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        上海理工大學專利技術

        上海理工大學共有12014項專利

        • 本發明涉及一種雙徑向磁場反應式直線旋轉步進電機,步進電機定子兩段磁極產生的是軸向和徑向兩個空間相交的磁場,而轉子磁路是兩個空間徑向磁通通路,使得轉子結構大幅度簡化,并且可以使用疊片結構,增加了轉子磁導率,降低了磁路磁阻和電機體積。實現了...
        • 一種充電機電池極性接反保護電路,在變壓器T的輸出端接一套單相橋式整流器,橋式整流器的直流輸出端串聯一保險絲,還并聯一個二極管V↓[5];V↓[5]是大功率二極管,若充電機的額定電流較小時,二極管的最大整流電流應大于等于20A,若充電機的...
        • 一種室溫下準正弦功率脈沖驅動的變流器均流均壓試驗法,其特征在于,方法步驟為: (1) 把被元件放到可控穩的烘箱內,通過被測回路中的傳感器測得在實際使用的范圍內測試元件特性參數并由計算機記錄; (2) 根據計算機記錄的參數...
        • 一種固定預埋管用的預埋管固定彈簧扣,將一根鋼絲的兩端分別彎折出兩個圓形鉤,以鉤住鋼筋支架;在鋼絲的中部折出兩個大小不同的折線凹槽,對預埋管作徑向固定,以實現不需要任何工具就可快速地固定或拆卸預埋管,便于單手操作,有利于提高工作效率和施工...
        • 一種固定預埋管的彈簧扣,它是在一根鋼絲上彎折出若干個大小不同、開口方向一致的折線凹槽及兩端的圓形鉤而形成。能將預埋管快速地固定在鋼筋支架上,也可方便地拆卸或調整預埋管。
        • 本發明公開了一種半導體激光器注入電流調頻無機械飛點掃描干涉系統,特點是,它包括:注入式半導體激光器、聚焦鏡、消色差物鏡、編碼光柵、柱面反射鏡、分光棱鏡、光電位置檢測器、分析電路、微處理器、高速CCD器件和分光棱鏡構成的邁克爾遜干涉儀、其...
        • 一種帶有新型鉗凹的壓接鉗,這種新型鉗凹內含有兩層鉗口,它由小鉗槽(6)、小鉗口(7)、小限位槽(8)、大鉗口(9)和大限位槽(10)組成,能鉗壓兩種不同規格(指不同大小)的壓線帽。
        • 一種壓線鉗,它由鉗頭、鉗凸、鉗槽1、鉗口1、鉗槽2、鉗口2組成,使在原有壓線鉗的一個鉗槽內形成兩個大小不同的鉗槽,達到壓接兩種不同規格(指不同大小)的壓線帽。
        • 一種電源插板的內部電路,包括常開開關和第一插孔,其特征在于:所述常開開關包括第一電路開關和第二電路開關;所述電源插板的內部電路還包括電源電路、電流檢測電路、繼電器、三極管、第一電解電容及第一電阻。當使用者在按下按鈕開關并及時使用第一插孔...
        • 一種具有紫外響應的硅基成像器件,其特征在于:在硅基成像器件光敏元基片的一面鍍一層可將紫外輻射轉換為可見光的Alq↓[3]材料的變頻薄膜,與硅基成像器件光敏元基片致密結合。所述的變頻薄膜,Alq↓[3]材料是經過預烘烤后的有機金屬配價物A...
        • 本實用新型涉及一種大功率LED(light emittingdiode,發光二極管)散熱的回路熱管裝置,包括大功率LED、蒸發器、循環管、冷凝器、儲液器,蒸發器為平板狀,蒸發器的壁面直接與大功率LED焊接,吸收掉大功率LED燈熱量的蒸發...
        • 一種探測器表面響應特性測試儀及其測試方法,該測試儀包括光學聚焦系統、XY兩軸位置控制平臺、信號放大與采集系統、控制與顯示系統。由計算機分別連接并控制I/O端口和A/D轉換器,I/O端口分別連接并控制X、Y軸步進電機驅動電路和半導體激光器...
        • 碲鎘汞薄膜材料表面氧化膜層的處理工藝,是將碲鎘汞薄膜材料先用丙酮、無水乙醇、去離子水清洗后,經溴和無水乙醇溶液腐蝕,再用乳酸和乙二醇溶液進行表面處理,可獲得氧化物極少甚至無氧化物的碲鎘汞表面。可大大提高碲鎘汞光伏探測器陣列的光電性能、成...
        • 一種太陽能發熱衣服,它由光電池、充電器、蓄電池、控制器和發熱軟膜用導線依次連接組成。當光電池受到光照時即產生電流,電流流經發熱軟膜產生熱量,能制成自身發熱的衣服。
        • 一種探測器表面響應特性測試儀,該測試儀包括光學聚焦系統、XY兩軸位置控制平臺、信號放大與采集系統、控制與顯示系統。由計算機分別連接并控制I/O端口和A/D轉換器,I/O端口分別連接并控制X、Y軸步進電機驅動電路和半導體激光器,X、Y軸步...
        • LED芯片發出的光在出射芯片的時候,有相當一部分被芯片與外界的界面反射,因此導致LED芯片光的損失。本實用新型設計的一種高出光效率的LED芯片,其特點是:它在LED芯片表面加鍍單層增透膜,鍍膜材料選取TiO↓[2],單層增透膜TiO↓[...
        • 本發明公開一種表面等離子共振傳感器及其制作方法,它涉及到傳感器制作技術領域。首先以一種K9玻璃材料為襯底、在所述襯底上制備一單模條形光波導、在所述光波導上淀積一層厚度約為50nm的金屬薄膜、在所述金屬薄膜上制作一個微型樣品池和一個微型參...
        • 本發明公開了一種采用相變方法實現絕緣體上應變硅的制作方法,它通過致密光滑的非晶硅沉積技術、低溫鍵合技術、非晶硅到微晶硅的不可逆相變控制以及微晶硅的內氧化技術的巧妙組合,避免了現有SSOI材料制備中昂貴的鍺硅外延和化學機械拋光工藝,而且完...
        • LED芯片發出的光在出射芯片的時候,有相當一部分被芯片與外界的界面反射,因此導致LED芯片光的損失。本發明提出一種用于提高LED芯片出光效率的薄膜及鍍膜方法,薄膜沉積在LED芯片表面上,膜系為單層增透膜,材料選取TiO↓[2],厚度是出...
        • 本發明涉及一種大功率LED散熱裝置,特點是它包括大功率LED、蒸發器、循環管、冷凝器、儲液器,蒸發器為平板狀,蒸發器的壁面直接與大功率LED焊接,蒸發器、冷凝器和儲液器通過循環管依次連接。穿過儲液器伸入到平板式蒸發器內部的回流管段部分在...
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