本發明涉及摻雜有氧化鉭的低損耗光波導和該波導的制造方法。ＳｉＯ↓［２］煙灰用Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］摻雜，形成煙灰坯料，該坯料在適合于防止含Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］－ＳｉＯ↓［２］的波導內產生結晶的條件下進行固結。然后，將所得棒拉伸成光纖，...

提供一類具有優良的遠至光譜紅外區的透射的玻璃，包含作為共摻雜劑的磷離子源物質，將稀土金屬離子的摻雜劑分散在該玻璃中，還提供包括這種玻璃的光學元件以及在該玻璃中分散稀土金屬離子的方法。

本發明提供一種無色無機玻璃以及由這種玻璃制造的產品。所述玻璃是含有銅鹵化物或銅鎘鹵化物并在３７０－４２５ｎｍ有光吸收銳截止的玻璃；所述無色玻璃主要具有按陽離子百分數表示的以下組成：２３－７３％ＳｉＯ↓［２］，１５－４５％Ｂ↓［２］Ｏ↓［...

公開了一種適合用于光放大的玻璃組合物，包含硅酸鹽，它包含：至少５０摩爾％的ＳｉＯ↓［２］、至少一種可選自Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］和Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］的第Ⅲ族氧化物，（Ｘ↓［２］Ｏ＋ＹＯ）與所述至少一種第Ⅲ族氧化物的比值（Ｒ）小于或等于１...

本發明涉及適用于任何光纖的玻璃的制造方法，包括（１）將光學活性成分溶解于溶劑中形成溶液；（２）混合所述的溶液與粉末基材，該粉末基材不溶于所述的溶劑；（３）將所述的溶液和粉末基材在使熔體粘度不大于１００，０００泊的溫度或溫度范圍熔制形成玻...

一種在基片上形成玻璃層圖案的相對容易、價廉的方法，包括在可熱結晶的玻璃層上形成含成核劑的晶種材料圖案，熱處理該晶種材料和可熱結晶的玻璃層，在可熱結晶的玻璃層的選定區域沿從晶種材料至可熱結晶層的厚度方向引發高定向的晶體生長。在熱處理后，所...

一種應變點超過７８０℃，熱膨脹系數（０～３００℃）為２０～６０×１０↑［－７］／℃，楊氏模量大于１２ｍｐｓｉ，在ＢＨＦ中重量損失小于１ｍｇ／ｃｍ↑［２］的氧化鈦－氧化鑭－硅鋁酸鹽玻璃系列，其中氧化鈦可以部分或全部用氧化鉭代替。

本發明涉及熔制形成銀含量高而不含堿金屬的硼硅酸鹽玻璃，它可用來制造光學裝置。對于具有折射率梯度的透鏡，可對玻璃進行離子交換，以便在比玻璃中心具有更高折射率的玻璃表面上引入極化度較小的離子。本發明獨特之處在于銀離子不是通過離子交換引入的。...

本發明涉及一種具有壓敏粘合劑特性的光纖涂層。該涂層的粘彈性窗口包括至少一組坐標，在２、３或４象限或流變通用曲線的Ｃｈａｎｇ粘彈性的過渡流動區域，或不包括至少一組坐標，不在流變通用曲線的Ｃｈａｎｇ粘彈性的１象限內。

本發明披露了內透射率高并且雙折射低的熔凝硅石元件。也披露了制造這種熔凝硅石元件的方法。按本發明，所提供的熔凝硅石元件在１９３ｎｍ處的內透射率為等于或大于９９．６５％／ｃｍ，沿使用軸的絕對最大雙折射為小于或等于０．７５ｎｍ／ｃｍ。

玻璃偏振器以及該偏振器的制造方法，該偏振器由含有限量的ＺｒＯ↓［２］和ＴｉＯ↓［２］的Ｒ↓［２］Ｏ－Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］－Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］－ＳｉＯ↓［２］玻璃制成，且具有的鹵化銀液相溫度和金紅石液相溫度均不超過９９５℃。

經激光束輻照后，與低鋁熔凝石英玻璃器件相比，內透光率提高了，吸光變化降低了的熔凝石英玻璃器件。該器件經激光束輻照后還呈現誘導透光率。

本發明公開了含鋁至少５０ｐｐｂ的熔凝石英玻璃器件，含鋁量達此水平的熔凝石英玻璃經激光光束輻照，與低鋁熔凝氧化硅器件相比內透光率提高，并吸光變化降低。

熔凝石英玻璃器件經激光束輻照，與低鋁熔凝石英玻璃器件相比內透射率提高了，吸光變化降低了。該器件還呈現激光束輻照時誘發透光率。還具有提高了的軸外折射率均勻性。

本發明揭示了一種制備玻璃材料的方法：混合除氣性材料，熔融，使其除氣，形成玻璃料，然后將玻璃料與基本上非除氣性材料混合，熔融形成玻璃。由于玻璃料已經過除氣，因此在最終的玻璃熔融步驟中產生較少氣體，從而減少了起泡和浮渣形成。結果，玻璃熔爐中...

一種用于化學處理和制造的微結構，它包括許多限定了至少一個用于容納要處理的化學物質的微通道的微通道壁，至少一層粘附在許多限定了所述至少一個微通道的微通道壁上的涂層，所述涂層包括催化劑載體和催化劑，其特征在于，所述許多微通道壁包含選自玻璃、...

一種制造精密光學元件的方法，所述方法包括：　　　　ａ）提供玻璃化轉變溫度（Ｔ↓［ｇ］）約為５５０℃的非氧化物玻璃；　　　　ｂ）提供模具，所述模具具有活性表面，所述表面具有光學拋光面，可在施涂保護涂層或不施涂保護涂層的條件下使用，其中，所...

一種用于玻璃或玻璃陶瓷反應器（１００）的氣密接口組件（１０），該組件包括一有一金屬孔（１２０）的金屬連接件（１２）和一有一玻璃孔（１３０）的玻璃件（１３）。玻璃件（１３）設置在金屬孔（１２０）內，金屬連接件（１２）具有比玻璃件（１３）高...

一種層疊片材，包括具有火拋光質量光學表面的表層和模數高于表層、用于提高該層疊片材總體剛度或斷裂韌度的芯層。

公開一種具有芯的光纖，該芯的堿金屬氧化物摻雜劑峰值濃度大于約０．００２重量％，但小于約０．１重量％。堿金屬氧化物濃度隨光纖半徑變化。通過適當選擇芯和包層中的堿金屬氧化物摻雜劑氧化硅的濃度，能獲得低損失的光纖。還公開幾種制造光纖的方法，包...