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        北京智芯微電子科技有限公司專利技術

        北京智芯微電子科技有限公司共有1912項專利

        • 本發明涉及電子電路技術領域,公開一種固定導通時間模式下的降壓型開關變換器組與變換器芯片。所述變換器組包括:N個并聯的降壓型開關變換器,該變換器包括:主電路;觸發器,輸出端與主電路的上、下功率管的柵極相連;第一、第二移相電路,其時鐘輸入端...
        • 本公開涉及人工智能芯片領域,具體涉及一種集成片上存儲器陣列的人工智能芯片、計算任務處理方法和電子設備,所述芯片包括控制器和多個處理器?存儲器模塊,其中:控制器獲取計算任務,對所述計算任務進行解析,得到多個子計算任務;處理器?存儲器模塊包...
        • 本公開涉及操作系統技術領域,具體涉及一種適配多種芯片的系統啟動方法、裝置、電子設備及可讀存儲介質,所述方法包括:啟動預加載器,獲取引導加載程序鏡像、設備樹信息,執行所述預加載器以啟動引導加載程序;所述設備樹信息包括所述嵌入式系統的硬件信...
        • 本公開涉及解密技術領域,具體涉及一種基于格的解密方法、裝置、設備、介質及芯片,該方法包括:獲取私鑰s并拆分為第一子私鑰s<subgt;1</subgt;以及第二子私鑰s<subgt;2</subgt;;獲取密文(...
        • 本公開涉及射頻應用技術領域,具體涉及一種無源RFID標簽間快速建立對應關系的方法、物品管理系統和RFID識讀系統,所述方法包括:當第一無源RFID標簽組中的指定第一無源RFID標簽靠近第二無源RFID標簽組中的指定第二無源RFID標簽時...
        • 本發明公開了一種無線通信系統的測量放松方法、裝置、終端設備及介質。其中,方法包括:從基站接收同步信號/物理廣播信道SS/PBCH突發在不同方向上發送的多個不同的SS/PBCH塊;根據SS/PBCH突發中每個SS/PBCH塊的參考信號測評...
        • 本公開涉及人工智能芯片技術領域,具體涉及一種運行時可重構人工智能芯片、處理單元、計算任務執行方法和電子設備,所述芯片包括控制器和多個處理單元,控制器獲取計算任務,對所述計算任務進行解析,得到多個子計算任務和子計算任務對應的量化位數;處理...
        • 本申請公開了一種設備可信啟動驗證系統、方法、裝置及芯片,屬于信息安全技術領域。系統,包括:主控芯片,用于讀取存儲器中的固件,計算固件的目標度量值,將目標度量值發送至安全芯片;安全芯片,用于根據固件的基準度量值對目標度量值進行驗證。本申請...
        • 本發明公開了一種頻偏估計方法、裝置、芯片及存儲介質,涉及通信技術領域。其中,方法包括:獲取跟蹤參考信號的兩個時隙上的相同符號間隔的信道估計之間的第一相位差;獲取跟蹤參考信號的兩個時隙上的不同符號間隔的信道估計之間的第二相位差;根據第一相...
        • 本申請公開了一種電子標簽天線方向圖測試系統及方法,屬于射頻識別技術領域。所述系統包括:電子標簽,被配置為沿第一旋轉軸轉動;讀寫器天線,與電子標簽沿第一旋轉軸的方向間隔設置,被配置為與電子標簽沿第一旋轉軸同步轉動,并向電子標簽提供激勵能量...
        • 本發明公開了一種處理器私有存儲架構、訪問方法和裝置。該處理器私有存儲架構包括:私有存儲訪問單元,用于在接收到目標私有存儲指令時,對私有存儲單元執行與目標私有存儲指令對應的目標操作。該處理器架構具有僅處理器內核可以訪問的私有存儲單元,用于...
        • 本申請公開了一種半導體器件的仿真方法、裝置、電子設備、存儲介質及產品,屬于半導體技術領域。所述半導體器件的仿真方法包括:獲取半導體器件的平面版圖;對所述平面版圖進行識別,確定所述半導體器件的制作工藝中實際使用的目標掩膜版;根據工藝設計庫...
        • 本發明涉及電子電路技術領域,公開一種移相電路、降壓型開關變換器組以及變換器芯片。移相電路包括:延時移相模塊,包括多個延時移相單元;譯碼器,輸入端與不同的輸入電壓信號相連,及多個輸出端分別與多個延時移相單元的控制端相連;比較器,正、負輸入...
        • 本發明提供一種外設驅動加載方法、操作系統及電子設備系統,屬于計算機技術領域。外設驅動加載方法包括:在有外部模組接入主控設備的情況下,由主控設備獲取外部模組的參數信息,并基于參數信息,判斷當前操作系統中是否存在對應的外設驅動;在確定當前操...
        • 本公開涉及芯片IP核及EDA技術領域,具體涉及一種輸入閾值電壓和輸出電流能力可調的IOIP核的配置方法及提供方法、裝置及芯片。現有工藝廠或IP廠商提供的IO?IP核通常是一個整體模塊,僅能提供固定的輸入閾值電壓和有限個檔位的輸出電流能力...
        • 本發明提供一種存儲器器件性能調控方法、裝置和電子設備,屬于存儲器技術領域。方法包括:利用SRIM軟件對所有初始離子注入條件進行離子注入仿真,得到每個初始離子注入條件對應的離子摻雜分布參數集;從所有初始離子注入條件的離子摻雜分布參數集中篩...
        • 本公開涉及半導體技術領域,具體涉及一種場板結構優化方法、裝置、設備及介質,所述方法包括:獲取初始場板結構優化模型;獲取調整前的電學性能評價參數;獲取多組調整結構參數;獲取調整后電學性能評價參數;若調整后電學性能評價參數屬于目標參數范圍,...
        • 本公開涉及無線通信技術領域,具體涉及一種基于深度強化學習的自適應功率分配方法及裝置,所述基于深度強化學習的自適應功率分配方法,包括獲取訓練樣本集;基于所述訓練樣本集訓練功率分配網絡;所述功率分配網絡為深度強化學習網絡;利用訓練好的功率分...
        • 本發明實施例提供一種共模關聯浮動電源電路及芯片,屬于模擬電路領域。所述共模關聯浮動電源電路,包括:共模比較器,用于進行共模電壓和低壓差線性穩定器LDO電壓的比較;以及浮動電源軌生成電路,用于根據所述共模比較器的比較結果,選擇所述共模電壓...
        • 本公開涉及半導體技術領域,具體涉及公開了一種環柵場效應晶體管及其制備方法、芯片和電子設備,該制備方法包括:在襯底上垂直生長出垂直納米線;在所述垂直納米線生長至預定高度后,改變納米線生長方向,橫向生長出源極、溝道和漏極;沉積一層包圍所述垂...
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