本發(fā)明公開了一種光敏化劑、復(fù)合光催化劑及其制備方法。本發(fā)明屬于材料技術(shù)領(lǐng)域，涉及光敏化劑和光催化劑。光敏化劑為８－羥基喹啉－５－磺酸鐵（Ⅲ）絡(luò)合物的黑色粉末，分子式為（Ｃ↓［９］Ｈ↓［６］ＮＳＯ↓［４］）↓［３］Ｆｅ.２Ｈ↓［２］Ｏ，其...

該發(fā)明屬于一種共享內(nèi)存流媒體服務(wù)器的運(yùn)行方法及實(shí)現(xiàn)其方法的功能模塊構(gòu)架，包括建立共享內(nèi)存，接收并處理客戶請(qǐng)求，將請(qǐng)求內(nèi)容存入共享內(nèi)存，系統(tǒng)從用戶態(tài)轉(zhuǎn)入內(nèi)核態(tài)流程，從共享內(nèi)存上提取請(qǐng)求內(nèi)容并按發(fā)包時(shí)間先后排序，生成ＲＴＰ包并發(fā)送至客戶；以...

該發(fā)明屬于集群服務(wù)器用插卡式高速緩存器及其運(yùn)行方法，緩存器包括含ＣＰＵ、網(wǎng)絡(luò)引擎的網(wǎng)絡(luò)處理器及ＰＣＩ接口電路；運(yùn)行方法包括將緩存器插入各主機(jī)的ＰＣＩ卡槽內(nèi)并分別與網(wǎng)絡(luò)連接，在主機(jī)的Ｌｉｎｕｘ操作系統(tǒng)上安裝針對(duì)緩存器的管理及驅(qū)動(dòng)模塊，然后...

本發(fā)明公開了一種用于功率器件的具有界面電荷島ＳＯＩ耐壓結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底層，介質(zhì)埋層和半導(dǎo)體有源層，在所述介質(zhì)埋層和半導(dǎo)體有源層的交界面的全部范圍或部分范圍內(nèi)設(shè)置有伸入至所述半導(dǎo)體有源層內(nèi)的多個(gè)高濃度ｎ↑［＋］區(qū)，多個(gè)高濃度ｎ↑［＋］...

本發(fā)明可佩戴于用戶手臂、手腕部位工作。它由主板、顯示屏、觸摸屏、鍵盤、音頻輸入設(shè)備，音頻輸出設(shè)備、視頻輸入設(shè)備、電源、外置存儲(chǔ)卡、以太網(wǎng)絡(luò)接口卡、無線網(wǎng)絡(luò)接口卡、藍(lán)牙收發(fā)模塊、條形碼掃描器、感應(yīng)卡讀寫卡器、無線傳感網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)、加速度傳感器...

本發(fā)明公開了一種基于自隔離技術(shù)的介質(zhì)場(chǎng)增強(qiáng)ＳＯＩ耐壓結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底層，介質(zhì)埋層和半導(dǎo)體有源層，在所述半導(dǎo)體有源層上部設(shè)置有漂移區(qū)層，在所述半導(dǎo)體有源層的下部設(shè)置有至少一個(gè)界面島型埋層，所述界面島型埋層位于介質(zhì)埋層上方，所述漂移區(qū)層...

本發(fā)明公開了一種２×２長(zhǎng)周期光纖光柵耦合器，包括一施力裝置以及兩根緊密接觸、并行排列的無保護(hù)層的裸光纖，即傳輸光纖和耦合光纖。施力裝置在光纖的軸向傳播方向周期性地施加周期（Λ）為百微米量級(jí)的徑向壓力，這樣在兩根裸光纖軸向傳播方向上寫入空...

本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于ＴＤ－ＳＣＤＭＡ電調(diào)智能天線的小型化移相器。此移相器的基本方案為：一條形狀為梳形的帶狀線位于上反射板與下反射板中間，懸空固定。介質(zhì)塊插入反射板與帶狀線之間，并且被機(jī)械傳動(dòng)機(jī)構(gòu)帶動(dòng)沿橫方向移動(dòng)，以改變傳輸信號(hào)的相位。...

本發(fā)明實(shí)施例提供一種交換網(wǎng)數(shù)據(jù)調(diào)度方法、設(shè)備和系統(tǒng)，方法包括：輸出流量管理器接收輸入流量管理器發(fā)送的多播數(shù)據(jù)的速率總值；所述輸出流量管理器根據(jù)所述速率總值反向調(diào)整單播令牌的生成速率；所述輸出流量管理器向所述輸入流量管理器發(fā)送以調(diào)整后的生...

本發(fā)明公開了一種基于磁耦合原理的矩形波導(dǎo)與微帶過渡轉(zhuǎn)換電路，屬于微波毫米波在波導(dǎo)－微帶之間過渡轉(zhuǎn)換技術(shù)。該過渡轉(zhuǎn)換電路包括順序連接的微帶線、偏心同軸線和耦合環(huán)，在耦合環(huán)的終端連接有接地結(jié)構(gòu)，耦合環(huán)的側(cè)邊設(shè)置有獨(dú)立金屬條帶。本發(fā)明基于磁耦...

本發(fā)明公開了一種低壓電源，包括第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底；在襯底的一主表面下的至少兩個(gè)第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)；在兩個(gè)第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)之間的重?fù)诫s的第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)，且重?fù)诫s的第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)不與兩個(gè)第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)...

本實(shí)用新型公開了一種強(qiáng)迫對(duì)流下的非對(duì)稱散熱器，它是利用強(qiáng)迫對(duì)流時(shí)溫度場(chǎng)是非對(duì)稱分布的特點(diǎn)，將現(xiàn)有的散熱器的主翅在其入風(fēng)口端減去一定的寬度，而出風(fēng)口端保持原來的尺寸不變，這樣磁控管陽(yáng)極相對(duì)于主翅而言處于非對(duì)稱的位置；它具有制作工藝非常簡(jiǎn)單...

一種在撓性印制電路板聚酰亞胺基材上開窗口的方法及其刻蝕液，屬于材料技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及撓性印制電路板加工技術(shù)。本發(fā)明所述的開窗口的方法包括預(yù)處理（除油、水洗烘干）、化學(xué)刻蝕前處理（貼膜、曝光、顯影）、化學(xué)刻蝕和刻蝕后處理（水洗、脫膜、水洗...

一種寬帶多層泡沫吸波材料及其制備方法，屬于功能材料技術(shù)領(lǐng)域，涉及寬帶電磁波吸波材料及制備技術(shù)。本發(fā)明由開孔聚氨酯泡沫材料和電磁波吸波材料構(gòu)成單層，多個(gè)單層重疊構(gòu)成多層泡沫吸收材料。本發(fā)明的有益效果是，本發(fā)明的性能指標(biāo)可以根據(jù)厚度不同具有...

一種有機(jī)聚合物電磁屏蔽材料及其制備方法，屬于材料技術(shù)領(lǐng)域中的功能高分子材料。所述有機(jī)聚合物電磁屏蔽材料主要成份為一種結(jié)構(gòu)式為右式，其中聚合度ｎ＝２０－４００的有機(jī)聚合物；其中Ｒ為間－二茂鐵及其衍生物基團(tuán)。以含苯胺與二茂鐵結(jié)構(gòu)的單體為原料...

電磁波屏蔽涂料及其制備方法，主要涉及電磁波屏蔽涂料技術(shù)，本發(fā)明包括以下組分，其含量為：水溶性聚氨酯樹脂：２０～３０份片狀銀粉：１５～２０份，銀包銅粉：１５～２０份，磁性纖維：１～３份，ＫＨ５５０硅烷偶聯(lián)劑：０．５～１份，水和乙醇混和溶劑...

耐高溫電磁波吸收材料，其特征在于，按重量百分比包含如下組分：　　　　氟橡膠ＦＰＭ２６０１　　２０～２５　　　　己二胺氨基甲酸鹽　　０．２～０．３　　　　銅抑止劑６５號(hào)　　０．１～０．２　　　　硫化劑　　２～４　　　　電磁波吸收劑　　６０...

一種微波等離子體火炬波導(dǎo)激勵(lì)腔，屬于微波等離子火炬激勵(lì)技術(shù)領(lǐng)域，涉及高壓強(qiáng)下，無內(nèi)置點(diǎn)火器的大氣微波等離子火炬（ＡＰＴ）激勵(lì)腔。該激勵(lì)腔由三段波導(dǎo)及一帶孔金屬膜片和一短路板組成。本發(fā)明通過壓縮波導(dǎo)窄邊高度和構(gòu)成ＴＥ↓［１０３］型諧振腔的...

本發(fā)明屬于微波等離子體激發(fā)技術(shù)領(lǐng)域，涉及大氣壓強(qiáng)下無點(diǎn)火器或引燃極的激勵(lì)腔。包括工作于ＴＭ↓［０１０］模式的圓柱形諧振腔，輸入波導(dǎo)與法蘭盤；圓柱形諧振腔由圓筒（１）、腔體頂蓋（２）和腔體底蓋（３）構(gòu)成；圓筒（１）側(cè)壁上開有微波耦合窗口（...

本發(fā)明公開了一種性能穩(wěn)定的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括透明襯底、陽(yáng)極層和陰極層，其中一種電極位于透明襯底表面，還包括設(shè)置在所述陽(yáng)極層和陰極層之間的有機(jī)功能層，它至少包括發(fā)光層，該發(fā)光層在外加電源的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光，該發(fā)光材料通過引入共軛結(jié)構(gòu)的具有吸...