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        株式會社德山專利技術

        株式會社德山共有619項專利

        • 紫外線殺菌裝置
          紫外線殺菌裝置包括紫外線殺菌單元,該紫外線殺菌單元具有:殼體,其具有開口部;紫外線透過窗,其具有內側面以及與該內側面相反的一側的外側面,并且以封閉殼體的開口部的方式朝向殼體的內部地配置內側面,紫外線能夠穿透該紫外線透過窗;光源,其具有一...
        • 氟化鑭單晶和光學部件
          提供一種氟化鑭單晶,其特征在于,添加有堿土金屬,波長9.3μm的光的內部透射率為85%/mm以上,提供:在紅外線區域具有高的透射性、可以適合用于激光用相位板和激光加工機、氣體探測器、火焰探測器、紅外線照相機等的透鏡、光學窗材料等的氟化鑭...
        • 紫外線殺菌裝置
          一種紫外線殺菌裝置,具有深紫外線光源和控制單元,所述深紫外線光源具有一個以上的深紫外線發光二極管,向被殺菌體射出深紫外線,該控制單元對從(1)作為向被殺菌體照射深紫外線的時間而定義的照射時間t、(2)被殺菌體與深紫外線光源之間的距離d、...
        • 光致變色固化物的制造方法
          本發明涉及一種光致變色固化物的制造方法,其特征在于,使光致變色組合物固化,所述光致變色組合物含有:(A)1分子中具有2個以上異氰酸酯基和/或異硫氰酸酯基的多異(硫)氰酸酯化合物、(B)1分子中具有2個以上羥基和/或巰基的多元(硫)醇化合...
        • 本發明的硅油處理二氧化硅粒子是一種具備二氧化硅粒子本體和硅油的硅油處理二氧化硅粒子,二氧化硅粒子本體的BET比表面積為70m
        • 芯線支架以及硅的制造方法
          芯線支架(3)被安裝于在采用西門子法的硅制造裝置(20)的底盤上布置的電極(2)上,所述芯線支架(3)具有硅芯線保持部(9),該硅芯線保持部(9)呈近似圓錐臺形狀,并且用于保持硅芯線(4)以及向硅芯線(4)通電。在硅芯線保持部(9)的近...
        • 包括液態化學物質用的容器與化學物質供給源的系統以及包括液態化學物質用的容器與化學物質消耗裝置的系統
          本發明提供一種能夠較佳地用作高純度三氯氫硅那樣的高純度的液態化學物質用的容器的、盡可能防止液態化學物質的污染的液態化學物質用的容器。容器具備容器主體和附設于該容器主體的連接單元。連接單元包含化學物質流路及氣體流路。在化學物質流路的伸出部...
        • 具有被覆層的塑料透鏡的制造方法
          通過準備在塑料透鏡的一個表面具有包含光固化性組合物的未固化被覆層并且使水凝膠附著于另一表面的光照射用塑料透鏡,對該未固化被覆層進行光照射而使該未固化被覆層固化,接下來將水凝膠除去,從而能夠對于具有各種形狀的塑料透鏡以高生產率、不會引起變...
        • 用于陰離子膜型燃料電池的燃料氣體用加臭劑、燃料氣體以及使用了陰離子膜型燃料電池的發電系統
          本發明提供一種用于陰離子膜型燃料電池的燃料氣體用加臭劑,其燃燒后不生成有害的硫化合物,不使燃料電池的性能劣化,能夠檢測低濃度下的泄露,即使通過氣味以外的方法、例如目測也能檢測氣體的泄露。一種用于陰離子膜型燃料電池的燃料氣體用加臭劑,其特...
        • 多晶硅破碎物、其制造方法及多晶硅塊破碎裝置
          本發明提供一種多晶硅破碎物、其制造方法及多晶硅塊破碎裝置。多晶硅破碎物能夠對制造單結晶硅晶棒時的操作性、生產性有所幫助。多晶硅破碎物是由破碎多晶硅塊而得,其中粒子尺寸500~1000μm的多晶硅粉的含有比例是0.1~40ppmw。
        • 加壓流體殺菌裝置
          本發明提供一種紫外線殺菌裝置,其能夠在短時間內對大量的氣體和加壓狀態的液體高效地進行紫外線殺菌,能夠實現緊湊化,并且能夠長期穩定且安全地使用裝置。該加壓流體殺菌裝置具有界定加壓空間的耐壓性容器或配管,通過向存在于該容器或配管內的加壓氣體...
        • 單晶硅的制造方法
          本發明的目的在于開發一種通過含有碳來抑制結晶缺陷的單晶硅的制造方法,采用該方法,碳容易地向硅融液的混合、熔解。本發明的單晶硅的制造方法是從收納在坩鍋內的硅融液中拉制出單晶硅的同時使其成長的單晶硅體的制造方法,使用利用西門子法制造出的多晶...
        • 多晶硅包裝體
          本發明的課題在于提供一種包裝體,其是在由厚度薄、具體而言300μm以下的厚度的聚乙烯系樹脂薄膜形成的袋中填充有多晶硅粉碎物(Si粉碎物)的包裝體,其有效地防止由該Si粉碎物導致的袋的破損。根據本發明,提供一種多晶硅包裝體,其在由平均厚度...
        • 本發明的課題在于提供不會使氮化鋁單結晶基板表面被蝕刻,而有效地去除存在于該基板表面尺寸1μm以下的細微異物的方法。本發明的解決手段是使用選自由氫氧化鉀及氫氧化鈉所組成的群的堿的濃度為0.01~1質量%的堿性水溶液,及硬度較氮化鋁單結晶低...
        • n型氮化鋁單晶基板
          本發明的目的在于提供一種摻雜硅的、高性能的n型氮化鋁單晶基板。該n型氮化鋁單晶基板摻雜有硅,在23℃時的光致發光測定中,在370~390nm處具有峰的發光光譜強度(I1)與氮化鋁的帶邊的發光峰強度(I2)之比(I1/I2)是0.5以下,...
        • n型氮化鋁單晶基板以及垂直型氮化物半導體器件
          本發明的目的在于提供一種使用摻雜Si的n型氮化鋁單晶基板的垂直型半導體二極管。一種在n型氮化鋁單晶基板的表面上具備歐姆電極層的垂直型的氮化物半導體器件,其特征在于,所述n型氮化鋁單晶基板的Si含量是3×1017~1×1020cm-3、位...
        • 光致變色組合物
          本發明的光致變色組合物的特征在于,包含聚輪烷(A)和光致變色化合物(B),所述聚輪烷(A)具有由軸分子和包合該軸分子的多個環狀分子形成的復合分子結構。
        • 本發明提供可形成固化性組合物本身的保存穩定性優異、且耐傷痕性優異的固化物的固化性組合物。本發明是含有以下成分的組合物:分子內具有自由基聚合性基團、且通過凝膠滲透色譜法(GPC法)測定的分子量10000以上的成分的含量小于9質量%的倍半硅...
        • 本發明提供具有疏水性且粒徑小的聚烷基倍半硅氧烷微粒、使用該微粒的色粉用外添劑和電子照相用干式色粉、以及疏水化球狀聚烷基倍半硅氧烷微粒的制造方法;該疏水化球狀聚烷基倍半硅氧烷微粒的通過離心沉降法測量出的以質量為基準的中值粒徑在0.05μm...
        • 一種純化物的制造方法,所述純化物為減少了堿金屬鹽的含量并且含有結晶性L?肌肽鋅絡合物的純化物,所述制造方法包括使含有結晶性L?肌肽鋅絡合物和前述堿金屬鹽的粗品與含有碳數1~3的醇的液體接觸的工序A。
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