本發(fā)明屬于計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)通信技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種IPv4/IPv6轉(zhuǎn)換網(wǎng)關(guān)以及轉(zhuǎn)換方法。本發(fā)明的轉(zhuǎn)換網(wǎng)關(guān)包括：調(diào)度模塊、收發(fā)數(shù)據(jù)包模塊、IPv4/IPv6地址映射模塊、地址轉(zhuǎn)換模塊和協(xié)議轉(zhuǎn)換模塊，其根據(jù)設(shè)定的地址映射表實(shí)現(xiàn)IPv4地址與IP...

本發(fā)明屬于計(jì)算機(jī)視覺技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種目標(biāo)物體輪廓檢測(cè)的方法。本發(fā)明將非經(jīng)典感受野分為端區(qū)和側(cè)區(qū)，在側(cè)區(qū)進(jìn)行恒定抑制，在端區(qū)利用對(duì)比度的影響進(jìn)行選擇性作用，同時(shí)在計(jì)算選擇性作用時(shí)采用一種自適應(yīng)的方法，根據(jù)每個(gè)像素一定鄰域內(nèi)的對(duì)比度值來...

本發(fā)明屬于船用雷達(dá)技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種船用雷達(dá)船首干擾抑制方法。針對(duì)現(xiàn)有的抑制方法精度較低，容易對(duì)可能出現(xiàn)在船首區(qū)域的真實(shí)目標(biāo)產(chǎn)生衰減，降低了船用雷達(dá)在復(fù)雜環(huán)境下的適應(yīng)性的問題，本發(fā)明的方法通過初始化船首窗口，先粗略的定位船首區(qū)域，獲得...

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種在無線網(wǎng)絡(luò)中，使用物理層進(jìn)行輔助認(rèn)證的身份認(rèn)證方法以及實(shí)現(xiàn)該方法的設(shè)備。包括初始認(rèn)證步驟：接收方接收到來自于未認(rèn)證成功的發(fā)送方的信息包時(shí)，通過上層認(rèn)證對(duì)接收到的信息包進(jìn)行身份認(rèn)證；物理層認(rèn)證步驟：接收...

一種基于細(xì)胞神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和形態(tài)學(xué)的指紋圖像分割方法，屬于圖像處理技術(shù)領(lǐng)域。首先在原始指紋圖像的灰度直方圖h(k)的指紋前景峰值和背景峰值之間的曲線波谷中確定一個(gè)初始閾值t，然后計(jì)算原始指紋圖像的模糊度μ(f(x，y))；接著用香農(nóng)函數(shù)S(μ...

一種具有高弛豫度(SiGe)緩沖層的制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及弛豫鍺硅(SiGe)緩沖層的制備方法。該方法的特征是，采用離子注入的方法，在硅(Si)襯底和鍺硅(SiGe)緩沖層界面形成一層具有黏性流動(dòng)性的材料(如硼硅玻璃、或...

本發(fā)明公開了一種制備摻鎢氧化釩薄膜的方法，包括以下步驟：首先將清洗后的基片放入高真空腔室中；其次將高純氬氣通入真空腔室，在基片用基片擋板遮住的情況下通過開啟釩靶濺射電源和鎢靶濺射電源分別對(duì)金屬釩靶和金屬鎢靶表面進(jìn)行預(yù)濺射清洗，將高純氧氣...

本發(fā)明公開了一種雙環(huán)基直接調(diào)制光源系統(tǒng)。本發(fā)明針對(duì)直接調(diào)制有源環(huán)形諧振腔光源的有限帶寬以及頻率啁啾的影響導(dǎo)致調(diào)制速度較低的問題而提出的，具體包括：兩個(gè)有源環(huán)形諧振腔，一條耦合波導(dǎo)和一條輸出波導(dǎo)，其中一個(gè)有源環(huán)形諧振腔為主有源環(huán)形諧振腔，...

本發(fā)明公開了一種低復(fù)雜度載波頻率偏移校正的方法，在移動(dòng)通信系統(tǒng)的上行鏈路的接收機(jī)處對(duì)載波頻率偏移進(jìn)行校正時(shí)，傳統(tǒng)方法是對(duì)系統(tǒng)所有用戶使用復(fù)雜度較高的迫零檢測(cè)方法進(jìn)行載波頻率偏移校正，本發(fā)明根據(jù)所有用戶載波頻率偏移值的這個(gè)分布特點(diǎn)，通過將...

本發(fā)明公開了一種無線信道訪問控制方法，包括：步驟1：對(duì)網(wǎng)絡(luò)中不同的接入類型進(jìn)行優(yōu)先級(jí)區(qū)分；步驟2：針對(duì)不同的優(yōu)先級(jí)設(shè)置不同的分組重傳概率，對(duì)不同優(yōu)先級(jí)節(jié)點(diǎn)的發(fā)送概率進(jìn)行動(dòng)態(tài)求解；步驟3：根據(jù)求得的不同優(yōu)先級(jí)信息的發(fā)送概率，在同一時(shí)隙里競(jìng)...

本發(fā)明提出了一種基于分布式照射源的非合作目標(biāo)被動(dòng)定位方法。該方法通過在空間中分布的多個(gè)照射源對(duì)非合作目標(biāo)進(jìn)行探測(cè)，并在接收端利用多點(diǎn)測(cè)距定位技術(shù)，獲得非合作目標(biāo)的三維位置信息。對(duì)于接收端而言，系統(tǒng)工作于被動(dòng)模式，具有較好的隱身性能，同時(shí)...

本發(fā)明公開了一種數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)以及基于該數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的ARQ通信系統(tǒng)。本發(fā)明的ARQ通信系統(tǒng)將整個(gè)ARQ數(shù)據(jù)包隊(duì)列分為若干個(gè)子隊(duì)列，數(shù)據(jù)發(fā)送端的數(shù)據(jù)包發(fā)送窗口和接收端有效包號(hào)窗口大小可以設(shè)計(jì)為含有若干個(gè)子隊(duì)列的窗口大小，ACK數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)以子隊(duì)列為單...

本發(fā)明公開了一種自組織融合網(wǎng)絡(luò)按需路由網(wǎng)關(guān)及其驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方法：在配置有多個(gè)無線網(wǎng)絡(luò)適配器的Windows操作系統(tǒng)上，安裝以WindowsNDIS中間層微端口驅(qū)動(dòng)方式設(shè)計(jì)的WLAN-over-MANET融合網(wǎng)絡(luò)按需路由驅(qū)動(dòng)，選擇一Wi-Fi...

本發(fā)明屬于計(jì)算機(jī)多媒體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種基于語(yǔ)義映射的服裝圖像檢索方法。具體包括構(gòu)建服裝領(lǐng)域知識(shí)庫(kù)步驟、獲取服裝圖像的語(yǔ)義信息步驟以及檢索待查詢服裝圖像步驟。本發(fā)明的方法依靠已有的服裝圖像和相應(yīng)的文本描述信息，通過多類特征聚類的方式構(gòu)...

本發(fā)明屬于計(jì)算機(jī)和集成電路領(lǐng)域，公開了一種模(2n-3)乘法器。具體包括：n位二進(jìn)制乘法器(1)，n位CSA壓縮器陣列(2)，帶進(jìn)位輸入的n位二進(jìn)制加法器(3)，2位加法器(4)，第一n位二進(jìn)制加法器(5)和第二n位二進(jìn)制加法器(6)。...

本發(fā)明所要提供一種新的，不用占用大量存儲(chǔ)空間的，能夠在硬件上實(shí)現(xiàn)開方運(yùn)算的方法以及實(shí)現(xiàn)該方法的開方運(yùn)算器。采用逐位逼近法，先開辟一個(gè)全0的寄存器作為輸入數(shù)據(jù)的n次方根值的中間值寄存器，再確定一個(gè)寄存器變量i的初始值，并置中間值寄存器的第...

本發(fā)明涉及一種通過控制水解程度影響碳納米管生長(zhǎng)形貌的方法，包括如下步驟：步驟1：制備含鐵離子的前驅(qū)液薄膜；步驟2：將附著有前驅(qū)液薄膜的基片在恒溫烘箱中烘烤一定時(shí)間直至烘干；步驟3：將烘干后的基片放入管式爐的恒溫區(qū)，進(jìn)行退火處理；步驟4：...

本發(fā)明公開了一種有機(jī)薄膜太陽(yáng)能電池，包括襯底、陽(yáng)極層、陰極層、設(shè)置在陽(yáng)極層和陰極層之間的有機(jī)功能層，該有機(jī)功能層至少包括有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層，該有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層為電子給體材料與電子受體材料構(gòu)成的異質(zhì)結(jié)，該電子給體材料的最高分子占有軌道(HOMO...

本發(fā)明屬于通信技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種空間調(diào)制系統(tǒng)檢測(cè)方法。本發(fā)明是針對(duì)現(xiàn)有的SM系統(tǒng)的檢測(cè)方法復(fù)雜度過高的問題而提出的，具體包括：對(duì)接收天線按信號(hào)功率大小進(jìn)行排序；確定球形譯碼搜索半徑；按確定的順序進(jìn)行檢測(cè)。本發(fā)明的方法通過對(duì)接收天線按信...

雙面超導(dǎo)帶材緩沖層的連續(xù)制備方法，屬于超導(dǎo)材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明包括下述步驟：1)將基帶安裝在兩個(gè)轉(zhuǎn)盤之間；2)將金屬釔靶分別安置在對(duì)靶上，兩個(gè)轉(zhuǎn)盤之間的基帶平面的法線與相對(duì)的對(duì)靶上的金屬釔靶連線垂直；3)將生長(zhǎng)室(9)抽背底真空至5.0...