一種晶閘管型發(fā)光二極管的開路保護(hù)器，屬于電子技術(shù)領(lǐng)域。由一個晶閘管和連接于晶閘管的陽極和控制極之間的電子開關(guān)組成；所述晶閘管和電子開關(guān)可集成于同一芯片，構(gòu)成集成晶閘管型發(fā)光二極管的開路保護(hù)器。該開路保護(hù)器與發(fā)光二極管并聯(lián)使用，當(dāng)發(fā)光二極...

本發(fā)明公開了一種離合狀態(tài)監(jiān)控電路以及采用該離合狀態(tài)監(jiān)控電路的電子標(biāo)簽。所述的離合狀態(tài)監(jiān)控電路包括：PMOS管，與非門，第一反相器，電平轉(zhuǎn)換單元和鎖存器，所述的電平轉(zhuǎn)換單元又包括第二反相器和第三反相器。本發(fā)明的離合狀態(tài)監(jiān)控電路相對現(xiàn)有的鎖...

本發(fā)明針對OFDM的無線通信系統(tǒng)，提出了一種在接收機(jī)中簡單易實(shí)現(xiàn)的定時同步算法，采用頻域ZC(Zadoff-Chu)序列的生成公式生成62點(diǎn)的頻域ZC序列，在兩端補(bǔ)33個0后，再在相鄰點(diǎn)之間插入三個零值使其擴(kuò)展到512點(diǎn)，做IFFT變換...

一種發(fā)光二極管的開路保護(hù)器，屬于電子技術(shù)領(lǐng)域。包括分立或集成的IGBT器件、齊納二極管和電阻；所述齊納二極管的陽極與IGBT器件的陽極電位相連，齊納二極管的陰極與IGBT器件的柵極相連，電阻連接于IGBT器件的柵極和陰極之間。當(dāng)發(fā)光二極...

本發(fā)明公開了一種認(rèn)知無線電中的合作頻譜感知方法，基于提出的一種改進(jìn)的能量檢測算法，根據(jù)接收到的主用戶發(fā)送的信號yi，將其幅值進(jìn)行p次冪的運(yùn)算，從而得到一個本地感知量。然后根據(jù)推導(dǎo)得出的本地感知量的分布特性，計(jì)算出本地的感知結(jié)果。每個認(rèn)知...

基于異向介質(zhì)理論的雙頻吸收器，屬于微波射頻領(lǐng)域。本發(fā)明由多個SRR單元組成，每個SRR單元由4個矩陣分布的矩形Single-SRR組成，每個Single-SRR的開口都設(shè)置于矩陣的中心位置，開口處于矩形Single-SRR的角。本發(fā)明的...

本發(fā)明公開了一種新的波長轉(zhuǎn)換器，與傳統(tǒng)的光-電-光型波長轉(zhuǎn)換器和全光波長轉(zhuǎn)換器不同，本發(fā)明是利用了薄膜材料的熱光效應(yīng)進(jìn)行波長轉(zhuǎn)換.波長轉(zhuǎn)換器核心由一個薄膜濾波器構(gòu)成，薄膜濾波器采用F-P腔結(jié)構(gòu)，利用熱光特性和F-P腔的濾波特性實(shí)施波長轉(zhuǎn)...

本發(fā)明公開了一種具有前置銳化處理單元，能自動化對癌癥進(jìn)行早期診斷和治療效果檢查的裝置(儀器)，其特點(diǎn)是該裝置有機(jī)集成熒光光譜儀，銳化處理單元的偏振器，冷凍離心機(jī)，稀釋器和電腦等為一體。采用該裝置能直接檢測出癌癥病人血液的特征熒光光譜和變...

本發(fā)明公開了一種DOS/DDOS攻擊檢測方法。本發(fā)明的方法首先從網(wǎng)絡(luò)流數(shù)據(jù)中提取需要的流量特征參數(shù)，通過分析流量特征參數(shù)確定異常時間點(diǎn)并構(gòu)建歷史時間窗，然后找出異常時間點(diǎn)流量最大的前N個目的IP，通過分析歷史時間窗內(nèi)包含各選出目的IP的...

本發(fā)明公開了一種網(wǎng)絡(luò)異常事件分類方法。本發(fā)明的方法首先從網(wǎng)絡(luò)流數(shù)據(jù)中提取流量特征參數(shù)，根據(jù)檢測到的異常時間點(diǎn)確定歷史時間窗并構(gòu)建異常特征多時間序列，充分利用了流量行為在時間上的相關(guān)性，能有效提高骨干網(wǎng)異常事件分類的準(zhǔn)確性；同時通過分析異...

本發(fā)明涉及互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中基于傳輸層特征對流量進(jìn)行分類的方法。包含如下步驟：采集作為訓(xùn)練數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)包，利用從數(shù)據(jù)包中提取的數(shù)據(jù)流的傳輸層特征參數(shù)構(gòu)建一個分類器；利用構(gòu)建的分類器，實(shí)現(xiàn)對后續(xù)采集到的數(shù)據(jù)包中提取的數(shù)...

本發(fā)明公開了一種風(fēng)光儲輸混合發(fā)電站建站容量配比規(guī)劃方法，在規(guī)劃目標(biāo)中，將節(jié)能減排在收益上進(jìn)行量化，并納入風(fēng)光儲輸混合發(fā)電站建站容量配比規(guī)劃的目標(biāo)中，同時在建站場地空間約束、建站規(guī)劃容量約束的基礎(chǔ)上，引入對風(fēng)光資源互補(bǔ)程度、發(fā)電站功率輸出...

本發(fā)明公開了一種有機(jī)光電器件封裝器及封裝方法，本發(fā)明屬于有機(jī)電子元器件中光電器件領(lǐng)域，解決有機(jī)光電器件封裝問題。該有機(jī)光電器件封裝器包括密封腔(12)、按鈕(1)、定位底座(2)、可旋轉(zhuǎn)墊片(3)以及氣體填充導(dǎo)管(4)；阻止基板移動的定...

常關(guān)型場控溝道GaN異質(zhì)結(jié)二極管，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用絕緣層-凹槽、調(diào)制摻雜以及凹槽-調(diào)制摻雜相結(jié)合的技術(shù)改變現(xiàn)有GaN異質(zhì)結(jié)二極管的導(dǎo)電溝道結(jié)構(gòu)，將原有的常開型自發(fā)極化GaN異質(zhì)結(jié)導(dǎo)電溝道改成本發(fā)明中的自發(fā)極化和壓電極化...

本實(shí)用新型公開了一種高階曲率補(bǔ)償?shù)膸痘鶞?zhǔn)電壓源，具體包括啟動電路、輔助基準(zhǔn)電路與指數(shù)曲率補(bǔ)償電路、對數(shù)曲率補(bǔ)償電路和電流疊加電路。本實(shí)用新型的基準(zhǔn)電壓源通過輔助基準(zhǔn)電路與指數(shù)曲率補(bǔ)償電路在低溫區(qū)采用了指數(shù)曲率補(bǔ)償，通過對數(shù)曲率補(bǔ)償電路...

磁性墨水的制備方法，涉及電子材料技術(shù)，本發(fā)明包括下述步驟：1)制備軟磁納米磁性顆粒為原料；2)稱取一定量的分散劑，充分溶解于去離子水、乙醇和異丙醇比例為x∶y∶z的溶劑中，原料與分散劑的質(zhì)量比為25∶1-4∶3，原料與溶劑的質(zhì)量體積比為...

本發(fā)明涉及一種同軸-脊波導(dǎo)-微帶轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)超寬帶多路功分器，輸入同軸接頭與擴(kuò)展同軸波導(dǎo)之間采用錐體同軸漸變過渡，這種錐體同軸漸變過渡以及脊波導(dǎo)-微帶轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)都可以實(shí)現(xiàn)超寬帶阻抗匹配；N個脊波導(dǎo)-微帶轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)在擴(kuò)展同軸波導(dǎo)內(nèi)沿圓周均布以實(shí)現(xiàn)...

該發(fā)明屬于射頻通信及微電子機(jī)械元器件中帶雙驅(qū)動電極的射頻微機(jī)電(RF?MEMS)開關(guān)。包括開關(guān)基座，設(shè)于基座上的絕緣層，帶輸入、輸出微帶線、固定電極和應(yīng)力釋放孔的懸臂式開關(guān)鍵組件，設(shè)于絕緣層上且正對懸臂式開關(guān)鍵下方的吸合電極及正對懸臂式...

本發(fā)明公開了一種無電阻CMOS電壓基準(zhǔn)源，具體包括啟動電路、偏置電路、無電阻PTAT電壓產(chǎn)生電路、CTAT電壓產(chǎn)生電路和疊加輸出電壓電路，本發(fā)明提供的電壓基準(zhǔn)源，將無電阻PTAT電壓產(chǎn)生電路和CTAT電壓產(chǎn)生電路所產(chǎn)生的一階正溫度補(bǔ)償電...

本發(fā)明公開了一種低壓差線性穩(wěn)壓器。針對現(xiàn)有低壓差線性穩(wěn)壓器結(jié)構(gòu)復(fù)雜的問題，本發(fā)明的LDO包括誤差放大器、反饋采樣網(wǎng)絡(luò)、偏置電路和擺率增強(qiáng)電路，其特征在于，擺率增強(qiáng)電路的一部分包含于誤差放大器之中，誤差放大器包括第一PMOS管、第二PMO...