本發明涉及一種層疊體，其具有：半導體基板

本發明涉及液晶取向劑

包含電荷傳輸性物質

本發明提供一種粘接劑組合物，該粘接劑組合物提供粘接層，該粘接層能夠適當地臨時粘接帶凸塊的半導體基板和支承基板，能抑制或緩和由加熱等來自外部的負荷引起的凸塊變形，表現高蝕刻速率

本發明的課題是提供通過將不穩定的活性硅酸水溶液穩定化而得到的穩定化了的活性硅酸水溶液，以及提供包含使用該穩定化了的活性硅酸控制了粒徑分布

一種粘接劑組合物，其中，涂布所述粘接劑組合物而得到的粘接劑涂布層在

本發明提供一種化合物，所述化合物在極性溶劑中的溶解性良好

本發明提供一種取向膜形成材料，其提供透射狀態下的透光率高

一種絕緣膜形成用感光性樹脂組合物，其包含溶劑和聚酰亞胺、聚酰胺酸及聚酰胺酸酯中的至少任一種聚合物，所述聚合物具有光聚合性基團、芳香族基團及碳原子數5以上的烷基。芳香族基團及碳原子數5以上的烷基。

提供用于形成能夠形成所希望的抗蝕劑圖案的抗蝕劑下層膜的組合物

本發明涉及一種層疊體，其特征在于，具有：半導體基板

本發明的課題是提供用于形成即使是膜厚為

本發明提供一種具有在半導體基板的加工后將半導體基板與支承基板分離時能夠容易地剝離且能夠抑制凸塊變形的粘接層的層疊體等

提供在半導體制造中的光刻工藝中，顯示高藥液耐性、良好的光學參數、和期望的干蝕刻選擇比的保護膜。一種針對半導體用濕蝕刻液的保護膜形成用組合物，其包含(A)化合物、(B)熱產酸劑(B

提供用于形成能夠形成所希望的抗蝕劑圖案的抗蝕劑下層膜的組合物、和使用了該抗蝕劑下層膜形成用組合物的抗蝕劑圖案制造方法、半導體裝置的制造方法。一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其在包含雜環的聚合物的重復單元結構中或末端具有被保護基取代了的堿性...

本發明提供能形成以高特性水平兼顧耐久特性和滑動性，并且在假定實際使用的基礎上兼備高拒液特性的硬涂層的、沒有懸浮物和沉淀物的均質的固化性組合物。本發明提供一種固化性組合物，其包含：(a)一個分子中具有兩個以上(甲基)丙烯酰基的活性能量射線...

本發明的課題是提供使層狀聚硅酸鹽化合物進行了層間剝離的剝離粒子分散液。本發明的解決手段為一種剝離粒子分散液以及包含剝離粒子的膜形成用組合物、多孔體形成用組合物、LB膜、涂布膜、自支撐膜、質子傳導體、燃料電池用電解質膜、多孔體，所述剝離粒...

本發明的課題是提供可以形成誘發所希望的垂直圖案的自組裝化膜的

本發明提供包含選自由下述式(1)表示的重復單元和由下述式(2)表示的重復單元中的至少一個的聚合物。一個的聚合物。一個的聚合物。

本發明提供可以形成所期望的抗蝕劑圖案的抗蝕劑下層膜形成用組合物、以及使用該抗蝕劑下層膜形成用組合物的抗蝕劑圖案制造方法、半導體裝置的制造方法。所述抗蝕劑下層膜形成用組合物包含末端負載有酸化合物的聚合物、和溶劑。所述酸化合物可以與存在于聚...