一種多晶硅原料，其特征在于，所述多晶硅原料是包含多種多晶硅塊的單晶硅制造用多晶硅原料，將在多晶硅原料的主體內存在的施主元素的合計濃度設為Cd1[ppta]、在多晶硅原料的主體內存在的受主元素的合計濃度設為Ca1[ppta]、在多晶硅原料...

一種多晶硅原料，其是包含多種多晶硅塊的單晶硅制造用多晶硅原料，將在多晶硅原料的主體內存在的施主元素的合計濃度設為Cd1[ppta]、在多晶硅原料的主體內存在的受主元素的合計濃度設為Ca1[ppta]、在多晶硅原料的表面存在的施主元素的合...

本發明為光致變色光學物品，是將一對光學物品用板用包含光致變色化合物、和選自聚氨酯樹脂、環氧樹脂和丙烯酸系樹脂中的至少一種的樹脂的粘接層接合而成的光致變色光學物品，其中，從一對光學物品用板的中心點在同心圓上的粘接層的厚度的偏移為

本發明的二氧化硅－二氧化鈦復合氧化物粉末的平均粒徑D(μm)為0.1μm以上且3.0μm以下，在589nm測量波長下的平均折射率為1.47以上，通過將二氧化硅－二氧化鈦復合氧化物粒子以30質量％分散在折射率與該平均折射率相同的液體中而測...

本發明是一種飛灰的改性方法，通過將包含未燃碳的飛灰原粉加熱以降低未燃碳含量，其特征在于：(a)使用加熱裝置作為加熱飛灰原粉的手段，其中加熱通過使飛灰原粉通過加熱的介質流化床來進行；(b)使高溫氣流通過加熱裝置的內部，由此形成加熱的介質流...

本發明提供一種穩定地實施通過金屬硅的氯化反應來制造氯硅烷類的方法的方法。通過金屬硅的氯化反應來制造氯硅烷類時，作為所述金屬硅，使用鈉的含量按元素換算計為1ppm以上且90ppm以下、鋁的含量按元素換算計為1000ppm以上且4000pp...

提供一種處理液，其為在半導體形成工序中處理半導體晶圓的處理液，其含有：(A)次氯酸根離子、(B)pH緩沖劑、(C)下述式(1)所示的四烷基銨離子。(式中，R1、R2、R3和R4獨立地為碳數1～20的烷基。)))

提供半導體形成工序中使用的半導體晶圓用的處理液等。提供一種處理液等，其含有：(A)次氯酸根離子、(B)下述式(1)所示的烷基銨鹽。(式中，a為6～20的整數，R1、R2、R3獨立地例如為碳數1～20的烷基。X

本發明提供了一種二氧化硅粉末，當將其用作半導體密封劑等的樹脂填料時，能夠獲得間隙滲透性優異且粘度低的樹脂組合物。(1)通過離心沉降法獲得的質量基準粒度分布的累積50％質量粒徑D

本發明的目的在于，對于填充于樹脂袋中的多晶硅塊狀物的包裝體，即使長期保存、在輸送中暴露于高溫高濕環境，也會抑制多晶硅塊狀物產生污漬。本發明的多晶硅塊狀物包裝體的特征在于，其是表面金屬濃度為1000pptw以下的多晶硅塊狀物填充于樹脂袋中...

本發明涉及硅蝕刻液、使用該蝕刻液的硅器件的制造方法以及基板處理方法。提供一種硅蝕刻液，其能抑制硅的晶體取向的影響，能與多晶硅膜中的單晶粒的晶體取向無關地進行同樣的蝕刻處理。一種各向同性硅蝕刻液，其特征在于，包含氫氧化季銨、水、以及選自由...

本發明提供一種純化氯硅烷類的制造方法，其特征在于，使含有硼化合物和/或磷化合物的、粗制三氯硅烷、粗制四氯化硅等粗制氯硅烷類，在2－甲基苯酚等烷基苯酚的存在下，與氯接觸(優選相對于1摩爾粗制氯硅烷類為1～3000ppm摩爾)之后進行蒸餾。

本發明的目的在于，提供一種以TMAH等四級銨化合物為主劑的蝕刻液，該蝕刻液提高對硅的蝕刻速度，且蝕刻中不在蝕刻面形成附著物，而且即使長時間、連續使用蝕刻速度也不下降。本發明的硅蝕刻液的特征在于，包含下述式(1)所示的酚化合物、四級銨化合...

本發明為一種光學材料用固化性組合物，其特征在于，含有：(A)自由基聚合性單體100質量份，(B)極大吸收波長為360nm以上且小于380nm、且與自由基聚合性單體(A)的溶解度參數(SP值)之差的絕對值為5.5(cal/cm

本發明是在通過金屬硅與氯化氫的反應來制造氯硅烷類時，作為所述金屬硅，將油分的附著量為5ppmw以下的金屬硅粉作為所述金屬硅供于反應。

一種氮化鋁粒子，至少包含第一六邊形錐臺(1?a)和第二六邊形錐臺(1?b)，形成使第一六邊形錐臺(1?a)的下底面(3)與第二六邊形錐臺(1?b)的下底面(3)相對的形狀，對于第一六邊形錐臺(1?a)和第二六邊形錐臺(1?b)的每一個，...

本發明為一種光學材料用組合物以及含有該組合物的光學材料，所述光學材料用組合物的特征在于，含有(A)聚合性單體100質量份、和(B)極大吸收波長為360nm以上且小于380nm的具有特定結構的紫外線吸收劑0.001～0.3質量份。根據本發...

本發明涉及一種光學材料用固化性組合物，其特征在于，含有(A)自由基聚合性單體100質量份、(B)極大吸收波長為560nm以上620nm以下的范圍的四氮雜卟啉化合物0.005～0.5質量份、和(C)極大吸收波長為330nm以上350nm以...

本發明的目的在于實現具有高導熱性和高絕緣耐力的樹脂片。本發明的一個方面所涉及的六方晶氮化硼粉末，包含由六方晶氮化硼一次顆粒團聚得到的六方晶氮化硼團聚顆粒，比表面積為0.5m

本發明提供一種不受使用的原材料的影響，高效地獲得高純度且具有各種BET比表面積的檸檬酸鐵水合物的制造方法。本發明包含改性的檸檬酸鐵水合物的制造方法，其包括：工序2，使含有水、氯化鐵和原料檸檬酸鐵的溶解液與水溶性有機溶劑接觸。