本發明提供一種光伏設備的協議識別方法、系統、計算機設備及存儲介質。本發明首先對可能存在光伏設備的地址進行預測，以提高查詢效率，節約查詢時間，從預先構建的Modbus協議庫中選取目標Modbus協議對預測的地址進行輪詢，以確認該預測地址是...

本申請公開了一種非對稱型混合多柵半導體器件及其制作方法、芯片，屬于半導體技術領域。所述非對稱型混合多柵半導體器件包括：襯底，包括第一高壓阱區，第一高壓阱區中設有沿目標方向依次連接的漏極區、第一漂移區和第二漂移區，第二漂移區的摻雜濃度大于...

本技術涉及電力通信技術領域，提供一種基于電力體域網的運維系統，電力體域網包括多個傳感節點以及匯聚節點，所述運維系統包括運維模組以及運維終端，運維模組包括無線通信模塊以及串口通信模塊；運維模組通過無線通信模塊與多個傳感節點以及匯聚節點通信...

本發明涉及芯片封裝技術領域，提供一種多芯片三維封裝結構及封裝方法。所述封裝結構包括：多個模塑介質層以及多個芯片組，多個芯片組分別塑封于多個模塑介質層中，多個芯片組通過模塑介質層中的塑封通孔實現互連；相鄰兩個芯片組的多個芯片倒裝于相鄰兩個...

本發明涉及半導體領域，提供一種延伸漏極MOS器件及制造方法、芯片。所述延伸漏極MOS器件包括：襯底、P型阱區、N型深阱區、淺槽隔離區、源區、漏區及柵極，淺槽隔離區包括第一淺槽隔離區、第二淺槽隔離區以及第三淺槽隔離區，第一淺槽隔離區位于柵...

本公開涉及RFID芯片檢測技術領域，具體涉及一種凸點加工工藝后RFID芯片性能檢測裝置及檢測方法，所述裝置包括：上位機、RFID閱讀器、介質結構陣列、運動控制系統，其中：所述介質結構陣列包括基座和多個介質結構，所述多個介質結構安裝在所述...

本公開涉及時間敏感網絡中的數據智能化傳輸技術領域，具體涉及一種數據傳輸優化方法、TSN通信裝置及芯片，所述方法通過在基于冗余傳輸協議分別接收的指定周期性業務的業務數據幀中攜帶路徑ID，以針對每條傳輸路徑來計算路徑的幀到達頻率，再根據每個...

本發明涉及半導體領域，提供一種延伸漏極MOS器件及制造方法、芯片。所述延伸漏極MOS器件包括：襯底、P型阱區、N型深阱區、淺槽隔離區、源區、漏區及柵極，淺槽隔離區包括第一淺槽隔離區、第二淺槽隔離區以及第三淺槽隔離區，第一淺槽隔離區位于柵...

本公開涉及電力設備技術領域，具體涉及一種無線智能充電管理系統，所述系統包括無線手持終端和多個充電盒，所述無線手持終端包括CPU模塊、觸控顯示模塊、第一無線通信模塊；所述充電盒包括微控制單元、過壓保護模塊、充電電壓控制模塊、充電電流控制模...

本公開涉及電子標簽應用設計技術領域，具體涉及一種用于封樣管理的RFID標簽。所述標簽包括RFID芯片和順序層疊設置的面紙層、天線層、第一膠層和底紙層，其中：天線層包括順序層疊設置的第一天線線路層、基材層和第二天線線路層，第一天線線路層和...

本發明涉及信息安全技術領域，提供一種身份認證方法及系統、計算機設備。所述方法通過指紋密碼鑰匙的指紋認證方式進行免密認證，用戶名和密碼僅存儲在指紋密碼鑰匙中；在身份認證過程中，客戶端利用服務端的公鑰對指紋密碼鑰匙生成的第一隨機數進行加密后...

本申請提供一種電力智能安全工器具柜，涉及電力安全工器具存取控制技術領域，工器具柜包括：主柜及至少一個副柜；主柜包括人機交互模塊，副柜包括副柜控制模塊及多個存儲單元格；人機交互模塊用于響應于用戶的取操作指令，向用戶提供第一交互控件，接收用...

本發明涉及版圖設計技術領域，公開一種電源連接的檢查方法與檢查系統，所述方法包括：從芯片版圖中提取PG網表，其中芯片版圖包括時鐘網絡上的多個驅動單元，多個驅動單元分別分布在多個電壓域中，每個電壓域被設置有獨立的供電網絡，以及PG網表包括電...

本發明提供一種設備巡檢方法、裝置和電子設備，屬于巡檢技術領域。方法包括：將多個候選射頻信號經過特征提取得到的多個特征向量分別輸入至設備距離預測模型，得到設備距離預測模型輸出的所有候選射頻信號對應待測設備的設備距離信息；設備距離預測模型基...

本公開涉及芯片IP核及EDA技術領域，具體涉及一種帶上電控制的定制IO?IP核、定制POC?IP核的生成方法和生成裝置及芯片。本公開通過定制EDA工具獲取用戶需求，并通過定制EDA工具獲取可配置POC?IP核和IO?IP核，對可配置PO...

本公開涉及芯片IP核及EDA技術領域，具體涉及一種帶上電控制的定制單元的生成方法、裝置、定制單元及芯片。所述定制單元包括：POC?IP核和標準單元模塊；所述POC?IP核獲取第一電源和第二電源的電壓狀態，根據所述第一電源和所述第二電源的...

本公開涉及芯片IP核及EDA技術領域，具體涉及一種輸出電流能力和靜電釋放保護等級可調的IOIP核的配置方法及提供方法、裝置及芯片。現有的IO?IP核通常是一個整體模塊，僅能提供有限個檔位的輸出電流能力和靜電釋放保護能力，無法便捷地根據芯...

本公開涉及半導體技術領域，具體涉及公開了一種SONOS閃存器件、制備方法、芯片和電子設備，該制備方法包括：在硅襯底上制備隧穿氧化層；在所述隧穿氧化層上制備底部氮化硅層；對所述底部氮化硅層進行離子轟擊處理；對離子轟擊處理后的底部氮化硅層進...

本公開涉及配用電和通信技術領域，具體涉及一種基于過零基準的配用電網絡校時方法、裝置、系統及芯片，所述校時方法包括：當從節點的上層節點完成校時后，所述從節點接收其上層節點發送的包含校時信息的時間校準信標，然后獲取所述時間校準信標的接收時刻...

本申請公開了一種處理器的故障處理方法、芯片、故障處理裝置、容錯系統、電子設備及存儲介質。故障處理方法包括：在由第一時段切換至第二時段的第一時刻，獲取處理器在第一時段內對存儲器執行的第一訪問請求，處理器在第一時段內處于第一狀態，處理器在第...