一種毫米波３ｄＢ功率分配／合成網絡，包括毫米波矩形波導、兩個形狀和構造相同的探針和兩條微帶傳輸線；兩探針面對面沿著矩形波導Ｅ－面，從波導寬邊表面的同一開口垂直插入矩形波導內，其插裝位置對稱于矩形波導的寬邊中心面，且兩探針中心線與矩形波導...

一種高溫微波測試用圓柱形高Ｑ諧振腔，屬于微波測試技術領域。圓柱形高Ｑ諧振腔包括圓柱形腔筒、上端蓋、下端蓋和連接波導，圓柱形腔筒、上端蓋和下端蓋均分為內外兩層，內層為薄層耐高溫貴金屬材料，外層為厚層耐高溫支撐材料。其實質是采用薄層高溫貴金...

回旋管開槽波導，其特征在于該波導（１）的內壁上開設一個或多個軸向槽（２）以切斷競爭模式的角向壁電流；或在波導（３）的內壁上開設一個或多個角向槽（４），以切斷競爭模式的縱向壁電流。

本發明公開了一種回旋管開槽開放諧振腔，其特點是該諧振腔（１）的內壁上開設一個或多個軸向槽（２）以切斷競爭模式的角向壁電流；或者在諧振腔（３）的內壁上開設角向槽（４），以切斷競爭模式的縱向壁電流。當工作模式為非軸對稱模式時，在工作模式角向...

本發明公開了一種用于回旋管的多級復合諧振腔，其特點是該多級復合諧振腔含有３個或３個以上小諧振腔，小諧振腔之間為突變結構或漸變結構連接。多級復合諧振腔所有小諧振腔中工作波導模式角向指標相同，多級復合諧振腔入口第一個小諧振腔中工作波導模式階...

一種減小寬帶ＣＳ／ＣＧ有源巴倫相位不平衡度的方法，屬于微波毫米波集成技術領域，涉及ＣＳ／ＣＧ有源巴倫相位性能。首先根據ＣＳ／ＣＧ有源巴倫的增益、電流指標確定ＣＳ／ＣＧ　ＦＥＴ的物理尺寸；其次設定ＣＳ／ＣＧ　ＦＥＴ的直流工作點，使ＣＳ／Ｃ...

本發明涉及薄膜電路產品，特別涉及一種介電薄膜電極結構及其制備方法。本發明針對現有技術介電薄膜使用中損耗大，漏電流大的缺點，公開了一種具有復合電極結構的介電薄膜及其制備方法，可以降低介電損耗和漏電流。本發明的技術方案是，具有復合電極結構的...

隧道泵高速絕緣柵雙極晶體管（ＴＩＧＢＴ）其特征在于采用了含有隧道泵的硅片直接鍵合（ＳＤＢ）材料作為襯底（１０），襯底（１０）的下部為Ｐ↑［＋］高濃度硅單晶材料（９），上部為Ｎ↑［－］低濃度硅單晶材料（６），在上、下部之間有由多個高濃度的...

本實用新型提供一種用于功率器件的具有窗口的雙介質層ＳＯＩ耐壓結構以及采用具有窗口的雙介質層ＳＯＩ耐壓結構的ＳＯＩ功率器件，其特征是：耐壓層結構含有兩層介質層，兩介質層之間填充半導體或半絕緣材料，且第一層介質有窗口。當器件加上反偏電壓時，...

本實用新型提供了一種用于ＳＯＩ功率器件的具有雙介質埋層的耐壓層結構，以及采用該耐壓層結構的ＳＯＩ功率器件，屬于ＳＯＩ功率器件耐壓技術領域。本實用新型耐壓層具有雙介質埋層，兩介質埋層之間設置中間層。本實用新型采用的耐壓層及其采用該耐壓層制...

通過溫度調制在硅基片上制備鐵電薄膜的方法，涉及電子材料，特別涉及鐵電薄膜的制備技術。本發明提供一種鐵電薄膜的制備方法，以實現鐵電薄膜在Ｓｉ基片上的選擇性擇優定向生長，減小、抑制ＢＳＴ／Ｓｉ界面互擴散行為。為此，本發明提供一種通過溫度調制...

金屬氧化物薄膜的制備方法，涉及材料技術，特別涉及超導帶材氧化物過渡層薄膜的制備技術。采用本發明，能夠快速生長具有良好的織構和高的表面平整度的氧化物薄膜。本發明包括以下步驟：１）在具有織構特性的金屬基片上沉積金屬薄膜，沉積方式為蒸發、濺射...

導電氧化物電極材料及其制備方法，屬微電子材料領域，特別涉及導電氧化物電極材料及其制備方法。本發明提供一種可應用于鐵電微波器件的底電極材料，特別是在氧化鎂襯底上的雙晶外延導電氧化物鎳酸鑭薄膜的制備方法。本發明提供的導電氧化物電極材料，微觀...

本發明提供一種用于功率器件的具有窗口的雙介質層ＳＯＩ耐壓結構以及采用具有窗口的雙介質層ＳＯＩ耐壓結構的ＳＯＩ功率器件，其特征是：耐壓層結構含有兩層介質層，兩介質層之間填充半導體或半絕緣材料，且第一層介質有窗口。當器件加上反偏電壓時，中間...

一種氮化鎵基高電子遷移率晶體管，屬于半導體器件，特別涉及氮化鎵基高電子遷移率晶體管。它是由襯底７上依次形成的成核層６、高電阻半導體層５和能帶比高電阻半導體層５寬的勢壘層４，以及勢壘層４上的源極１、柵極２和漏極３，其中源極１、漏極３與勢壘...

本發明公開了一種在ＬＥＤ芯片表面制備熒光粉薄膜層的方法，包括以下步驟：①熒光粉層形狀的控制：將ＬＥＤ芯片上電極部分通過感光膠體遮擋住，形成電極遮擋部分，只留下需要熒光粉覆蓋的芯片發光區域；②制備熒光粉層：在ＬＥＤ芯片上未遮擋部分制備成厚...

一種垂直雙擴散金屬氧化物半導體器件的制造方法，屬于半導體工藝制造領域。本發明主要制造步驟包括：Ｎ↑［＋］襯底的制備，Ｎ↑［－］外延生長，柵氧氧化，多晶硅淀積及摻雜，淀積二氧化硅，刻出多晶硅窗口，Ｐ阱注入及推進，高濃度深Ｐ↑［＋］注入，Ｎ...

積累層控制的絕緣柵雙極型晶體管，屬于半導體功率器件技術領域。包括溝槽絕緣柵雙極型晶體管、平面絕緣柵雙極型晶體管和橫向絕緣柵雙極型晶體管。器件在阻斷狀態下，Ｐ↑［＋］體區（１０）和Ｎ↑［－］基區（４）形成的內建電場構成一個電子的勢壘，阻止...

一種陽極短路的隧道泵ＩＧＢＴ，屬于半導體功率器件技術領域。本發明是在傳統ＩＧＢＴ中同時引入陽極短路結構和隧道泵結構，或是在單純的陽極短路的ＩＧＢＴ中引入隧道泵結構，或是在單純的隧道泵的ＩＧＢＴ中引入陽極短路結構，使得本發明所述的陽極短路...

一種高壓ＢＣＤ器件的制備方法，屬于半導體制造技術領域。包括以下步驟：生長外延；制備Ｎｗｅｌｌ；制備Ｐｗｅｌｌ；制備Ｄｅｅｐ－Ｎ↑［＋］；高溫推結；制備Ｐｂａｓｅ；制備Ｐｂｏｄｙ；制備Ｐｗｅｌｌ２制備Ｐｃｈｓｔｏｐ；制備Ｎｃｈｓｔｏｐ；高...