一種抗蝕劑組合物，其具有酸敏性成像聚合物和輻射敏感性產酸劑組分，該輻射敏感性產酸劑組分包括：（ｉ）第一輻射敏感性產酸劑，其選自抑制溶解的產酸劑，和（ｉｉ）第二輻射敏感性產酸劑，其選自不受保護的酸基官能化產酸劑和受酸不穩定基團保護的酸基官...

公開了一種負性抗蝕劑組合物，其中抗蝕劑組合物包括一種含有至少一種具有右面兩種通式之一的氟氨磺酰單體單元的聚合物：其中：Ｍ是可聚合的骨架部分；Ｚ是選自－Ｃ（Ｏ）Ｏ－，－Ｃ（Ｏ）－，－ＯＣ（Ｏ）－，－Ｏ－Ｃ（Ｏ）－Ｃ（Ｏ）－Ｏ－或烷基的連接...

一種在襯底上測量尺寸的方法，包括以下步驟：提供標稱圖形，所述標稱圖形包括在主方向上具有主間距周期Ｐ的部件陣列，其中所述標稱圖形由沿所述主方向以所述周期Ｐ重復的標稱特征尺寸表征，以及所述標稱特征尺寸具有沿與所述主方向垂直的方向的預定變 ...

通過使用結合包括室溫固體堿和液體低蒸氣壓堿的堿添加劑，獲得即使在困難的基材上也具有良好起腳性能的抗蝕劑組合物。該組合物尤其在金屬基材如通常用于掩模制造的含鉻層上有用。

一種形成多個掩膜的方法，包括：　　　　創建包含一個或多個對準特征的參考模板；　　　　使用光刻在用于給定芯片組的所有多個掩膜空白上印刷所述參考模板的至少一個拷貝；和　　　　在所述多個掩膜空白的每一個上印刷子圖案，并且將所述子圖案與所述至少...

本發明涉及浸沒式光刻曝光系統及探測其中異物的方法。具體地，本發明的實施方式提出了用于在浸沒式光刻曝光機中探測顆粒或氣泡的照明光的系統和方法等。更具體地，這里的實施方式提供了浸沒式光刻曝光系統，其包括：用于保持晶片的晶片保持器、用于覆蓋該...

一種方法，包括：　　　　在已完成的半導體設計中對不含所設計的形狀的區域定位；　　　　在所述區域中以預定的最終密度生成虛擬填充形狀；　　　　調整所生成的虛擬填充形狀的尺寸，使得其局部密度被增大到預定值；以及　　　　對所述虛擬填充形狀建立相...

一種檢查系統使用偏倚以補償失配的檢查數據，所述失配發生作為使用操作在不同于檢查系統用以檢查所述掩模的缺陷的光的波長的光的波長處的光學光刻系統印刷交替相移掩模的結果。

提供了用于制造光掩模例如玻璃上鉻光掩模和相移光掩模的方法。在制造方法中的選擇性的主鉻蝕刻和選擇性的鉻過蝕刻提供了具有改善的圖像質量的光掩模，并且在當前的工藝流程和制造步驟內提供了跨光掩模的標稱圖像尺寸控制和圖像尺寸均勻性。選擇性的蝕刻方...

一種壓印平版印刷的方法（和裝置），包括通過具有圖形的掩模將圖形壓印在基板上的抗蝕劑層中；以及使覆層覆蓋在壓印的抗蝕劑層上面。覆層的一部分用作硬掩模，用于隨后的處理。

本發明涉及一種使用具有可調精度的模擬檢驗掩模版圖印刷適性的方法和系統。公開了一種檢驗用于光刻工藝的掩模版圖的印刷適性的方法、系統和計算機程序產品。用于所設計的掩模版圖的光刻工藝的模擬是使用具有較低精度的掩模版圖的簡化版而模擬的，以產生較...

本發明涉及一種用于光掩模的護罩以及用于使用光掩模的方法。提供了一種在半導體光刻期間保護光掩模免受顆粒沾污的光學護罩，所述光學護罩具有增強的透射和操作性能。所述護罩利用透明聚合物和透明無機層的交替層形成具有高透射性能和高強度的護罩。在優選...

提供一種包括微電子襯底的制品（１０６）作為在微電子襯底的處理期間使用的制品。所述制品包括微電子襯底，所述微電子襯底具有前表面、與所述前表面相對的后表面以及位于所述前和后表面的邊界處的外部邊緣。所述前表面是所述制品的主表面。具有前表面、后...

提供了一種浸沒光刻系統，其包括可用于產生具有標稱波長的光的光源和光學成像系統。該光學成像系統具有在從光源到待由其構圖的物件的光路上的光學元件。所述光學元件具有適于接觸液體的表面，該液體占據該表面和該物件之間的空間。該光學元件包括可由該液...

一種光致抗蝕劑組合物，它包括：聚合物；光致產酸劑；和溶解改性劑。使用該光致抗蝕劑組合物和溶解改性劑組合物，形成圖像的方法。該溶解改性劑不溶于含水堿性顯影劑內且抑制聚合物在顯影劑內溶解，直到通過光致產酸劑暴露于光化輻射線下生成酸，其中溶解...

已發現一種組合物，其特征是存在具有芳族殘基、且對１９３納米輻射波長的折射率值ｎ小于１．５的可溶于堿性水溶液的聚合物，其尤其可用作１９３納米干式光刻法中的頂部抗反射涂層。已發現，具有烯式骨架并具有氟和磺酸殘基的聚合物尤其有用。該組合物能夠...

公開了涂覆在光致抗蝕劑材料上面的面涂層材料。該面涂層材料包含在２５℃或更低的溫度下微溶或不溶于水但在６０℃或更高的溫度下可溶于水的聚合物。該聚合物包含具有以下聚合物結構的聚乙烯醇單體單元和聚乙酸乙烯酯或聚乙烯基醚單體單元，其中Ｒ是脂族或...

一種用于在工件上沉積已構圖結構材料層的設備，包括：沉積模塊，具有氣體供給裝置和用于沉積結構材料的裝置，所述氣體供給裝置用于使至少一種氣體在所述工件上流動，所述至少一種氣體包括圖案材料形成氣體，以及曝光模塊，包括對準工件的粒子源以及調節所...

本發明公開了一種用于在襯底表面和正性光刻膠組合物之間施用的抗反射涂料組合物。該抗反射涂料組合物可在含水堿性顯影液中顯影。該抗反射涂料組合物包含聚合物，該聚合物包含至少一種含選自內酯、馬來酰亞胺和Ｎ－烷基馬來酰亞胺的一個或多個結構部分的單...

特征為存在一種具有側發色團部分的含ＳｉＯ聚合物的抗反射組合物在光刻工藝中是有用的抗反射涂料／硬掩模組合物。這些組合物提供突出的光學，機械和蝕刻敏感性性能，同時能夠使用旋涂施加技術施加。該組合物特別用于光刻工藝，該光刻工藝用于在襯底，特別...