[課題]本發(fā)明提供一種氮化鋁粉末，其作為制造氮化鋁燒結(jié)體、尤其是通過加壓成型來進行制造時的原料是有用的，所述氮化鋁燒結(jié)體是作為絕緣性高導熱構(gòu)件是優(yōu)異的。[解決方案]一種氮化鋁粉末，其特征在于，其是由球形度為0.8以上的顆粒形成的，所述氮...

本發(fā)明提供以較少的鋰量制造出包含厚壁六方晶氮化硼顆粒的六方晶氮化硼粉末的制造方法。一種六方晶氮化硼粉末的制造方法，其特征在于，包括：混合粉末準備工序，所述混合粉末包含：含氮原子的有機化合物、以及硼原子相對于上述氮原子的摩爾比被調(diào)整為0....

制造塊狀物狀態(tài)的氮化鋁，其能通過輕粉碎很容易地細化，這是通過現(xiàn)有的燃燒合成法無法得到的。一種氮化鋁粉末的制造方法，其為通過使用金屬鋁粉末的燃燒合成法制造氮化鋁的方法，其特征在于，將混合粉末在氮氣氣氛下點火使其燃燒，所述混合粉末是將作為稀...

本發(fā)明提供濕氣固化型聚氨酯組合物，其含有(A)濕氣固化型聚氨酯、和(B)有機溶劑，(A)濕氣固化型聚氨酯是使(A1)在分子內(nèi)具有2個以上異氰酸酯基的多異氰酸酯化合物與(A2)在分子內(nèi)具有2個以上羥基的數(shù)均分子量為50～300的低分子量多...

本發(fā)明提供：光致變色固化性組合物，其含有(A)(甲基)丙烯酸酯組合物、和(B)光致變色化合物而成，所述(A)(甲基)丙烯酸酯組合物中在分子內(nèi)具有3個以上(甲基)丙烯酰基的多官能(甲基)丙烯酸酯的含有率為24～100質(zhì)量％，所述(B)光致...

本發(fā)明提供鹵代烴鎂化合物的制造方法，其包括使鹵代烴化合物與比表面積為1

本發(fā)明的金屬氮化物的制造方法是在氮氣氣氛下，引燃反應容器中填充的含有金屬粉末的原料粉末，使通過所述金屬的氮化反應產(chǎn)生的氮化燃燒熱傳遞到所述原料粉末整體，由此制造所述金屬的氮化物的方法，其特征在于，在由所述原料粉末構(gòu)成的層的上表面上形成隔...

本發(fā)明是一種氮化硅燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，將成型體在非活性氣體氣氛和0MPa

本發(fā)明的金屬氮化物的制造方法為如下所述的金屬氮化物的制造方法：在氮氣氣氛下，引燃反應容器(2)中收容的含有金屬粉末的原料粉末，使金屬粉末的氮化燃燒熱傳遞到收容的原料粉末整體，由此合成金屬的氮化物，其特征在于，將原料粉末制成空隙率為40～...

本發(fā)明的微球是包含聚氨酯(脲)的微球，其特征在于，在該微球的內(nèi)表面具有離子性基團。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種微球，通過將其用于CMP用拋光墊，能夠提高與拋光用漿料液的親和性，能夠在不降低拋光墊的樹脂強度的情況下表現(xiàn)出良好的拋光特性。現(xiàn)出良...

針對前述副產(chǎn)氯化氫氣體，實施包括以下1)～3)工序的純化工藝，制造高純度氯化氫氣體。1)粗鹽酸的生成工序，使前述副產(chǎn)氯化氫氣體吸收于水中；2)去除了揮發(fā)性有機雜質(zhì)的鹽酸的生成工序，在20～45℃的液溫下使非活性氣體與前述1)工序中得到的...

提供磁性異物含量高度減少、電絕緣性優(yōu)異的六方氮化硼粉末、以及能夠以低成本制造前述六方氮化硼粉末的制造方法。一種六方氮化硼粉末、及包括特定的多個工序的前述磁性異物含量減少的六方氮化硼粉末的制造方法，所述六方氮化硼粉末的特征在于，其為由六方...

提供一種分散性優(yōu)異的微球的制造方法，其中，所述微球為通過在W/O乳液中的界面加聚反應法所制作的包含聚氨酯(脲)的微球。具體而言，提供一種微球的制造方法，其特征在于，通過在W/O乳液中的界面加聚反應法，形成由聚氨酯(脲)構(gòu)成的微球分散液，...

本發(fā)明降低了因氯化鋁析出而導致的配管的側(cè)壁內(nèi)表面的腐蝕。一種三氯硅烷的制造方法，在蒸餾工序(S3)中，通過使從蒸餾塔(4)排出的排出液(10)流過側(cè)壁(12)的內(nèi)表面(15)被陶瓷層(13)覆蓋的第2配管(100)的內(nèi)空部(19)，由此...

改性飛灰的制造方法，其是利用浮游選礦法從飛灰中分離未燃碳而制造未燃碳含量得以降低的改性飛灰的方法，所述制造方法包括：漿料制備工序，其制備包含上述飛灰、水、捕集劑和起泡劑的漿料；泡沫除去工序，其針對上述漿料從下方供給氣體而使其產(chǎn)生氣泡，除...

一種堿性水電解槽用彈性墊，其具備至少一張使用金屬線織成或編成的、在厚度方向上具有彈簧彈性的金屬網(wǎng)，該金屬線是線徑為0.16mm～0.29mm的單線或者通過將多根線徑為0.08mm～0.15mm的單線集束起來而成的線束，或它們的組合。合。合。

本發(fā)明的一個實施方式所涉及的脫濕方法包括：第1脫濕工序，該工序使氯化氫氣體(21)和濃硫酸(13A)接觸；以及第2脫濕工序，該工序使經(jīng)過了上述第1脫濕工序的氯化氫氣體(21A)與濃硫酸(13B)接觸。上述第2脫濕工序中使用的濃硫酸的濃度...

本發(fā)明提供一種能夠?qū)⒐栊揪€的表面整體均勻蝕刻的裝置。硅芯線(C1、C2、C3)的蝕刻裝置(1)具備：蝕刻液槽(11、12)，蝕刻液槽(11、12)容納蝕刻液(L1、L2)；多個芯線支持構(gòu)件(31)，芯線支持構(gòu)件(31)形成有硅芯線(C1...

本發(fā)明降低所要制造的多晶硅的雜質(zhì)濃度。多晶硅(S1)的制造裝置(1)具備：反應器(10)，反應器(10)容納硅析出用的原料氣體(G1)；供給配管(20)，供給配管(20)形成供給流道，供給流道包括流入原料氣體(G1)并且形成于反應器(1...

本發(fā)明提供一種RuO4氣體的產(chǎn)生抑制劑、以及抑制RuO4氣體的方法，所述RuO4氣體的產(chǎn)生抑制劑在半導體元件的制造工序中使用，抑制使包含釕的半導體晶片與處理液接觸時產(chǎn)生的RuO4氣體。具體而言，本發(fā)明提供一種抑制劑，其為用于在半導體形成...