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        電子科技大學專利技術

        電子科技大學共有35708項專利

        • 一種基于芴-咔唑共聚物的有機電致發光器件,包括透明襯底、陽極層和陰極層,其中一種電極位于透明襯底表面,還包括設置在所述陽極層和陰極層之間的有機功能層,它包括發光層或者空穴傳輸層,所述發光層在外加電源的驅動下發光,其特征在于,所述空穴傳輸...
        • 本發明公開了一種結構優化的白光有機電致發光器件,包括襯底、陽極層、陰極層和位于陽極層和陰極層之間的有機功能層,所述的陽極層或者陰極層位于襯底之上,所述有機功能層在外加電源的驅動下,發出白光,其特征在于:有機功能層包括空穴傳輸層、摻雜層、...
        • 本發明公開了一種簡化結構的有機薄膜晶體管,基板為剛性襯底或柔性襯底,其特征在于:在所述基板正面設置有呈平面排列的源電極、漏電極和柵電極,在呈平面結構的源電極、漏電極和柵電極上設置有有機柵絕緣膜,在所述有機柵絕緣膜的表面設置有有機半導體膜...
        • 本發明公開了一種有機薄膜晶體管,包括Si基板,其特征在于:所述Si基板的背面設置柵電極,所述Si基板的正面設置有單層或者多層有機柵絕緣膜,所述有機柵絕緣膜的上端蒸鍍有漏電極和源電極,所述漏電極、源電極和有機柵絕緣膜的表面覆蓋有有機半導體...
        • 一種半導體表面的橫向耐壓區及由其構成的器件。它是一種利用階梯式場板對半導體表面形成的金屬-絕緣層-半導體(MIS)電容來吸收(或注入)電通量于半導體表面,使半導體表面向襯底發出的有效電通量密度接近于最佳分布,從而在最短的表面距離內有最高...
        • SOI高壓器件,屬于電子技術領域中的SOI高壓半導體器件。本發明提供的SOI高壓器件包括二極管、LDMOS和LIGBT,其主要技術方案是將常規實心形狀的陰極/漏極/集電極改成環形形狀的陰極/漏極/集電極,使SOI高壓器件工作于截止狀態時...
        • 本發明公開了一種改變薄膜力學及光學性能的方法,其特征在于,在襯底上設置一層具有壓應力的非晶二氧化硅過渡層,然后在所述過渡層上再設置一層具有張應力的非晶氮化硅膜。該方法克服了現有技術中所存在的缺陷,通過性質相近、但應力相反的普通薄膜的簡單...
        • 本發明公開了一種白光有機電致發光器件,包括襯底、陽極層和陰極層,其中一種電極層位于襯底表面,所述陽極層和陰極層之間設置有機功能層,它至少包括發光層,該發光層是由藍色系熒光材料、綠色系熒光材料和紅色系熒光染料組成的復合材料層,在外加電源的...
        • 本發明公開了一種白光有機電致發光器件,包括襯底、陽極層、發光層和陰極層,其中一種電極層位于襯底表面,發光層位于陽極層和陰極層之間,在外加電源的驅動下發出白光,其特征在于,所述發光層材料為A~F中的一種:A.藍色系高分子聚合物發光材料摻雜...
        • 本發明公開了一種非摻雜的、具有超薄結構的有機電致發光器件,包括導電基板或者襯底、陽極層和陰極層,其中一種電極位于襯底或者導電基板表面,所述陽極層和陰極層之間設置有機功能層,它至少包括發光層,該發光層具有超薄結構材料層,在外加電源的驅動下...
        • 本發明公開了一種有機電致發光器件的掩膜體系,其特征在于,包括活動部分和固定部分,所述固定部分為單片小掩膜板,固定設置在基片托架上方和器件襯底下方,它與器件襯底在有機工作層的制備過程中始終固定在基片托架上,掩膜圖案與金屬電極的待蒸鍍區域圖...
        • 本發明公開了一種有機電致發光器件的新型封裝裝置,包括蓋板、定位板和封裝壓緊裝置;所述蓋板上與有機電致發光器件的基片接觸面上設置有與所述基片相對應的凹槽,所述凹槽內放置有吸濕劑;所述定位板設置有定位孔,所述定位孔的大小尺寸與所述基片一致;...
        • 本發明屬于半導體功率器件技術領域。器件SOI層較?。ǎ薄拨蹋恚?;柵氧化層較厚(100~800nm);柵極場板跨過柵極上方并延伸至漂移區的上方。器件體區中還可具有位于厚柵氧下方并與源區相連的有源擴展區,以使整個器件更加有效的形成。本發明...
        • 本發明屬于半導體功率器件技術領域。器件SOI層較薄(1~2μm);柵氧化層較厚(100~800nm);源極跨過柵極上方并延伸至漂移區的上方。器件體區中還可具有位于厚柵氧下方并與源區相連的有源擴展區,以使整個器件更加有效的形成。本發明柵氧...
        • 本發明公開了一種有機薄膜晶體管,包括基板、柵電極、絕緣層、有機半導體層、漏電極和源電極,結構組成為頂部接觸式、底部接觸式和頂部柵極式中的一種,其特征在于:還包括結合層,所述結合層由電子型有機半導體材料中的一種或多種構成,所述電子型有機半...
        • 一種有機薄膜晶體管,包括基板、柵電極、絕緣層、有機半導體層、漏電極和源電極,結構組成為頂部接觸式、底部接觸式和頂部柵極式中的一種,其特征在于:還包括過渡層,所述過渡層由空穴型有機半導體材料中的一種或多種構成。目的是要優化有機薄膜晶體管的...
        • 本發明公開了一種半導體器件及其提供的低壓電源的應用。在以第一種導電類型的半導體為襯底的含有高壓器件的芯片中,用在表面的第二種導電類型的半導體的孤立的區的電位直接作為低壓電源的一個輸出端,或作為一個晶體管的控制極的電壓間接地控制一個向低壓...
        • 本發明公開了一種有機薄膜晶體管,包括基板、柵電極、絕緣層、有機半導體層、漏電極和源電極,結構組成為頂部接觸式、底部接觸式和頂部柵極式中的一種,其特征在于,所述源電極和漏電極均與有機半導體層之間設置載流子注入層。本發明所提供的有機薄膜晶體...
        • 本發明公開了一種用于LED封裝的熒光粉分散體的制備及噴墨打印方法,包括以下步驟:①配制樹脂:將樹脂和固化劑按適當的體積比例混合;②稀釋樹脂:將①配制的高粘度的樹脂與醚類或酯類有機溶劑按適當比例混合,降低樹脂的粘度;③配制熒光粉與樹脂的分...
        • 本發明公開了一種有機薄膜晶體管,包括基板、柵電極、絕緣層、有機半導體層、漏電極和源電極,結構組成為頂部接觸式、底部接觸式和頂部柵極式中的一種,其特征在于:所述絕緣層是需要紫外固化的一種或者多種材料的組合。本發明的目的是優化有機薄膜晶體管...
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