提供：即使減少基于光取向法的取向處理中的光照射量、IPS驅動方式、FFS驅動方式的液晶表示元件中也得到良好的殘影特性的液晶取向劑、其制造方法、由其得到的液晶取向膜、和具備其的液晶表示元件。一種液晶取向劑，其含有聚酰亞胺，所述聚酰亞胺為由...

提供作為細胞培養的基底膜使用的聚合物的制造方法、細胞培養的基底膜形成劑、基底膜及細胞培養容器的制造方法。作為細胞培養的基底膜使用的聚合物的制造方法，其包括下述工序：制備工序，制備含有下式(I)表示的單體、自由基聚合引發劑及有機溶劑的混合...

采用在包含二亞芐基丙酮的鈀0價絡合物的催化劑、由下述式(L)表示的配體和堿的存在下使氟化芳族伯胺化合物與氯化、溴化或碘化芳族烴或者擬鹵化芳族烴反應的氟化芳族仲胺化合物的制造方法，在沒有使用特殊的催化劑的情況下使氟化芳族胺化合物與氯化、溴...

例如包含由下述式表示的在分子內具有間亞苯基的重復單元的苯胺衍生物和有機溶劑的電荷傳輸性清漆通過低溫燒成以給予電荷傳輸性良好、高折射率的薄膜，將該薄膜應用于空穴注入層等的情況下給予具有優異的特性的有機EL元件。

提供例如包含由下述式表示的苯胺衍生物的電荷傳輸性組合物。(式中，Ph為苯基。)

例如，由下述式表示的在分子內具有間亞苯基的重復單元的苯胺衍生物在有機溶劑中顯示出良好的溶解性，并且給予透明性良好的薄膜，將該薄膜應用于空穴注入層的情況下給予具有優異的特性的有機EL元件。

本申請的課題是提供一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其用于形成能夠在制造半導體裝置的光刻工藝中很好地作為防反射膜和平坦化膜使用的抗蝕劑下層膜。解決手段是，一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其含有樹脂、酸催化劑或其鹽、以及溶劑，并且所述抗蝕劑下層...

例如包含下述的重復單元的聚合物兼具優異的電荷傳輸性和在有機溶劑中的優異的溶解性，通過使該聚合物單獨地或者與摻雜劑物質一起溶解在有機溶劑中，從而在以有機EL元件為首的電子元件中應用的情況下能夠實現優異的特性。

例如提供由下述式表示的苯胺衍生物。(式中，Ph為苯基。)

本發明涉及一種電荷輸送性組合物，其能夠提供具有高透明性且平坦性優異的電荷輸送性薄膜。另外，還提供一種顯示出優異特性的有機EL元件。作為通過使用包含聚噻吩化合物、金屬氧化物納米粒子、非離子含氟表面活性劑以及有機溶劑的組合物所制成的電荷輸送...

包含附加了下式(1)所示的基團的聚合物。(在式(1)中，R

本發明提供具有特別高的干蝕刻速度的抗蝕劑下層膜、該抗蝕劑下層膜形成用組合物、抗蝕劑圖案形成方法以及半導體裝置的制造方法。一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含：環氧加成物形成用化合物與下述式(1)所示的化合物的環氧加成生成物；以及溶劑，[...

本發明的課題是提供具有優異的耐擦傷性的硬涂膜的制造方法。解決手段是一種耐擦傷性硬涂膜的制造方法，其至少包含下述工序：將能夠形成硬涂層的固化性組合物涂布在膜基材上而形成涂膜的工序；以及向該涂膜照射活性能量射線進行固化的工序，上述固化性組合...

本發明涉及聚合物的制造方法。本發明還提供一種聚合物，其是含有由下述式(1)表示的結構單元的聚合物，末端為來自引發劑殘基的正丁基，重均分子量為1,000～50,000，分散度為1.5以下，式(1)中，R1表示氫原子或甲基，R2～R6各自獨...

本發明的課題是提供可獲得對液晶可溶的各種溶劑的耐溶劑性，可以獲得良好的取向性，并且即使是膜厚為3μm以上的厚膜也透明性優異，具有對良溶劑的耐性的固化膜，并提供光取向用的取向材以及使用該取向材而形成的相位差材。解決手段是具有光取向性基的固...

本發明提供電荷傳輸性組合物，其包含：含有式(1)的聚噻吩衍生物或其胺加成物的電荷傳輸性物質、選自含有氟烷基的硅烷等的有機硅烷化合物、金屬氧化物納米粒子和有機溶劑。(R1和R2相互獨立地為氫原子、碳數1～40的烷氧基、

包含在分子內具有9

一種液晶取向劑，其含有選自由由二胺成分和四羧酸成分得到的聚酰亞胺前體和聚酰亞胺組成的組中的至少1種聚合物(P)，所述二胺成分含有具有下述式(1)的結構的二胺和具有選自由下述式(S1)～(S3)所示結構組成的組中的至少1種的二胺(v)。式...

提供具有特別高的干蝕刻速度的抗蝕劑下層膜、該抗蝕劑下層膜形成用組合物、抗蝕劑圖案形成方法以及半導體裝置的制造方法。一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含：通過下述式(1)所示的化合物、與環氧加成物形成用化合物的反應而獲得的環氧加成生成物；...

本發明提供一種零面錨定膜的工業制造方法，以及使用其的良好的液晶顯示元件和液晶顯示元件的制造方法。一種零面錨定膜的制造方法，其包括以下步驟：在使含有液晶和具有下述式(1)表示的結構的自由基聚合性化合物的液晶組合物與自由基產生膜接觸的狀態下...