提供有機化合物的制造方法，其包括對填充有鎂的填充塔重復進行將包含有機溶劑的液體通液的操作的工序，向進行前述通液前的液體添加包含有機鹵化物的原料。另外，提供有機化合物的制造裝置，其具有：填充有鎂的填充塔；對前述填充塔重復進行將包含有機溶劑...

提供可提供耐久性及外觀優異的固化物的光致變色固化性組合物和外觀特別良好的固化物(光致變色層疊體)。根據實施方式，光致變色固化性組合物包含：(A1)第1受阻胺化合物，其具有至少1個選自由自由基聚合性基團及與自由基聚合性基團反應的基團組成的...

本發明的多晶硅破碎物填充用包裝袋，是用于直接包裝多晶硅破碎物的包裝袋(1)，該包裝袋由多層薄膜構成，在該多層薄膜中，最內層配置有不含添加劑的聚乙烯系樹脂層(2)，且在上述聚乙烯系樹脂層上至少疊層了氣體阻隔層(3)以及加強材料層(4)。以...

提供紫外線照射裝置，其中，在棒狀的紫外線光源的周圍以螺旋狀卷繞有供紫外線被照射物流通的流通管。另外，提供有機化合物的純化方法，其是對包含有機鉛化合物作為雜質的有機化合物進行純化的方法，前述純化方法包括：使用上述紫外線照射裝置對前述有機化...

提供可提供外觀優異的固化物的光致變色固化性組合物、和包含該固化物的光致變色光學物品及其制造方法。根據實施方式，能夠提供一種光致變色固化性組合物，其包含(A)硅氧烷，其具有非環狀的聚硅氧烷鍵、以及自由基聚合性基團和與自由基聚合性基團反應的...

本發明提供在混合于樹脂組合物中時，能夠得到機械強度出色的硬化體的表面處理無機粉末及其制造方法、以及含有該表面處理無機粉末的分散體及樹脂組合物，其是滿足下式(1)和下式(2)的表面處理無機粉末及其制造方法、以及含有該表面處理無機粉末的分散...

本實用新型提供一種能夠促進氣液分離的電解槽單元。電解槽單元(2)具備電極室(4)(陽極室(8)、陰極室(10))、配置于陽極室(8)的上方的陽極側氣液分離室(30)以及配置于陰極室(10)的上方的陰極側氣液分離室(32)。在劃分陽極室(...

本發明提供一種氮化鋁顆粒狀粉末，其由氮化鋁燒結顆粒構成，根據通過干式粒子圖像分析裝置測得的最大長度求出的、體積基準的粒徑分布中的最大峰徑處于30～200μm的范圍內，在具有粒徑為上述最大峰徑的30％以上的燒結顆粒中，通過干式粒子圖像分析...

本發明的目的在于提供具有優異的光致變色特性及機械特性的樹脂組合物。本發明為一種樹脂組合物，其包含(i)分子鏈中具有丙二醇鏈的氨基甲酸酯系樹脂及(ii)光致變色化合物，將通過

本發明的固化性組合物含有：(A)環狀單體，其在分子內具有聚合性官能團及離子性官能團這兩者；和(B)聚合性單體，其具有能夠與前述(A)環狀單體的前述聚合性官能團聚合的聚合性官能團。根據本發明，可以提供可成為耐磨耗性高、在不損害機械特性下提...

本發明的中空微球是由使聚合性組合物聚合而成的樹脂形成的，聚合性組合物包含導入至少3個以上的在末端導入有聚合性官能團的側鏈的含側鏈的環狀分子和前述導入至少3個以上的在末端導入有聚合性官能團的側鏈的含側鏈的環狀分子以外的聚合性單體。根據本發...

本發明的微小中空顆粒的特征在于，其是由三聚氰胺系樹脂形成的樹脂膜所構成的微小中空顆粒，前述樹脂膜由多個小片狀部分及將它們結合的結合部分構成。根據本發明，可以提供具有優異的耐溶劑性、耐熱性、分散性良好、為大粒徑且穩定的微小中空顆粒。徑且穩...

本發明為一種固化性組合物，其包含：(A)含有在末端具備具有活性氫的基團的側鏈3個以上的含側鏈環狀分子；(B)在分子的兩末端具有異(硫)氰酸酯基的氨基甲酸酯預聚物；(C)二醇；和，(D)含氨基的單體。根據本發明，可以提供：成為耐磨耗性高、...

[課題]本發明的目的在于，提供一種六方氮化硼粉末，其能夠得到耐焊接熱優異的樹脂組合物。[解決方案]通過六方氮化硼粉末，可以改善樹脂組合物的耐焊接熱，對于所述六方氮化硼粉末，將水作為吸附物種而測得的BET比表面積(S

根據本發明，提供保存穩定性高的次氯酸水，其中，每100ppm有效氯濃度的鈉離子的離子濃度為20ppm以下，并且，硅化合物的含量以硅換算計為20ppb以下。算計為20ppb以下。

本發明的課題在于提供羥基噻吩并咪唑衍生物、乙烯基硫醚衍生物、正丁亞基硫醚衍生物、及飽和直鏈烴取代噻吩并咪唑衍生物的高收率的制造方法，為了解決該課題，一個實施方式涉及的制造方法包括將式(I)表示的硫內酯衍生物與式(1)或(2)表示的格氏試...

[技術問題]提供一種氮化硼粉末及其制造方法，可在具有較小粒徑的氮化硼粉末中顯著降低存在于其表面的金屬雜質的量，充分實現高純度化。[解決手段]一種六方氮化硼粉末，其平均粒徑(D50)為2.0～6.0μm，通過BET法測定的比表面積為4～1...

本發明提供可抑制III族氮化物單晶基板的氮極性面粗糙并去除異物的III族氮化物單晶基板的清洗方法及III族氮化物單晶基板的制造方法。本發明的III族氮化物單晶基板的清洗方法，其特征在于，其是具有III族元素極性面與設于該III族元素極性...

本發明提供一種處理液，其是半導體晶片處理液，所述處理液包含：至少一種次鹵酸離子；以及選自鹵酸離子、亞鹵酸離子以及鹵化物離子中的至少一種陰離子物種，所述陰離子物種中的至少一種陰離子物種的含量相對于所述處理液為0.30mol/L以上且6.0...

本發明的目的在于提高多晶硅棒整體的純度。在多晶硅棒(1)中，外側總濃度(C1)為100pptw以下，且外側總濃度(C1)相對于內側總濃度(C2)的比率為1.0以上且2.5以下。濃度(C2)的比率為1.0以上且2.5以下。濃度(C2)的比...