本發(fā)明的目的在于，提供高效地以高純度獲得具有各種比表面積的檸檬酸鐵水合物的制造方法。本發(fā)明提供一種經(jīng)改性的檸檬酸鐵水合物的制造方法，其包括如下工序1：使包含水、檸檬酸和原料檸檬酸鐵的溶解液與水溶性有機(jī)溶劑接觸。

一種基質(zhì)依存性得到降低的苯并吡喃化合物，其具有包含與13位的碳原子一起形成螺環(huán)的基團(tuán)的茚并萘并吡喃部位至少1個(gè)以上，進(jìn)而該茚并萘并吡喃部位具有包含3個(gè)以上重復(fù)單元的選自聚氧化亞烷基低聚物鏈基和聚酯低聚物鏈基中的低聚物鏈基，優(yōu)選為下述式(...

提供光致變色性聚輪烷化合物、以及包含該光致變色性聚輪烷化合物和聚合性化合物的固化性組合物，所述光致變色性聚輪烷化合物由軸分子和包合該軸分子的多個(gè)環(huán)狀分子形成，在該環(huán)狀分子的至少1者上鍵合有包含至少1個(gè)光致變色部位的側(cè)鏈。

本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了一種多晶硅的有效的制造方法。本發(fā)明是通過西門子法進(jìn)行的多晶硅的制造方法，反應(yīng)器和廢氣處理設(shè)備通過設(shè)置在廢氣管道上的截止閥連接，上述截止閥設(shè)置在上述反應(yīng)器的廢氣出口附近，通過在上述反應(yīng)器的廢氣出口和上述截止閥之間的間接冷卻型冷...

本發(fā)明的光學(xué)物品用底漆組合物的特征在于，含有：(A)氨基甲酸酯預(yù)聚物，其為芳香族聚異氰酸酯化合物與多元醇化合物的反應(yīng)物，在末端具有選自異氰酸酯基或羥基中的反應(yīng)性基團(tuán)；(B)光吸收化合物，其極大吸收波長在320nm以上且650nm以下的范...

一種清洗方法，其是從噴嘴(112、122)噴吐出含有磨粒的清洗液，以對鐘罩(500)的內(nèi)壁面(502)進(jìn)行清洗的清洗方法，其中，噴嘴(112、122)以使清洗液所導(dǎo)致的沖蝕為500μm/小時(shí)以下的噴吐壓來噴吐出清洗液，對噴嘴(112、1...

本發(fā)明涉及一種醫(yī)藥原料藥載體及其制造方法，所述醫(yī)藥原料藥載體為將醫(yī)藥原料藥擔(dān)載于二氧化硅而得到的醫(yī)藥原料藥載體，所述二氧化硅的孔半徑1～100nm的孔的容積為3.0～5.0ml/g、并且孔半徑的峰位于10～50nm，所述孔半徑是基于BJ...

本發(fā)明的目的是提供一種以廉價(jià)而簡便的方法制造二氨基苯化合物以及苯并咪唑化合物的方法。本發(fā)明中提供通過使下述式(1)(式中，n為1～4的整數(shù)、R

本發(fā)明涉及一種多晶硅破碎物的制造方法，其包括：通過西門子法來制造多晶硅棒的工序；將該多晶硅棒破碎，得到多晶硅破碎物的工序；以及將該多晶硅破碎物在清洗槽內(nèi)蝕刻來清洗的工序，在該清洗工序中，包括如下工序：使具有被控制的形狀和尺寸的多晶硅小片...

本發(fā)明的目的在于，提供一種高效率、高品質(zhì)的III族氮化物半導(dǎo)體元件，并且目的還在于，提供用于制作該III族氮化物半導(dǎo)體元件的新型的氮化鋁基板(氮化鋁單晶基板)。本發(fā)明提供一種氮化鋁基板，是由氮化鋁構(gòu)成的基板，其至少在表面具有以相對于纖鋅...

一種氮化鋁顆粒，在利用倍率500倍的掃描型電子顯微鏡照片進(jìn)行的觀察中，所述氮化鋁顆粒的表面隨機(jī)地存在形成棱部或谷部的多個(gè)平面，棱部或谷部的角度成鈍角，其特征在于，顆粒的長徑L為20～200μm，該長徑L(單位：μm)相對于顆粒的短徑D(...

本發(fā)明的改性飛灰的制造方法的特征在于包括下述工序：原料工序，準(zhǔn)備從煤粉燃燒鍋爐排出的飛灰原粉作為原料；分級工序，將所述飛灰原粉分級為粗粉和微粉；未燃碳去除工序，通過將所述粗粉在500～1000℃的溫度域下加熱，去除該粗粉中所含的未燃碳；...

本申請的問題在于，提供一種多晶硅加工品的新型制造方法，其包含：防止在處理通過西門子法得到的多晶硅棒時(shí)，因存在于上述多晶硅棒端部的碳構(gòu)件導(dǎo)致的多晶硅棒表面的碳污染的工序。本申請的技術(shù)方案在于，提供一種多晶硅加工品的制造方法，其特征在于，將...

本發(fā)明提高多晶硅的生產(chǎn)效率。硅芯線(11)由多晶硅的棒狀體形成，多晶硅的晶格間氧濃度為10ppma以上40ppma以下，并且，在棒狀體的長尺寸方向的側(cè)面觀察到晶粒徑為1mm以上的晶粒。

本發(fā)明提供一種化學(xué)機(jī)械研磨用氣相二氧化硅。能夠顯著地減少研磨后產(chǎn)生于被研磨物表面的刮痕，被研磨物表面刮痕的減少對于微細(xì)化、多層化來說是很重要的。本發(fā)明的氣相二氧化硅的BET比表面積在57m

本發(fā)明提供粗粒少的氮化鋁粉末。進(jìn)而，提供可得到樹脂親和性高、且耐濕性高的樹脂組合物的氮化鋁粉末。本發(fā)明為在用激光衍射散射式粒度分布計(jì)測定的粒度分布中，體積平均粒徑D50為0.5～7.0μm、D90/D50比為1.3～3.5、且BET比表...

本發(fā)明提供一種分析方法，對于多晶硅破碎物的附著樹脂，能夠以較高的靈敏度進(jìn)行定性、并且以較高的精度進(jìn)行定量。在通過加熱從多晶硅破碎物去除有機(jī)揮發(fā)成分后，在惰性氣體的流通下，使該多晶硅破碎物的溫度上升，收集在上述加熱溫度下產(chǎn)生的樹脂分解物，...

本發(fā)明實(shí)現(xiàn)能夠在不堵塞配管的情況下將殘?jiān)咝У貜U棄、并且以更高的回收率回收氯硅烷化合物的殘?jiān)鼜U棄方法。本發(fā)明是在制造三氯硅烷的方法中將由反應(yīng)生成氣體處理工序排出的殘?jiān)鼜U棄的方法，干燥至上述殘?jiān)械穆裙柰榛衔锏暮砍蔀?0質(zhì)量％以下而得...

本發(fā)明實(shí)現(xiàn)能夠迅速地探測反應(yīng)裝置的異常的固體成分濃度管理方法。本發(fā)明是在制造三氯硅烷的方法中、包含在由反應(yīng)生成氣體處理工序排出的殘?jiān)械墓腆w成分的濃度的管理方法，其包括濃度測定工序，所述濃度測定工序測定使氯化鋁的一部分結(jié)晶后的結(jié)晶后殘?jiān)?..

本發(fā)明提供環(huán)境負(fù)擔(dān)少、生產(chǎn)成本低的多晶硅的制造方法。本發(fā)明的多晶硅的制造方法包括硅析出工序、分離工序、氯化氫除去工序、氫純化工序、活性炭再生工序及循環(huán)工序。