一種層疊體，其特征在于，具備：半導體基板；支承基板；設為與上述半導體基板相接的剝離層；以及設于上述支承基板與上述剝離層之間的粘接層，上述剝離層是由包含主要由聚二甲基硅氧烷組成的聚有機硅氧烷成分的剝離劑組合物得到的膜，上述聚有機硅氧烷成分...

提供以往的檢查方法不能檢測的半導體制造用硅晶片表面的雜質檢測方法、除去了該晶片表面的雜質的半導體制造用晶片的制造方法和半導體制造用晶片的分選方法。一種半導體制造用晶片表面的雜質檢測方法，其包含下述工序：在該晶片表面涂布膜形成用組合物，進...

本發明提供取向材用固化膜形成用組合物，其能夠以比較低溫和短時間的條件形成作為取向材使用、并在其上配置聚合性液晶的層時顯示出優異的液晶取向性、光透過性和耐溶劑性的固化膜。本發明是一種取向材用固化膜形成用組合物，含有作為(A)成分的具有麥克...

本發明提供一種包含在大氣壓下是難以加熱、相對于基板垂直誘發了微相分離結構的嵌段共聚物的層、其制造方法以及使用了垂直相分離的嵌段共聚物層的半導體裝置的制造方法。所述嵌段共聚物層是在低于大氣壓的壓力下用能夠引起誘導自組裝的溫度進行加熱而形成...

本發明提供一種液晶取向膜、以及用于得到該液晶取向膜的液晶取向劑和使用了該液晶取向膜的液晶顯示元件，所述液晶取向膜能通過照射光后進行燒成的工序來制造，其液晶取向性良好，并且液晶取向膜面內的液晶取向性的不均(不均勻性)得到了抑制。本發明的液...

本發明提供抗蝕劑下層膜形成用組合物，該組合能夠形成顯示出高耐蝕刻性、良好的干蝕刻速度比及光學常數，即使對于所謂的高低差基板也具有良好的被覆性、埋入后的膜厚差小、并且平坦的膜。此外，還提供適合于該抗蝕劑下層膜形成用組合物的聚合物的制造方法...

本發明中，以具有導電性的碳材料為原料，得到保持和/或提高其導電性的穩定的形態，在用于燃料電池的催化劑層時，提高發電特性。本發明為具有酚羥基的芳香族化合物與具有導電性的碳材料的混合物的燒成體等。性的碳材料的混合物的燒成體等。

本發明提供用于形成能夠形成所希望的抗蝕劑圖案的抗蝕劑下層膜的組合物、以及使用了該抗蝕劑下層膜形成用組合物的抗蝕劑圖案制造方法、半導體裝置的制造方法。一種EUV抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含下述式(1)表示的化合物、聚合物和有機溶劑。(...

本發明提供保護膜形成用組合物，其于半導體基板加工時具有對濕蝕刻液的良好掩模(保護)功能，具有低蝕刻速度，進而對高低差基板的被覆性和嵌埋性良好，嵌埋后的膜厚差小，能夠形成平坦的膜。本發明還提供使用該組合物制造的保護膜、抗蝕劑下層膜、附抗蝕...

本發明的課題是提供藥劑誘發性心動過緩和心動過緩性心律失常治療藥。解決手段是一種藥劑誘發性心動過緩和心動過緩性心律失常的治療劑，其包含下述化合物(I)或它們的藥理學上可容許的鹽作為有效成分。(式中，Ph表示苯基。))))

本發明提供一種液晶取向劑，其能適合用于膜強度高的液晶取向膜和AC殘像得到了抑制的液晶顯示元件，在低溫保管時固體成分不析出。本發明還提供一種由該液晶取向劑得到的液晶取向膜、具有該液晶取向膜的液晶顯示元件。本發明的液晶取向劑含有下述的(A)...

一種層疊體，其特征在于，具備：半導體基板；支承基板，透射紫外線；以及粘接層和剝離層，設于半導體基板與支承基板之間，上述剝離層為由剝離劑組合物得到的膜，所述剝離劑組合物包含：含叔丁氧羰基的乙烯性不飽和單體的聚合物、光致酸產生劑以及溶劑。光...

本發明提供包含含磷酸基聚合物的涂覆膜形成組合物、作為該組合物的固化物的涂覆膜，所述涂覆膜形成組合物能通過簡易的工藝在基板上成膜，并且能夠在包含水的溶劑環境下維持膜性能。涂覆膜形成組合物，其包含：聚合物(P)，其為含有羥基的聚合物(P)，...

提供能夠沒有孔隙(空隙)地埋入微細化發展的半導體基板上的微細孔，在膜形成時的膜燒成時產生的升華物少的抗蝕劑下層膜形成用組合物、和兼具在半導體基板加工中作為對濕蝕刻藥液的保護膜的功能的藥液耐性保護膜組合物。一種抗蝕劑下層膜形成用組合物或保...

本發明提供有機光電轉換元件的空穴捕獲層用組合物，其包含：包含含有由式(1)或式(1

提供在大氣壓下的加熱時困難的、使嵌段共聚物的微相分離結構相對于基板垂直地誘導了的、包含嵌段共聚物的層、其制造方法、以及使用了進行了垂直相分離的嵌段共聚物層的半導體裝置的制造方法。是在小于大氣壓的壓力下在能夠發生誘導自組裝化的溫度下加熱而...

本發明提供存在此消彼長關系的耐刮擦性及拉伸性均優異的硬涂層形成材料。解決問題的手段是一種固化性組合物，其中包含(a)氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯100質量份；(b)用硅烷偶聯劑進行了表面改性的二氧化硅粒子5質量份～70質量份，所述硅烷偶聯...

本發明提供顯示出對疏水性溶劑良好的溶解性、在不使形成于基板上的包含嵌段共聚物的層溶解、溶脹等的情況下能夠引起嵌段共聚物的垂直取向的上層膜形成用組合物。該上層膜形成用組合物是用于使形成于基板上的包含嵌段共聚物的層進行相分離的上層膜形成用組...

本發明的課題是提供用于形成在半導體基板等的加工工序中，不僅能夠通過以往的采用干蝕刻的方法，而且能夠通過采用使用了稀氫氟酸、緩沖氫氟酸和堿性藥液等藥液的濕蝕刻的方法進行剝離的抗蝕劑下層膜的含有硅的抗蝕劑下層膜形成用組合物，此外提供保存穩定...

本發明涉及包含可選擇性地切斷的部位的核酸化合物的利用方法。另外，本發明中，涉及包含可選擇性地切斷的部位的DNA編碼化文庫、其合成用組合物及其使用方法。合成用組合物及其使用方法。