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        香港應(yīng)用科技研究院有限公司專利技術(shù)

        香港應(yīng)用科技研究院有限公司共有694項(xiàng)專利

        • 便攜的交互式白板模塊
          本發(fā)明提供一種用于在用戶可定義區(qū)域中確定接觸點(diǎn)位置的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括多個(gè)模塊。在設(shè)置階段,用戶對(duì)每個(gè)模塊進(jìn)行定位,以定義區(qū)域的邊緣點(diǎn)。示例性地,一個(gè)模塊包括用于檢測(cè)該模塊和另一模塊之間的校準(zhǔn)的裝置、用于測(cè)量模塊間距的裝置、以及用于進(jìn)行無(wú)...
        • 一種實(shí)時(shí)的多視圖合成器,其能減少閃爍。通過(guò)立體匹配從立體圖像產(chǎn)生第一深度圖。當(dāng)立體匹配比較差或幀到幀的變化太大時(shí),視差備選就選擇從單視點(diǎn)圖像產(chǎn)生的不經(jīng)過(guò)立體匹配的第二深度圖,這有效防止立體匹配誤差而產(chǎn)生可見(jiàn)的失真和閃爍。平坦的或無(wú)紋理區(qū)...
        • 本發(fā)明提供了一種方法,該方法包括非接觸光學(xué)搜索以及接觸壓力搜索。在非接觸光學(xué)搜索中,使用光學(xué)傳感單元沿著掃描路徑掃描皮膚,同時(shí)保持該單元和皮膚表面之間為預(yù)定距離。通過(guò)非接觸光學(xué)搜索確定動(dòng)脈的大致位置,從而確定接觸壓力搜索的掃描路徑,同時(shí)...
        • 通過(guò)計(jì)算裝置進(jìn)行面部識(shí)別的方法和裝置
          本發(fā)明披露了一種通過(guò)計(jì)算裝置使用自適應(yīng)搜索窗口和局部相似度分布分析以進(jìn)行面部識(shí)別的方法和裝置。所述方法包括:通過(guò)所述計(jì)算裝置的處理器,識(shí)別一個(gè)目標(biāo)圖像的一個(gè)或多個(gè)特征;通過(guò)所述處理器將所述目標(biāo)圖像的一個(gè)或多個(gè)特征中的至少一個(gè)特征與一個(gè)參...
        • 用于檢測(cè)和跟蹤一個(gè)物體上多個(gè)部位的系統(tǒng)和方法
          本發(fā)明披露了一種檢測(cè)一個(gè)物體至少一個(gè)預(yù)定部位的姿勢(shì)的系統(tǒng)和方法,包括步驟:從由第一圖像傳感器拍攝的第一圖像中,提取出第一物體形狀;計(jì)算所述第一物體形狀一個(gè)預(yù)定區(qū)域內(nèi)的所述預(yù)定部位的一個(gè)特征尺寸值;根據(jù)所述特征尺寸值,構(gòu)建一個(gè)掩膜;通過(guò)將...
        • 本發(fā)明涉及由式(I)表示的一種新化合物。該新化合物用作銅電鍍的添加劑。本發(fā)明披露了整平劑的化學(xué)結(jié)構(gòu)、一種含有同一整平劑的電鍍液、一種制備添加劑的方法和一種使用含有所述添加劑的電鍍液對(duì)基板進(jìn)行電鍍的方法。本發(fā)明的添加劑化合物/分子提供了每...
        • 增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)應(yīng)用中的可變形表面跟蹤
          本發(fā)明提供一種用于增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)應(yīng)用的可變形表面上的標(biāo)記跟蹤的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法,包括:在一個(gè)視頻拍攝場(chǎng)景中的當(dāng)前視頻幀內(nèi),檢測(cè)圖像關(guān)鍵點(diǎn);進(jìn)行關(guān)鍵點(diǎn)關(guān)聯(lián)搜索,并匹配圖像關(guān)鍵點(diǎn)和標(biāo)記的原始圖像中的模型關(guān)鍵點(diǎn),包括:為每個(gè)圖像關(guān)鍵點(diǎn),計(jì)算關(guān)鍵點(diǎn)匹配...
        • 本發(fā)明披露了一個(gè)圖像投影儀,用于增強(qiáng)一個(gè)物理物體的外表,也稱為增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)投影儀。增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)投影儀包括一個(gè)光學(xué)裝置,為所述物理物體的一個(gè)投影圖像投影回到該物體本身提供精確的匹配,而不是使用數(shù)字圖像處理來(lái)做到。可以使用數(shù)字圖像處理來(lái)增強(qiáng)圖像特征...
        • 本發(fā)明提供一種全固定的一體單元,用于校準(zhǔn)使用探測(cè)光束的脈搏血氧儀的。所述一體單元的主體基本上由一種混合材料組成。混合材料包括一種或多種聚合物材料(用于形成所述一體單元主體的柔性固體介質(zhì))、一種或多種散射材料(用于散射所述探測(cè)光束)、和一...
        • 本發(fā)明提供一種光學(xué)方法和一種系統(tǒng),通過(guò)使用一個(gè)投影儀和一個(gè)相機(jī),獲得物體關(guān)于基準(zhǔn)面的位置信息和/或運(yùn)動(dòng)信息,包括檢測(cè)所述物體是否觸及所述基準(zhǔn)面。一個(gè)表面映射圖被用于映射基準(zhǔn)面上的一個(gè)位置和相機(jī)拍攝圖像(有基準(zhǔn)面上的畫(huà)面)上的一個(gè)相應(yīng)位置...
        • 新型的鏡頭移動(dòng)裝置
          本發(fā)明涉及一個(gè)新型的鏡頭移動(dòng)裝置,包括一個(gè)鏡頭架和連接到鏡頭架的一個(gè)電磁致動(dòng)器,所述電磁致動(dòng)器包括多個(gè)磁體和連接到鏡頭架的第一線圈、第二線圈和第三線圈。還涉及一種方法,包括:施加一個(gè)電流到置于鏡頭架外圍表面的第一線圈上,驅(qū)使所述鏡頭架沿...
        • 本發(fā)明披露了一種雙傳感光學(xué)系統(tǒng),其能夠傳輸信號(hào)用于眼睛和物體更跟蹤和/或檢測(cè),和/或能夠傳輸可見(jiàn)光到用戶眼睛,能夠傳輸非可見(jiàn)光用于眼動(dòng)跟蹤和物體檢測(cè)和/或跟蹤。
        • 本發(fā)明提供了一種電化學(xué)分析裝置和一種用于評(píng)估微孔填充用電解液電鍍配方性能的方法。電化學(xué)分析裝置包括:電力產(chǎn)生裝置、電輸出信號(hào)測(cè)量裝置、電化學(xué)測(cè)量裝置和運(yùn)動(dòng)發(fā)生器。本發(fā)明的電化學(xué)測(cè)量裝置包括一支撐結(jié)構(gòu)、一空腔、一腔電極和一表面電極。在電鍍...
        • 本發(fā)明披露了一個(gè)天線電路,其包括一阻抗電路,用于抵消從單向耦合器輸入端口到隔離端口的信號(hào)泄漏。該天線電路還包括第二阻抗電路,用于優(yōu)化從單向耦合器輸入端口到輸出端口的功率傳輸。此外,該天線是可調(diào)的,用以最大限度地提高天線的接收強(qiáng)度。該天線...
        • 本發(fā)明披露了一種用于鋰離子電池陽(yáng)極的復(fù)合材料及其制作方法,其中復(fù)合材料包括一種多孔電極復(fù)合材料。碳基材料形成在孔壁上是在孔隙原處形成的。多孔電極復(fù)合材料提供空間以在電池充電和放電期間容納體積變化,同時(shí)碳基材料能夠改善電極復(fù)合材料的導(dǎo)電性...
        • 在輸入觸摸面板上使用傳感模塊確定真正觸點(diǎn)的方法及系統(tǒng)
          本發(fā)明提供了一個(gè)用來(lái)確定輸入觸摸面板上真正觸點(diǎn)的方法和系統(tǒng)。使用兩個(gè)光學(xué)傳感模塊對(duì)來(lái)確定兩組可能觸摸區(qū),并對(duì)虛擬陰影區(qū)進(jìn)行重疊檢測(cè)以找出潛在觸點(diǎn)。采用遮擋檢測(cè)以從潛在觸點(diǎn)獲取真正觸點(diǎn)。本發(fā)明的方法能夠快速可靠地獲取真正觸點(diǎn)。此外,本發(fā)明...
        • 具有自動(dòng)對(duì)焦調(diào)整的可互換變焦透鏡致動(dòng)器
          本發(fā)明涉及一個(gè)光學(xué)模塊,其包括可互換鏡頭而調(diào)整該光學(xué)模塊的縮放倍數(shù)或?qū)埂?
        • 本發(fā)明披露了一種能高效散熱的全向發(fā)光的照明裝置。在一個(gè)實(shí)施例中,照明裝置包括沿圓周布置的照明模塊,以至能產(chǎn)生全向光,照明裝置還包括支撐單元,其連接到每個(gè)照明模塊的散熱側(cè)用于提供機(jī)械支撐。最小限度地包圍所有照明模塊而形成的一個(gè)空間包括第一...
        • 本發(fā)明披露了一種在低交流輸入電壓上運(yùn)行的橋式整流器,例如射頻識(shí)別(RFID)裝置接收到的低電壓。由于橋式二極管而引起的電壓降可以得到避免。四個(gè)p-溝道晶體管安排成在交流輸入端之間的晶體管橋,產(chǎn)生一個(gè)內(nèi)部電源電壓。另外四個(gè)二極管接法晶體管...
        • 一種靜電放電(ESD)保護(hù)電路,包括一垂直NPN晶體管,含有浮動(dòng)P-型基極,其由在一N+源極區(qū)之下進(jìn)行深P-型注入形成。所述深P-型注入可以是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中的一個(gè)ESD注入。該P(yáng)-型注入提供一個(gè)低的初始回跳觸發(fā)電壓,但是保持電壓...
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