本發明公開了一種應用于CMOS圖像傳感器全局格雷碼計數器的奇偶校驗電路及數據校驗方法，涉及車規級CMOS圖像傳感器技術領域，旨在解決現有CIS架構無法覆蓋數據采樣全鏈路校驗、傳統奇偶校驗電路面積開銷大、異步采樣時序錯位導致校驗失效的問題...

本發明提供一種高性能圖像傳感器設計方法，包括：在形成所述圖像傳感器晶體管的過程中，沿所述晶體管溝道長度方向，以所述晶體管柵極一側作為信號輸入端，相對的一側作為信號輸出端，使所述晶體管在所述信號輸入端和所述信號輸出端存在不對稱的結構，以使...

本發明公開了一種具有相位檢測自動對焦（PDAF）功能的圖像傳感器，通過所述圖像傳感器的PDAF微透鏡和非PDAF微透鏡分別設置獨立的偏移，以同時優化所述PDAF微透鏡和所述非PDAF微透鏡的聚焦效果，提高圖像傳感器性能。

本發明提供一種圖像傳感器形成方法，包括：于所述圖像傳感器像素單元浮置擴散區與光電二極管的摻雜區之間形成傳輸通道，所述傳輸通道被垂直轉移晶體管的兩個側面和一個頂面所環繞；所述垂直轉移晶體管的頂部多晶硅柵極呈弧形結構，所述頂部多晶硅柵極靠近...

本發明提供一種抑制鏡像電流源電路中噪聲引入的方法，包括：將所述鏡像電流源中電壓?電流轉換模塊的柵極電壓采樣在柵極與電源之間的第一電容上，以避免引入參考電流源及電流?電壓轉換模塊的噪聲；當外界噪聲影響所述鏡像電流源的輸出電流時，對所述柵極...

本發明公開一種非均勻暗電流校正方法及圖像傳感器，所述非均勻暗電流校正方法包括：對圖像傳感器進行遮光；將遮光的圖像傳感器分別調整至第一預設條件和第二預設條件，并使調整后的圖像傳感器分別在不同溫度下捕獲圖像，以獲取第一預設條件和第二預設條件...

本發明提供一種背照式圖像傳感器形成方法，包括：在形成所述圖像傳感器第一表面的金屬互連層之前，進行至少兩次臨時鍵合工藝，并形成位于所述第一表面的光電二極管、功能晶體管結構及與所述第一表面相對的第二表面的深溝槽隔離結構，以放寬所述第二表面工...

本發明公開了一種觸控顯示面板、觸控顯示面板的驅動方法和顯示裝置，所述觸控顯示面板包括：至少兩個感測電極組，至少兩個與所述感測電極組電連接的多路選擇器，以及與所述多路選擇器電連接的觸控集成電路；其中，所述多路選擇器至少包括并聯的觸控路和顯...

本發明提出的圖像傳感器的制造方法及圖像傳感器，通過在光電二極管中形成沿第一方向延伸的填充結構，該填充結構具有對應光電二極管的第二型的部分。特別的，為設計高成像質量的前照式/背照式圖像傳感器，設計填充結構帶空腔，用于顯著提升光學響應、滿阱...

本發明公開了一種圖形傳感器的形成方法，包括：提供襯底；刻蝕所述襯底，在所述襯底中形成溝槽；在所述溝槽內形成外延摻雜層形成光電二極管之前，對所述溝槽表面進行預處理，使所述溝槽界面處的部分襯底中的離子摻雜濃度梯度分布發生改變，以減少所述光電...

一種無間斷人臉檢測方法及電子設備和存儲介質，是從原始圖像中提取單一顏色分量形成初始圖像，用預定義的人臉模板在初始圖像上滑動，提取得到對應初始圖像不同區域的多個預檢圖像，對預檢圖像進行預處理，得到待選圖像，對預檢圖像和/或待選圖像進行預篩...

本發明提供一種圖像傳感器形成方法，包括：在柵極形成之前，刻蝕半導體襯底形成半導體島狀結構和深溝槽，實現所述圖像傳感器像素單元之間的光學隔離；通過外延工藝形成第一外延層，使至少部分所述深溝槽的上部閉合，并于所述深溝槽上部的閉合區域形成所述...

本發明提供一種圖像傳感器形成方法，包括：于所述圖像傳感器設置若干像素組，每個所述像素組中設置若干常規像素單元及若干相位檢測像素單元，形成N階方陣排布，N為不小于3的奇數，所述相位檢測像素單元設置于每2×2個像素組陣列的中心位置，分為兩組...

本發明提供一種圖像傳感器的形成方法，包括：刻蝕半導體襯底的第一表面，形成第一溝槽，于所述第一溝槽形成所述圖像傳感器像素單元之間的第一隔離結構；至少于部分對應所述第一溝槽的位置，刻蝕所述半導體襯底與所述第一表面相對的第二表面，形成第二溝槽...

本發明公開了一種CMOS圖像傳感器，通過合理布置網柵結構，調整芯片光接收區不同區域、不同顏色濾色器的光接收面積，同時調整光接收區不同區域的網柵寬度，可同時解決芯片光接收區中心區和邊緣區的色差問題以及不同顏色像素之間的光串擾問題，大大提高...

本發明提供一種多值存儲器形成方法，包括：于半導體襯底中形成電荷存儲區，在所述電荷存儲區上部位置形成浮置擴散區；于所述浮置擴散區的周圍形成環形垂直轉移晶體管，所述環形垂直轉移晶體管溝道區域的任一點與環形垂直轉移晶體管的柵極介質層的空間距離...

本發明提供一種圖像傳感器形成方法，包括：在所述圖像傳感器減薄工藝之后，制作微透鏡之前，于所述圖像傳感器背面形成孔洞內徑周期性變化的孔洞陣列，以形成有效折射率從像素單元中心沿徑向向外呈現規律變化的聚光層，從而提高入射光在所述像素單元中的聚...

本發明提供一種半導體芯片的封裝方法及封裝結構，提供基板以及設置于所述基板上的至少一個半導體芯片；所述半導體芯片的焊盤與所述基板電學連通，所述基板再與外部電學連通；所述半導體芯片的焊盤還設有向上連接的結構以實現所述半導體芯片直接與外部電學...

本發明公開了一種提高圖像傳感器的光學性能的實現方法，包括：提供襯底；刻蝕所述襯底正面，形成溝槽；至少在所述溝槽底部填充低折射率的第一介質層；對所述襯底背面減薄至暴露出所述溝槽內低折射率的第一介質層的部分或全部，形成分光結構，以提高所述圖...

本發明提供一種圖像傳感器存儲陣列的數據讀出方法及讀出電路，根據存儲陣列中的各列與讀出控制單元的距離遠近，調節各列的讀出使能信號的電壓或寬度或相位，以補償譯碼過程中產生的讀出使能信號延遲，盡量不增加芯片面積和功耗的前提下，減小陣列遠近端差...