、微處理器、加熱器、籽晶桿轉動步進電機、晶體提拉步進電機和稱重傳感器;溫度傳感器通過其前置放大器、稱重傳感器通過稱重傳感器放大器分別與雙路信號切換開關連接,雙路信號切換開關、A...
        • 一種鈦酸鈉晶須的制備方法,屬于材料技術領域。本發明的鈦酸鈉晶須是以工業純鈉化合物、鈦化合物固體粉末為原料,并采用氟化物作為晶須生長促進劑,經過在密閉陶瓷坩堝中高溫固相反應制備而成,獲得成本低廉、性能優良的鈦酸鈉晶須。本發明工藝簡單,易于...
        • 本發明公開了一種利用固相反應在低溫制備氮化硅納米材料的方法,是將硅粉、粉末狀氨基硫脲、疊氮化鈉和碘按摩爾比0.386-0.926∶0.476-0.953∶1∶0.171-0.256混合均勻,密封在高壓釜中,于60±5℃反應12±0.5小...
        • 本發明涉及一種氧化銦單晶外延薄膜的制備方法,采用有機金屬化學氣相淀積工藝,以三甲基銦作為有機金屬源,用氮氣作為載氣,用氧氣作為氧化氣體,用有機金屬化學氣相淀積設備在真空條件下在藍寶石襯底上外延生長氧化銦單晶薄膜。該薄膜是具有單晶結構的外...
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