本發明公開一種低壓臺區柔性互聯的功率分配方法、裝置、設備、介質和產品。該方法包括：獲取低壓臺區柔性互聯系統中至少兩個臺區分別對應的第一功率參數，以及直流系統的第二功率參數以及至少兩個臺區所需的成本參數；基于第一功率參數、第二功率參數和成...

本發明實施例公開了一種邊端協同算力分配方法、裝置、設備、介質及程序產品。包括：獲取當前業務周期中各終端節點的業物流信息；將各業物流信息輸入至預訓練的業務分類預測模型，確定實時終端節點和實時算力預測值；根據實時終端節點和實時算力預測值確定...

本申請公開了一種鍵盤、輸入方法及密碼鎖系統，屬于計算機技術領域。所述鍵盤，包括：多個按鍵；每個按鍵包括射頻識別標簽；射頻識別標簽包括標簽天線和標簽芯片；針對每一按鍵，標簽芯片被配置為在按鍵被按下的情況下，與標簽天線電連接，以在通過標簽天...

本發明涉及半導體領域，提供一種半導體器件及制造方法、芯片、電子設備。半導體器件包括：襯底、阱區、緩沖區、源區、漏區、介質層以及柵極，阱區、緩沖區、源區及漏區位于襯底上，源區形成于阱區的表面，漏區形成于緩沖區的表面。介質層包括高介電常數材...

本公開涉及電磁兼容測試與評估技術領域，具體涉及一種集成隔離芯片的電磁輻射強度預測方法和系統。所述方法包括：將變壓器的第一電磁場模型轉換為等效電路模型，并獲取仿真寄生電參數；比對測量寄生電參數和仿真寄生電參數來調整等效電路模型；將調整好的...

本公開涉及供配電技術領域，具體涉及一種配電網線路故障識別方法、裝置、設備及介質，所述方法包括：獲取節點特征數據、分布式能源狀態特征數據以及連接線路特征數據；獲取鄰接矩陣；生成與配電網對應的節點特征矩陣、分布式能源狀態特征矩陣以及連接線路...

本公開涉及臺區智能監控和管理技術領域，具體涉及一種基于多智能體的臺區內電壓調控方法、裝置、系統及芯片。該系統包括電壓調控中心以及臺區內的電壓調控單元及能源控制節點。電壓調控中心利用第一智能體預測臺區未來負荷和能源產出，再結合第二智能體生...

本發明提供一種直流故障電弧檢測方法、裝置和電子設備，屬于放電檢測技術領域。方法包括：獲取直流電力系統的待測參數；將待測參數輸入至直流故障電弧檢測模型，得到直流故障電弧檢測模型輸出的故障檢測結果。其中，該模型是基于多個訓練樣本參數和每個訓...

本公開涉及智能電網中的分布式光伏?儲能系統管控技術領域，具體涉及一種用于分布式光伏?儲能系統的智能負荷管控配電系統和方法，在所述配電系統中，中壓配電網基于每個配電變壓器的輸出功率向每個低壓配電網中的主節點發送控制指令，進而所述低壓配電網...

本發明提供一種金屬硅化物層形成方法、半導體器件及芯片，涉及半導體技術領域。金屬硅化物層形成方法包括：提供一襯底，并在襯底上形成隔離結構、柵極結構、源漏注入區和自對準阻擋層；利用保護層刻蝕處理依次去除隔離凹槽的空白槽壁之外的第二保護層和第...

本公開涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種N型半導體器件、半導體器件及其制造方法、芯片和電子設備，所述N型半導體器件的制造方法，包括：提供形成有柵極結構的襯底；對所述柵極結構兩側的襯底進行多次預非晶化注入；其中，除最后一次預非晶化注入外...

本公開涉及濾波器技術領域，具體涉及公開了一種四頻帶帶通濾波器及通信芯片，該四頻帶帶通濾波器包括：一個有四種工作模式的方形SIW諧振腔，模式2和模式1的電場分布的相似度較高，模式4和模式3的電場分布的相似度較高；兩個三角形SIW腔，每個三...

本發明提供一種淺槽隔離形成方法、半導體器件及芯片，涉及半導體技術領域。淺槽隔離形成方法包括：提供一襯底，并在襯底的上表面依次形成緩沖層和具有刻蝕窗口的停止層；通過刻蝕窗口對緩沖層進行第一刻蝕處理，以在緩沖層形成緩沖溝槽；其中，緩沖溝槽的...

本公開涉及電力故障檢測技術領域，具體涉及公開了一種直流故障電弧檢測及其模型訓練方法、裝置、設備及介質，該方法包括：獲取直流電信號；對所述直流電信號進行經驗模態分解EMD，得到多層本征模態函數IMF分量；從所述多層IMF分量中選取有效信息...

本發明提供一種基于電阻式隨機存取存儲器的真隨機數發生器，屬于信息安全技術領域。所述真隨機數發生器包括：電阻式隨機存取存儲器、MOS晶體管、比較器以及寄存器；MOS晶體管的柵極通過電阻式隨機存取存儲器連接電壓源信號，MOS晶體管的源極接地...

本公開涉及供配電技術領域，具體涉及一種站所終端控制方法、裝置、站所終端及設備，所述方法，包括：獲取預先訓練得到的目標站所終端控制模型以及站所終端當前的站所終端狀態；基于目標站所終端控制模型，確定與目標動作價值對應的目標控制動作，其中目標...

本申請公開了一種CCDD整流器、射頻能量采集電路、芯片及通信設備。CCDD整流器包括第一信號線、第二信號線、第一整流模塊和第二整流模塊。第一信號線被配置為接入第一交流電壓信號。第二信號線被配置為接入第二交流電壓信號，第二交流電壓信號的極...

本發明公開了一種基于高精度預制裂紋的單芯片BEOL層微觀界面強度的測試方法，屬于集成電路制造技術領域。用于測定單芯片BEOL層微觀界面結合強度的試樣的制備方法，包括以下步驟：將完成BEOL層工藝的晶圓進行減薄劃片，得到單顆裸芯片；將制程...

本申請實施例提供了一種基于窗函數的數字化電能計量方法、裝置及電子設備，涉及電能計量技術領域。其中，方法包括：采用漢寧雙窗函數從監測信號中截取出電能信號，獲取所述電能信號的頻譜信息；基于所述頻譜信息中的最大譜線修正所述頻譜信息中的間諧波的...

本申請公開了一種信號調制方法、信號解調方法、通信設備及通信系統，涉及通信技術領域。該方法能夠通過對待調制的比特序列進行交織處理，使得比特序列包括的多個比特按照優先級的高低間隔排列。然后，該方法能夠對優先級較低的第一比特進行BOK調制以得...