本申請實施例提供一種半導體結構及其制備方法，涉及集成光子器件技術領域。半導體結構包括硅襯底層；鈮酸鋰薄膜層，沿第一方向形成在硅襯底層的一側；應力補償層，應力補償層沿第一方向形成在硅襯底層和鈮酸鋰薄膜層之間，應力補償層用于部分或全部抵消硅...

本申請提供一種單晶薄膜、周期極化波導器件及其制備方法、日盲紫外光探測器及探測方法，所述單晶薄膜通過在襯底上形成功能層，且功能層的材料為近化學計量比鉭酸鋰或摻鎂近化學計量比鉭酸鋰，可提供日盲紫外波段透明特性，解決日盲紫外透明問題；并且，還...

本申請提供一種碳化硅基復合襯底及其制備方法和功能器件，涉及半導體技術領域。碳化硅基復合襯底的制備方法包括：提供碳化硅襯底和第一供體襯底；第一供體襯底至少包括單晶硅薄膜層和位于單晶硅薄膜層厚度方向一側的第一犧牲層；以碳化硅襯底和單晶硅薄膜...

本發明提供一種復合襯底殘余應力分布的獲取方法及系統，所述方法包括：獲取復合襯底的表面形貌參數數據集及復合襯底的特征參數數據集，其中，表面形貌參數數據集為BOW值數據集，從BOW值數據集中剔除無效BOW值，得到有效BOW值數據集，再基于有...

本申請涉及半導體元件技術領域，提供了一種周期極化薄膜制備方法，包括：提供具有周期性排列的金屬電極的薄膜結構。薄膜結構包括層疊設置的薄膜層與支撐結構，薄膜層與支撐結構鍵合連接，金屬電極連接于薄膜層背離支撐結構的一側。對具有金屬電極的薄膜結...

本申請提供一種提升壓電復合薄膜黑化效果的方法，通過先對至少包括依次層疊的襯底層和薄膜層的壓電復合薄膜的薄膜層表面進行粗糙化處理，增加其表面有效反應面積，再將薄膜置于還原介質中進行黑化還原熱處理，以得到黑化壓電復合薄膜。粗糙化后的表面能夠...

本申請提供一種復合襯底及其制備方法，所述復合襯底包括：襯底層；低氧氧硅層，設置在襯底層上，低氧氧硅層由氧硅原子比小于2的硅氧化物構成，低氧氧硅層中具有本征氧空位；壓電單晶薄膜層，設置在低氧氧硅層上；其中，壓電單晶薄膜層為通過離子注入形成...

本申請涉及半導體元件技術領域，提供了一種周期極化薄膜制備方法，包括：提供襯底層；在襯底層上形成隔離層，并對隔離層的含氧量進行調整；形成薄膜層并將薄膜層與隔離層鍵合；在薄膜層背離隔離層的一側表面形成周期性排列的金屬電極，以得到具有周期性排...

本申請涉及半導體元件技術領域，提供了一種周期極化薄膜制備方法，包括：提供薄膜結構；薄膜結構包括層疊設置的薄膜層與支撐結構，薄膜層與支撐結構鍵合連接；對薄膜結構進行黑化處理，得到黑化薄膜層；在黑化薄膜層背離支撐結構一側表面形成周期性排列的...

本申請提供一種具有耦合端面區域的復合薄膜及制備方法，所述具有耦合端面區域的復合薄膜包括：襯底；以及位于所述襯底上的單晶薄膜層，所述單晶薄膜層具有用于光信號耦合的耦合端面區域；其中，所述耦合端面區域是經過局部熱學性能改性處理、并具有目標熱...

本申請屬于半導體技術領域，具體涉及一種光波導復合薄膜及其制備方法，所述光波導復合薄膜包括自下而上層疊設置的襯底層、隔離層、波導復合體和薄膜層；其中，所述波導復合體包括硅波導和填充于硅波導周圍區域的填充結構，所述硅波導上表面與填充結構上表...

本申請屬于半導體技術領域，具體涉及一種圖形化襯底基復合薄膜及其制備方法，制備方法包括步驟：準備圖形化襯底和薄膜晶圓離子注入片，圖形化襯底和薄膜晶圓離子注入片均具有鍵合面；圖形化襯底為由不同材料復合而成的疊層結構，在至少任一層中設有圖形化...

本申請提供一種圖形化襯底、圖形化復合薄膜及其制備方法、功能器件，所述圖形化襯底包括第二襯底，所述第二襯底的材料為電子遷移率高于硅的材料；第一絕緣鍵合結構，所述第一絕緣鍵合結構包括層疊設置的絕緣層與埋氧層，所述絕緣層和所述埋氧層均為SiO...

本申請屬于半導體技術領域，具體涉及一種復合薄膜的制備方法。該制備方法包括以下步驟：準備襯底和薄膜基板，其中，襯底和薄膜基板的鍵合面均包括內部區域和邊緣區域；對薄膜基板和或襯底的鍵合面邊緣區域進行挖槽處理以形成凹槽，所述凹槽處為非鍵合區；...

本申請屬于半導體技術領域，具體涉及一種復合薄膜及其制備方法，包括以下步驟：準備襯底和薄膜晶圓，二者的鍵合面包括內部區域和邊緣區域；對薄膜晶圓進行離子注入，得到自鍵合面起依次層疊薄膜層、分離層和余質層的離子注入片；對襯底和/或離子注入片的...

本發明提供了一種復合鈮酸鋰晶體材料、制備方法及其應用，涉及半導體材料領域；所述復合鈮酸鋰晶體材料，包括同成分鈮酸鋰和位于同成分鈮酸鋰表面的VTE鈮酸鋰層；所述VTE鈮酸鋰層的鋰鈮原子比為≥0.96:1；所述復合鈮酸鋰晶體材料能夠使薄膜界...

本發明提供了一種復合薄膜、制備方法及其應用，涉及半導體材料領域；所述復合薄膜包括襯底層和VTE鈮酸鋰層；所述VTE鈮酸鋰層的鋰鈮原子比為≥0.96:1；所述復合薄膜能夠使薄膜界面質量提升，消除了薄膜微裂紋與界面缺陷，并且具有穩定的化學計...

本發明屬于半導體技術領域，具體涉及一種摻雜活性離子的鈮酸鋰/鉭酸鋰薄膜及其制備方法。所述薄膜包括自下而上層疊設置的襯底、隔離層、無源薄膜層和有源薄膜層；其中，所述無源薄膜層和有源薄膜層的材質分別為鈮酸鋰和摻雜活性離子的鈮酸鋰，或，鉭酸鋰...

本發明屬于半導體技術領域，具體涉及一種離子注入方法。所述方法包括以下步驟：準備待注入晶圓，所述待注入晶圓具有離子注入面；在所述待注入晶圓的離子注入面上制備導電層；自所述導電層向待注入晶圓進行離子注入，離子注入期間保持導電層接地，得到離子...

本申請實施例提供一種花籃訂單區分裝置及花籃，包括分隔件和固定件；分隔件包括相互連接的連接部和伸入部，連接部的一端沿水平方向延伸，連接部的另一端和伸入部的一端連接，伸入部的另一端被配置為能夠伸入至花籃的晶片放置槽內，或者，相鄰的兩個晶片放...