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        電子科技大學專利技術

        電子科技大學共有35841項專利

        • 等離子平板顯示器驅動芯片用高壓器件,屬于半導體功率器件領域。在襯底、埋氧層和SOI層上建立高壓pLDMOS器件、高壓nLDMOS器件和高壓nLIGBT器件,用深槽介質隔離區分開。處于襯底和SOI層中間的埋氧層和深槽介質隔離區實現了器件和...
        • 該發明屬于一種對室內無線傳播的信號源進行定位的方法,包括采用建庫信號源建立定位數據庫,確定各接收器與目標之間的頻域幅度響應參數,確定待定位目標的位置。該發明由于采用具有歸一化線譜形狀的信號作為建庫信號,確定各節點與各個接收器之間無線傳播...
        • ABO↓[3]/MgO/GaN異質結構及其制備方法,涉及微電子材料領域。本發明的ABO↓[3]/MgO/GaN異質結構包括襯底基片和ABO↓[3],襯底基片和ABO↓[3]之間,有一個MgO納米緩沖層薄膜,所述襯底基片為GaN外延片,A...
        • 該發明公開了一種旋轉與直線兩用超聲電動機,包括帶齒條型中心孔的方形板體式定子及位于中心孔內的組合式轉子,設于定子底面上環形壓電陶瓷片,在陶瓷片上等弧度分為四個電極區、并將以中心為對稱的兩個極性相反的電極區分為一組,定子底面四邊的中部還各...
        • 功率變換器的PSM或PWM雙模調制切換方法,屬于電力電子技術領域,涉及應用于功率變換電路中的開關功率管的調制技術。本發明通過DSP(或CPU)在線計算功率變換器分別在PSM或PWM調制模式下的輸出功效η↓[PSM]和η↓[PWM],通過...
        • 本發明公開了一種雙面介質槽部分SOI材料的制備方法,和常規鍵合工藝相比,本發明在鍵合前增加了如下步驟:1.頂層硅片上硅槽刻蝕;2.SiO↓[2]層的熱生長和化學氣相淀積;3.刻蝕去除位于源區和溝道區以下的SiO↓[2]層;4.淀積多晶硅...
        • 多層次FPGA,涉及集成電路技術。本發明包括可配置邏輯塊CLB、布線資源、輸入輸出塊IOB,所述布線資源包括通道、開關塊SB和連接塊CB,CLB通過連接塊CB與通道連接;其特征在于,FPGA包括至少三個層;每一層包括多個模塊,每一模塊包...
        • 本發明公開了一種虛擬MISO系統中的頻率偏移補償方法,包括以下步驟:A.在源節點及中繼節點與目的節點通信時,通過訓練序列對節點間的頻偏進行測量;B.源節點將要發送的數據共享給中繼節點,源節點和中繼節點對源節點要傳送的數據進行STBC編碼...
        • 本發明公開了一種用在分布式虛擬MIMO小區多跳接力傳送的信道矩陣測量方法以及系統,包括:小區內的主終端通過初始化完成信道測量準備工作;利用已有的信道測量方式,小區內終端可以獲得測量的信道信息;隨后,信道測量信息在小區內廣播共享;通過基于...
        • 本發明公開了一種超高速全光誤碼指示信號產生器。它由光纖放大器、帶通濾波器1、高非線性光纖、帶通濾波器2和光衰減器通過連接光纖順序串接組成。歸零碼數據流通過光纖放大器功率放大、帶通濾波器1濾除噪聲后進入高非線性光纖;不同峰值功率脈沖在光纖...
        • 本發明公開了一種自吸氣真空鍍膜方法,系在基板與蒸發源或濺射靶之間設置了一個吸氣罩,正式沉積薄膜前,真空度尚達不到預設值時,預先沉積一層薄膜,然后停止沉積,繼續抽真空。利用該薄膜自身的吸氣作用使氣壓迅速降低至設定值后,再進行正式的薄膜沉積...
        • 本發明公開了一種自吸氣真空鍍膜方法,系在正式沉積薄膜前,真空度尚達不到預設值時,預先沉積一層薄膜,然后停止沉積,繼續抽真空。利用該薄膜自身的吸氣作用使氣壓迅速降低至設定值后,再進行正式的薄膜沉積。該方法能極大地縮短抽真空的時間,減少殘留...
        • 本發明公開了一種基于雙極有機材料的有機光電器件,包括襯底、電極層,其中電極層位于襯底表面,還包括設置在所述電極層之間的有機功能層,它至少包括基于雙極有機材料的激子產生層,該雙極有機材料通過引入同時具有吸電子能力和給電子能力的功能基團,使...
        • FPGA轉成結構化ASIC的方法,涉及集成電路技術。本發明將SRAM型FPGA中的IO單元去除配置SRAM,作為結構化ASIC的IO單元;將SRAM型FPGA中的CLB去除配置SRAM,作為結構化ASIC的邏輯單元;邏輯單元之間,以及邏...
        • 現場可編程門陣列,涉及集成電路技術。本發明包括內核、IO單元,其特征在于,在FPGA內部設置有電源模塊和IO電源配置模塊,所述電源模塊為DC-DC電源模塊,用于為FPGA內部的各個單元供電,所述IO電源配置模塊用于配置IO單元的電平。本...
        • 本發明公開了一種在厚膜SOI材料頂層硅與介質埋層界面處形成圖形化半導體埋層的方法,涉及SOI功率器件的材料制備技術領域,本發明通過a.在頂層硅背面生長阻擋層;b.在阻擋層上淀積光刻膠并刻蝕出掩模圖形;c.對頂層硅進行離子注入;d.對頂層...
        • 一種腦電信號中眼電偽跡的去除方法,屬于生物信息技術領域,涉及腦電信號采集與預處理技術,主要應用于腦電信號獲取的預處理過程中。包括:對含有眼電偽跡的腦電數據進行主成分分析;確定眼電偽跡成分,并對偽跡成分的時域波形進行1~8Hz的濾波;結合...
        • 本發明提供了一種構建雙站雙線陣三維成像合成孔徑雷達系統的方法,它是采用雙站合成孔徑雷達系統與線陣系統相結合的模式,使發射天線和接收天線都采用陣列饋元的模式,在每個脈沖重復間隔,發射線陣饋元僅有一個打開進行電磁波信號的發射,而接收線陣饋元...
        • 基于層間信息路由的可生存性業務量疏導方法,屬于通信網絡技術領域,涉及光網絡業務量疏導技術和資源配置方法。包括:步驟1:根據物理拓撲網絡結構,構建虛拓撲網絡;步驟2:為業務集合中的每一個業務在虛拓撲網絡中進行路由和資源分配;步驟3:光路模...
        • 一種寬帶微波盒形輸能窗,屬于微波器件技術領域,涉及微波電子管中的微波輸能窗。由兩段矩形波導(1)、一段圓波導(2)及介質窗片(3)組成,兩段矩形波導(1)分別連接在圓波導(2)的兩端,介質窗片(3)密封焊接于圓波導(2)中間;所述圓波導...
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