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        國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司專(zhuān)利技術(shù)

        國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司共有17169項(xiàng)專(zhuān)利

        • 教導(dǎo)了使用多于一個(gè)電介質(zhì)層的均勻厚度的柔性電路。第一電介質(zhì)層更柔韌并且能夠在第二電介質(zhì)層不能可靠地彎曲的曲率半徑下可靠地彎曲。第二電介質(zhì)層具有比第一電介質(zhì)區(qū)域更期望的至少一種電特性,例如泄漏。還描述了使用均勻厚度的柔性電路來(lái)保護(hù)電子殼體...
        • 提出了一種用于管理檢查的系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品和方法,該檢查具有針對(duì)自動(dòng)響應(yīng)的查詢(xún)的對(duì)抗性強(qiáng)化。該方法包括電子地接收原始查詢(xún)(502)。對(duì)原始查詢(xún)的響應(yīng)要由人類(lèi)電子地提交。該方法還包括修改原始查詢(xún),從而生成修改的查詢(xún)(504)。修改的查詢(xún)...
        • 一種器件包括非易失性存儲(chǔ)器和控制系統(tǒng)。該非易失性存儲(chǔ)器包括非易失性存儲(chǔ)器單元的陣列,其中至少一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器單元包括鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FeFET)器件。FeFET器件包括第一和第二源極/漏極區(qū),以及包括鐵電層和設(shè)置在鐵電層之上的柵極電...
        • 提供了一種制造雙磁性隧道結(jié)裝置的方法。該方法包括:形成第一磁性隧道結(jié)疊層;在第一磁性隧道結(jié)疊層上形成自旋傳導(dǎo)層;在自旋傳導(dǎo)層上形成第二磁性隧道結(jié)疊層;以及在自旋傳導(dǎo)層和第二磁性隧道結(jié)疊層的表面上形成電介質(zhì)間隔物層。第二磁性隧道結(jié)疊層的寬...
        • 一種用于在音頻會(huì)話期間放大單個(gè)語(yǔ)音的方法、系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。所述方法的實(shí)施例可包括由計(jì)算裝置從用戶(hù)接收發(fā)言的音頻樣本,且由所述計(jì)算裝置基于所述音頻樣本生成用于所述用戶(hù)的發(fā)言的增強(qiáng)的用戶(hù)特定的聲學(xué)模型。所述方法可以進(jìn)一步包括:接收包括...
        • 監(jiān)視多個(gè)傳統(tǒng)應(yīng)用之間的網(wǎng)絡(luò)流量集合。從該網(wǎng)絡(luò)流量集合中,為該多個(gè)傳統(tǒng)應(yīng)用生成通信圖。從通信圖中,識(shí)別了多個(gè)傳統(tǒng)應(yīng)用中的可遷移應(yīng)用的集合。將該可遷移應(yīng)用集合遷移到云邊緣層,并將所述遷移通知給用戶(hù)。并將所述遷移通知給用戶(hù)。并將所述遷移通知給...
        • 用于形成離散的環(huán)繞接觸結(jié)構(gòu)的共形沉積的金屬襯墊位于柵極結(jié)構(gòu)對(duì)之間和柵極結(jié)構(gòu)的頂部之下。采用阻擋掩模圖案化來(lái)保護(hù)襯底的有源區(qū)上方的晶體管,同時(shí)去除有源區(qū)之間的金屬襯墊的部分。采用倒角技術(shù)來(lái)選擇性地去除有源區(qū)內(nèi)的金屬襯墊的其它部分。在沉積和...
        • 提供了一種計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品和方法。該方法包括通過(guò)基于與執(zhí)行的查詢(xún)相關(guān)聯(lián)的預(yù)先存儲(chǔ)的分類(lèi)數(shù)據(jù)庫(kù)標(biāo)識(shí)多個(gè)指示性標(biāo)記來(lái)分析執(zhí)行的查詢(xún);基于對(duì)執(zhí)行的查詢(xún)的分析生成多個(gè)分面;通過(guò)確定每個(gè)相應(yīng)分面和與執(zhí)行的查詢(xún)相關(guān)聯(lián)的所述多個(gè)標(biāo)識(shí)的指示性...
        • 一種半導(dǎo)體器件,包括兩個(gè)存儲(chǔ)器單元的第一納米片堆疊體以及上部納米片堆疊體,所述第一納米片堆疊體包括襯底上的下部納米片堆疊體,所述下部納米片堆疊體包括第一功函數(shù)金屬和半導(dǎo)體溝道材料的交替層,所述交替層彼此豎直對(duì)準(zhǔn)并疊置,所述上部納米片堆疊...
        • 一種電阻式RAM(RRAM)裝置,特別是用于交叉式陣列,其包括位于第一電極(110A)與第二電極(HOB)之間的電介質(zhì)層(115),電阻開(kāi)關(guān)層(120),以及位于所述第一電極與所述第二電極之間的第三電極(125),其中所述第一電極通過(guò)所...
        • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(100),包括:由電介質(zhì)層(114)包圍的加熱器(116);在加熱器(116)的頂部部分上的投射襯墊(124);在投射襯墊(124)上方的相變材料層(126);以及包圍相變材料層(126)的頂部的頂部電極觸點(diǎn)(136)。...
        • 可以提供一種用于尋找數(shù)據(jù)位置的方法。可以提供對(duì)應(yīng)于第一表格數(shù)據(jù)(14)的第一概要。可以掃描輔助數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)(2)以識(shí)別存儲(chǔ)在輔助數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)(2)中的第二表格數(shù)據(jù)(24)。可以獲得第二概要,其中該概要對(duì)應(yīng)于第二表格數(shù)據(jù)(24)的多個(gè)第二...
        • 呈現(xiàn)了用于產(chǎn)生與通量線相關(guān)聯(lián)的低通濾波器的技術(shù)。量子位裝置可以包括第一襯底和第二襯底。可以形成低通濾波器,其包括至少一個(gè)電感器和至少一個(gè)電容器,其中可以在第一或第二襯底上形成低通濾波器的相應(yīng)組件或與低通濾波器相關(guān)聯(lián)的相應(yīng)組件,并且其中一...
        • 聚酯進(jìn)料與有機(jī)催化劑和醇溶劑的解聚反應(yīng)產(chǎn)生(i)來(lái)自聚酯的再循環(huán)單體或低聚二酯,(ii)用于再使用的有機(jī)催化劑,和(iii)醇溶劑,其也可以再使用。揮發(fā)性雜質(zhì)如水、乙醛和有機(jī)溶劑的存在會(huì)干擾解聚反應(yīng)的成功。反應(yīng)前蒸餾步驟從聚酯進(jìn)料中除去...
        • 一種計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法,包括:利用明文實(shí)例和機(jī)密秘鑰來(lái)創(chuàng)建初始化向量;利用初始化向量、機(jī)密密鑰和明文實(shí)例對(duì)明文實(shí)例進(jìn)行加密;將初始化向量與經(jīng)加密的明文實(shí)例組合以創(chuàng)建密文串;以及向執(zhí)行去重的存儲(chǔ)設(shè)備發(fā)送密文串。串。串。
        • 由含有聚酯和棉的織物和/或纖維通過(guò)使織物和/或纖維與胺有機(jī)基催化劑和/或其羧酸鹽和醇溶劑反應(yīng)而獲得不含聚酯的棉。可間歇或作為連續(xù)流動(dòng)工藝進(jìn)行的反應(yīng)回收:(i)作為反應(yīng)的固體惰性副產(chǎn)物的不含聚酯的棉,(ii)胺有機(jī)基催化劑和/或其羧酸鹽以...
        • 提供了一種用于協(xié)調(diào)在可擴(kuò)展應(yīng)用處執(zhí)行的請(qǐng)求的方法、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。本發(fā)明可包括注冊(cè)關(guān)于在對(duì)多個(gè)應(yīng)用實(shí)例執(zhí)行客戶(hù)端請(qǐng)求時(shí)要應(yīng)用的響應(yīng)行為的元數(shù)據(jù)。本發(fā)明可包括根據(jù)元數(shù)據(jù)來(lái)增強(qiáng)客戶(hù)端請(qǐng)求以提供增強(qiáng)的請(qǐng)求實(shí)例,從而根據(jù)增強(qiáng)的請(qǐng)求實(shí)...
        • 提供了一種模擬存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu),以及寫(xiě)入這樣的結(jié)構(gòu)的方法。該模擬存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)包括與非易失性存儲(chǔ)器元件串聯(lián)的易失性存儲(chǔ)器元件。該模擬存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)可在施加電壓時(shí)改變電阻。這可以使能模擬存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的加速寫(xiě)入。能模擬存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的加速寫(xiě)入。能模擬存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)...
        • 一種量子半導(dǎo)體器件(200)包括:量子位芯片(202);內(nèi)插器芯片(208),所述內(nèi)插器芯片具有操作器,所述內(nèi)插器芯片包括耦合到所述量子位芯片的第一側(cè)的貫穿硅通孔(TSV)。多級(jí)布線MLW層(210,211,213)接觸所述內(nèi)插器芯片的...
        • 一種使用數(shù)據(jù)流的對(duì)抗性半監(jiān)督一次訓(xùn)練的方法、計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品和系統(tǒng)。該方法包括接收基于觀察的數(shù)據(jù)流,其中該數(shù)據(jù)流包括未標(biāo)記數(shù)據(jù)和標(biāo)記數(shù)據(jù)。該方法還包括使用基于分類(lèi)損失和對(duì)抗性項(xiàng)的隨機(jī)梯度下降來(lái)利用標(biāo)記數(shù)據(jù)訓(xùn)練預(yù)測(cè)模型,以及基于重建損失和對(duì)...
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