本發明涉及半導體技術領域，提供一種電阻測試結構及電阻測試方法。所述電阻測試結構包括位于半導體襯底上的測試電阻，所述測試電阻包括第一端部區、第二端部區以及位于第一端部區與第二端部區之間的中部區；第一端部區連接第一端部引線結構，第二端部區連...

本發明提供一種層間介質膜形成方法、半導體結構和芯片，涉及半導體技術領域。制作方法包括：在形成多個柵極結構之后，分別在每一柵極結構兩側形成初始側墻結構；其中，所述柵極結構呈臺階狀突出于襯底上表面；所述初始側墻結構為由上至下相同厚度的構型；...

本發明涉及半導體技術領域，提供一種晶圓缺陷檢測方法及系統。所述方法包括：提供結構程式庫，結構程式庫中有多組第二結構，每組第二結構包括至少一個第二結構，每一個第二結構對應一掃描程式；判斷待檢測晶圓的第一結構是否與結構程式庫中的某一第二結構...

本公開涉及人工智能芯片設計技術領域，具體涉及一種片上容錯處理方法、系統、芯片及電子設備。該系統包括故障檢測模塊、故障診斷模塊和故障修復模塊。通過故障檢測模塊的監測部件收集芯片組件的監測數據，利用預設的故障模型判斷芯片是否發生故障，若發生...

本申請公開了一種基于神經網絡的量化方法、裝置、芯片、存儲介質及程序產品。方法包括生成初始化數據和模擬數據；通過待量化模型處理初始化數據，以確定各個批量歸一化層的松弛分布系數；通過待量化模型分別處理各個模擬數據，以確定各個批量歸一化層的輸...

本發明提供一種基于數據驅動的有源配電網電壓控制方法及系統，該方法包括：輸入有源配電網的歷史數據至預設有源配電網的潮流計算模型，獲得有源配電網的潮流計算模型輸出的潮流計算數據；根據潮流計算數據確定基于數據驅動的潮流線性回歸矩陣方程，并求解...

本發明公開了一種基于RISC?V向量擴展的字節序交換方法和交換裝置、芯片，所述方法包括：確定RISC?V向量擴展的源向量寄存器和目的向量寄存器，將待轉換數據加載到源向量寄存器中；加載RISC?V向量擴展的新增向量指令，新增向量指令用于實...

本發明提供一種半導體結構、制作方法、芯片及電路，涉及半導體領域。半導體結構包括：襯底；阱區，形成于所述襯底內；其中，所述阱區包括多個由外至內依次離子注入形成的子阱區，最內側的子阱區注入的離子的相對原子質量大于其余子阱區注入的離子的相對原...

本發明提供了一種半導體封裝質量無損檢測裝置、方法及按壓夾具，涉及半導體封裝檢測技術領域，按壓夾具包括：載板；夾具組件，包括：按壓組件，包括轉動連接的第一部和第二部，第一部設于載板上，第一部設有按壓槽，按壓槽用于放置半導體封裝，第二部設有...

本申請公開了一種基于神經網絡的圖像解碼方法、裝置、芯片、存儲介質及程序產品。方法包括獲取當前輸入張量，所述當前輸入張量基于壓縮圖像中的量化系數塊生成；基于預設的解碼模型和各個目標輸入張量，分別對所述當前輸入張量進行處理，以分別輸出各個所...

本發明涉及半導體制造技術領域，提供一種測試結構、柵極線寬粗糙度測試方法。所述測試結構包括：測試有源區以及位于測試有源區上的測試柵極；所述測試有源區包括測試源極和測試漏極，測試源極和測試漏極分別位于所述測試柵極的兩側；測試柵極具有相對應的...

本公開涉及人工智能芯片和內存調度技術領域，具體涉及一種內存調度方法、裝置、芯片、電子設備及存儲介質。本公開提出了一種針對CPU?NPU?RCU異構芯片的內存調度方法。該方法首先識別當前任務類型，并判斷是否滿足內存調度條件，若滿足，則通過...

本申請公開了一種基于終端設備標識的認證方法、裝置及存儲介質，屬于通信安全技術領域。方法包括：采集終端設備的靜態屬性信息和動態行為信息；根據靜態屬性信息生成用于標識終端設備的當前設備指紋；基于當前設備指紋和指紋庫中的原始設備指紋對終端設備...

本發明涉及集成電路及芯片技術領域，提供一種溝道退化監測電路、芯片退化監測電路及芯片。溝道退化監測電路包括退化反相器，退化反相器包括第一高壓晶體管、第一電阻、第二電阻及第三電阻，第一高壓晶體管的柵極通過第一電阻連接退化反相器的輸入端，并通...

本公開涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種集成電路合成掃描電鏡圖生成方法、裝置、設備及介質，所述方法包括：通過獲取版圖參數，并根據版圖參數確定測試圖像。對測試圖像中版圖輪廓中的目標轉角進行圓角處理，以獲取圓角處理圖像；對圓角處理圖像中版...

本發明涉及半導體技術領域，提供一種半導體器件界面缺陷測試方法及系統。所述方法包括：在半導體器件的柵極施加帶有上升沿和下降沿的脈沖電壓信號，在上升沿階段，界面缺陷捕獲少數載流子，在捕獲時間小于上升沿時間的時間段內，實時檢測界面缺陷捕獲少數...

本申請公開一種電力系統的控制方法、電力系統的控制裝置、電力系統的控制設備、計算機設備及計算機存儲介質，所述方法包括：監測電力系統的環境質量信息和運行信息，根據運行信息預測分布式能源設備的發電狀態和用電側設備的用電狀態，根據發電狀態的第一...

本發明公開了一種基于臺區智能融合終端的多參量采集裝置，涉及采集計量技術領域。多參量采集裝置包括：AC?DC開關電源提供常規供電；超級電容模組提供備用供電；防護電路，對外部輸入的交流強電電壓進行防護處理后，傳輸至整流二極管陣列；整流二極管...

本發明提供一種碳化硅基金屬氧化物半導體場效應晶體管及方法，包括：襯底；第一n型外延層和第二n型外延層，依次層疊于襯底的第一表面，第一n型外延層和第二n型外延層中部形成有貫通的溝槽；第一p型保護層，設于溝槽中；第二p型保護層，設于第二n型...

本發明實施例提供一種LDO電路、芯片和電子設備，屬于模擬芯片技術領域。所述LDO電路包括：輸入電路，接入參考電流，并至少通過主晶體管來對應輸出參考電壓；放大電路，其接入參考電壓并進行放大；以及反饋電路，一端經晶體管對管連接所述放大電路的...